本发明专利技术提供一种半导体装置，能够维持连接端子之间的绝缘，并抑制半导体装置的增大。半导体装置具备：平板状的绝缘单元(30)，其设置于第一功率端子(21)与第二功率端子(22)之间；以及壳体(10)，其以使第一接合区域(21a)和第二接合区域(22a)露出的方式包含第一功率端子(21)和第二功率端子(22)，且接合有绝缘单元(30)。绝缘单元(30)具备片状的绝缘纸、以及覆盖绝缘纸的上表面和下表面中的至少一方的封装部。因此，绝缘单元(30)能够维持第一功率端子(21)与第二功率端子(22)之间的绝缘。子(21)与第二功率端子(22)之间的绝缘。子(21)与第二功率端子(22)之间的绝缘。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
[0002]半导体装置包括功率器件，并被用作电力转换装置。功率器件包括半导体芯片。半导体芯片例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。这样的半导体装置至少包括半导体芯片、配置该半导体芯片的绝缘电路基板、以及P型的连接端子和N型的连接端子而容纳于壳体。从外部分别与P型的连接端子和N型的连接端子连接。特别地，P型的连接端子和N型的连接端子一体成型于壳体(例如，参照专利文献1)。此外，相对于外包装壳体的上表面，水平地配设弯曲成L字状的P型和N型的电极板的端子部并安装有螺栓(例如，参照专利文献2)。此时，必须维持P型的连接端子与N型的连接端子之间的绝缘。因此，例如，在这些端子之间夹有绝缘部件(例如，参照专利文献3、4)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2018/142863号
[0006]专利文献2：日本特开平09
‑
069603号公报
[0007]专利文献3：日本特开2021
‑
106235号公报
[0008]专利文献4：日本特开2008
‑
125240号公报
技术实现思路
[0009]技术问题
[0010]在半导体装置中，作为P型的连接端子与N型的连接端子之间的绝缘部件，例如能够使用与壳体相同性质的树脂。在该情况下，为了维持P型的连接端子与N型的连接端子之间的绝缘，绝缘部件需要预定的厚度。这关系到半导体装置的增大。此外，如果使用绝缘纸作为绝缘部件，则能够抑制半导体装置的增大。然而，绝缘纸难以处理，与构成壳体的树脂之间的紧贴性也不好。例如，在P型的连接端子和N型的连接端子之间夹有绝缘纸的情况下，有可能在绝缘纸产生弯折。即使在弯折的状态下将绝缘纸夹在P型的连接端子和N型的连接端子之间，有时也无法充分地维持P型的连接端子与N型的连接端子的绝缘。
[0011]本专利技术是鉴于这一点而完成的，其目的在于提供一种能够维持连接端子之间的绝缘并抑制增大的半导体装置。
[0012]技术方案
[0013]根据本专利技术的一个观点，提供一种半导体装置，其具备：第一功率端子，其包含第一接合区域；第二功率端子，其包含第二接合区域；平板状的绝缘单元，其以使所述第一接合区域和所述第二接合区域露出的方式设置于所述第一功率端子与所述第二功率端子之间；以及壳体，其以使所述第一接合区域和所述第二接合区域露出的方式包含所述第一功
率端子和所述第二功率端子，且接合有所述绝缘单元，所述绝缘单元具备片状的第一绝缘部、以及覆盖所述第一绝缘部的上表面和下表面中的至少一方的第二绝缘部。
[0014]技术效果
[0015]上述构成的半导体装置能够维持连接端子之间的绝缘，并抑制增大。
附图说明
[0016]图1是第一实施方式的半导体装置的俯视图。
[0017]图2是第一实施方式的半导体装置的剖视图。
[0018]图3是第一实施方式的半导体装置所包括的端子部附近的俯视图。
[0019]图4是第一实施方式的半导体装置所包括的绝缘单元的图。
[0020]图5是第一实施方式的半导体装置的壳体的制造方法的流程图。
[0021]图6是示出第一实施方式的半导体装置的壳体的制造方法所包括的绝缘单元制造工序的图(其一)。
[0022]图7是紧接着第一实施方式的半导体装置的壳体的制造方法所包括的绝缘单元制造工序之后的绝缘单元的图。
[0023]图8是在第一实施方式的半导体装置的壳体的制造方法中所使用的绝缘单元用模具的图。
[0024]图9是示出第一实施方式的半导体装置的壳体的制造方法所包括的绝缘单元制造工序的图(其二)。
[0025]图10是第二实施方式的半导体装置的俯视图。
[0026]图11是第二实施方式的半导体装置的主要部分剖视图。
[0027]图12是第二实施方式的半导体装置所包括的第一功率端子和第二功率端子的图。
[0028]符号说明
[0029]1、1a：半导体装置
[0030]10、10a：壳体
[0031]11：框部
[0032]11a：第一侧部
[0033]11b：第二侧部
[0034]11c：第三侧部
[0035]11d：第四侧部
[0036]11e：端子开口部
[0037]11f：梁部
[0038]11g：底部
[0039]12a、12b、12c：容纳部
[0040]12d、12e：分隔部
[0041]13、14：螺母罩
[0042]13a、14a：罩主体
[0043]13b、14b：螺母
[0044]13c、14c：螺栓容纳部
[0045]20：端子部
[0046]21：第一功率端子
[0047]21a：第一接合区域
[0048]21b：第一接合部
[0049]21b1：第一紧固孔
[0050]21c：第一布线部
[0051]21d：第一关联部
[0052]21e：第一连接部
[0053]22：第二功率端子
[0054]22a：第二接合区域
[0055]22b：第二接合部
[0056]22b1：第二紧固孔
[0057]22c：第二布线部
[0058]22d：第二关联部
[0059]22e：第二连接部
[0060]23：U相输出端子
[0061]24：V相输出端子
[0062]25：W相输出端子
[0063]30：绝缘单元
[0064]30a：平台部
[0065]31：绝缘纸
[0066]31a：前切断面
[0067]31b：后切断面
[0068]32：封装部
[0069]32a：前端面
[0070]32b：后端面
[0071]32c、32d：侧端面
[0072]32e：封装上表面部
[0073]32f：封装下表面部
[0074]33：粘接部件
[0075]50：绝缘单元用模具
[0076]51：绝缘纸容纳部
[0077]51a：绝缘纸开口部
[0078]52：封装容纳部
[0079]52a：封装填充部
[0080]53：型腔
具体实施方式
[0081]以下，使用附图对实施方式进行说明。应予说明，在本实施方式中，正面(上方)表
示图1的半导体装置1(壳体10)朝向上侧的面(方向)本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一功率端子，其包含第一接合区域；第二功率端子，其包含第二接合区域；平板状的绝缘单元，其以使所述第一接合区域和所述第二接合区域露出的方式设置于所述第一功率端子与所述第二功率端子之间；以及壳体，其以使所述第一接合区域和所述第二接合区域露出的方式包含所述第一功率端子和所述第二功率端子，且接合有所述绝缘单元，所述绝缘单元具备片状的第一绝缘部、以及覆盖所述第一绝缘部的上表面和下表面中的至少一方的第二绝缘部。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述壳体由第一树脂构成，所述第二绝缘部由第二树脂构成。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一树脂和所述第二树脂由相同的材质构成。4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一树脂和所述第二树脂是热塑性树脂。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述热塑性树脂包括PPS树脂。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一绝缘部的至少一方的第一端面从所述第二绝缘部的第二端面露出。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一端面与所述第二端面形成同...
【专利技术属性】
技术研发人员：多田慎司，村田悠马，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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