半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够提高半导体装置的可靠性的技术。半导体装置具有：半导体元件；线状的配线部件，其与半导体元件的上部连接；涂覆部件，其与半导体元件以及半导体元件的上侧的区域的配线部件接触；以及封装部件，其对半导体元件、配线部件及涂覆部件进行保护，涂覆部件包含具有硅及金属各自与氧之间的共价键的物质、硅氧化物和硅氧烷。化物和硅氧烷。化物和硅氧烷。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]为了提高半导体装置的可靠性，提出了通过聚酰亚胺等涂覆部件将半导体元件等包覆而进行保护的构造(例如专利文献1)。另外，为了提高粘接性，提出了包含至少1个侧基的树脂，该侧基包含
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Si(OR)3基。
[0003]专利文献1：日本特开2006
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351737号公报
[0004]专利文献2：日本特表2010
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521552号公报
[0005]通常，如果涂覆部件通过热、光、等离子等能量而发生反应，则反应后的组分与反应前的组分不同，因此，不仅生成目标反应物，还生成与目标反应物不同的副产物。其结果，即使在反应前指定了组分，但由于反应后的副产物的比率等，有时无法得到作为目标的粘接性及可靠性。因此，存在改善涂覆部件的粘接性及可靠性的余地。
[0006]另外，当前为了提高半导体装置的可靠性，通过对半导体装置中发热大的半导体元件实施涂覆，从而提高半导体元件与封装部件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具有：半导体元件；线状的配线部件，其与所述半导体元件的上部连接；涂覆部件，其与所述半导体元件以及所述半导体元件的上侧的区域的所述配线部件接触；以及封装部件，其对所述半导体元件、所述配线部件及所述涂覆部件进行保护，所述涂覆部件包含具有硅及金属各自与氧之间的共价键的物质、硅氧化物和硅氧烷。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述涂覆部件内的所述物质的个数大于或等于所述涂覆部件内的硅原子的个数的0.1％。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，还具有：接合部件，其与所述半导体元件的下部连接；以及导电电路部，其经由所述接合部件而与所述半导体元件连接，所述涂覆部件还与所述接合部件及所述导电电路部接触。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，还具有：导电电路部、绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶勇辅，原田启行，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：