【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体模块
[0001]本公开涉及半导体模块。
技术介绍
[0002]以往，公知有具备MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)等电力用开关元件的半导体模块。这种半导体模块搭载于工业设备至家电、信息终端、汽车用设备的各种电子设备。在专利文献1中，公开了以往的半导体模块(功率模块)。专利文献1所记载的半导体模块具备半导体元件、以及支撑基板(陶瓷基板)。半导体元件例如是Si(硅)制的IGBT。支撑基板支撑半导体元件。支撑基板包含绝缘性的基材、以及层叠于基材的两面的导体层。基材例如由陶瓷构成。各导体层例如由Cu(铜)构成，在一方的导体层接合有半导体元件。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015－220382号公报
技术实现思路
[0006]专利技
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体模块，其特征在于，具备：导电基板，其具有在厚度方向上相互隔开间隔的主面以及背面；至少一个半导体元件，其与上述主面电接合且具有开关功能；导通部件，其构成由上述半导体元件开关的主电路电流的路径；第一输入端子及第二输入端子，其相对于上述导电基板配置在与上述厚度方向正交的第一方向的一方侧；以及至少一个输出端子，其相对于上述导电基板配置在上述第一方向的另一方侧，上述导电基板包含在上述第一方向上相互隔开间隔配置的第一导电部以及第二导电部，上述至少一个半导体元件包含与上述第一导电部电接合的多个第一半导体元件、以及与上述第二导电部电接合的多个第二半导体元件，上述多个第一半导体元件沿与上述厚度方向以及上述第一方向双方成直角的第二方向相互隔开间隔配置，上述多个第二半导体元件沿上述第二方向相互隔开间隔配置，上述第一输入端子与上述第一导电部电连接，上述第二输入端子与上述第一输入端子的极性相反，上述输出端子与上述第二导电部电连接，上述导通部件包括：与上述多个第一半导体元件和上述第二导电部连接的第一导通部件；以及与上述多个第二半导体元件和上述第二输入端子连接的第二导通部件。2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，上述主电路电流的路径包括：上述第一输入端子与上述输出端子之间的第一主电路电流的路径；以及上述输出端子与上述第二输入端子之间的第二主电路电流的路径，上述第一主电路电流的方向与上述第二主电路电流的方向相反。3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，由上述多个第一半导体元件以及上述多个第二半导体元件开关的上述主电路电流的路径构成为，在上述厚度方向上观察时沿着上述第一方向。4.根据权利要求1至3任一项中所述的半导体模块，其特征在于，上述第一导通部件包含分别与上述多个第一半导体元件对应的多个导通部分。5.根据权利要求1至4任一项中所述的半导体模块，其特征在于，还具备第三输入端子，该第三输入端子相对于上述多个第一半导体元件位于上述第一方向一方侧，而且与上述第二导通部件连接，上述第二输入端子以及上述第三输入端子隔着上述第一输入端子分别配置在上述第二方向的一方侧以及另一方侧。6.根据权利要求5所述的半导体模块，其特征在于，上述第二导通部件包括：与上述第二输入端子连接且在上述第一方向上延伸的第一配线部；与上述第三输入端子连接且在上述第一方向上延伸的第二配线部；与上述第一配线部以及上述第二配线部双方连接并在上述第二方向上延伸、而且分别与上述多个第二半导体元件连接的第三配线部；以及相对于上述第三配线部位于上述第一方向一方侧、而且与
上述第一配线部、上述第二配线部以及上述第三配线部的任一个都连接的第四配线部。7.根据权利要求6所述的半导体模块，其特征在于，上述第四配线部在上述厚度方向上观察时与上述多个第一半导体元件重叠。8.根据权利要求7所述的半导体模块，其特征在于，上述第四配线部具有比该第四配线部的其它部位更向上述厚度方向突出的多个凸状区域，各...
【专利技术属性】
技术研发人员：林健二，谷川昂平，福田谅介，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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