工件处理片及器件制造方法技术

本发明专利技术提供一种工件处理片1，其具备基材12及界面剥蚀层11，所述界面剥蚀层11层叠在基材12的一个面侧上，所述界面剥蚀层11可以在保持工件小片2的同时，通过激光的照射进行界面剥蚀，所述工件处理片1的特征在于，界面剥蚀层11含有紫外线吸收剂。这样的工件处理片即使是微细的工件小片也可以良好地进行处理。微细的工件小片也可以良好地进行处理。微细的工件小片也可以良好地进行处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】工件处理片及器件制造方法


[0001]本专利技术涉及可用于处理半导体部件、半导体装置等工件小片的工件处理片、及使用了该工件处理片的器件制造方法，特别是涉及可用于处理微型发光二极管、功率器件、微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)等工件小片的工件处理片、及使用了该工件处理片的器件制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，正在进行使用了微型发光二极管(micro LED)的显示器的开发。在该显示器中，每个像素由微型发光二极管构成，每个微型发光二极管的发光独立地受到控制。在该显示器的制造中，通常需要将配置在蓝宝石、玻璃等供给基板上的微型发光二极管安装在设有布线的布线基板上。
[0003]在进行上述安装时，需要将配置在供给基板上的多个微型发光二极管精确地载置到布线基板上的预定位置。此时，需要将多个微型发光二极管中的预定的微型发光二极管选择性地载置到布线基板上，或者需要同时载置多个微型发光二极管。
[0004]从良好地进行这种安装的角度出发，正在研究利用激光的照射。例如，正在研究将多个微型发光二极管经由预定的层而保持在支撑体上，然后对该层照射激光，从而使该层在该照射位置产生剥蚀，由此将从支撑体上分离(激光剥离)的微型发光二极管载置到布线基板的方法(专利文献1)。由于激光的指向性及会聚性优异，因此容易控制照射的位置，可以良好地进行选择性的载置。现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1：日本专利第6546278号

技术实现思路

本专利技术要解决的技术问题
[0006]然而，也正在进行微型发光二极管的更进一步的微缩化、微型发光二极管的更高密度的安装，对应于此，谋求可以比专利文献1般的以往手法更效率良好地处理多个微型发光二极管之类的微细的工件小片的手段。
[0007]本专利技术鉴于这样的实际状况而完成，其目的在于提供一种即使是微细的工件小片也可以良好地进行处理的工件处理片、及使用了该工件处理片的器件制造方法。解决技术问题的技术手段
[0008]为了达成上述目的，第一，本专利技术提供一种工件处理片，其具备基材与界面剥蚀层，所述界面剥蚀层层叠在所述基材的一个面侧上，所述界面剥蚀层可以在保持工件小片的同时，通过激光的照射进行界面剥蚀，所述工件处理片的特征在于，所述界面剥蚀层含有紫外线吸收剂(专利技术1)。
[0009]由于上述专利技术(专利技术1)的工件处理片的界面剥蚀层含有紫外线吸收剂，因此在照
射激光的情况下，可以有效地进行界面剥蚀，由此能够将工件小片朝向对象物良好地进行分离。
[0010]在上述专利技术(专利技术1)中，优选所述紫外线吸收剂为有机化合物(专利技术2)。
[0011]在上述专利技术(专利技术1、2)中，优选所述紫外线吸收剂为具有1个以上的杂环的化合物(专利技术3)。
[0012]在上述专利技术(专利技术1～3)中，优选所述紫外线吸收剂具有碳环及杂环中的至少一种、所述紫外线吸收剂所具有的全部的所述碳环及所述杂环分别为单环(专利技术4)。
[0013]在上述专利技术(专利技术1～4)中，优选所述紫外线吸收剂为具有多个芳香环的化合物(专利技术5)。
[0014]在上述专利技术(专利技术1～5)中，优选所述界面剥蚀层中的紫外线吸收剂的含量为1质量％以上且75质量％以下(专利技术6)。
[0015]在上述专利技术(专利技术1～6)中，优选所述工件处理片对波长355nm的光线的吸光度为2.0以上(专利技术7)。
[0016]在上述专利技术(专利技术1～7)中，优选所述工件处理片对波长355nm的光线的透过率为1.0％以下(专利技术8)。
[0017]在上述专利技术(专利技术1～8)中，优选所述界面剥蚀层为粘着剂层(专利技术9)。
[0018]在上述专利技术(专利技术9)中，优选构成所述粘着剂层的粘着剂为丙烯酸类粘着剂(专利技术10)。
[0019]在上述专利技术(专利技术1～10)中，优选所述激光具有紫外区的波长(专利技术11)。
[0020]在上述专利技术(专利技术1～11)中，优选在所述界面剥蚀层产生界面剥蚀时，在产生所述界面剥蚀的位置形成气泡(blister)(专利技术12)。
[0021]在上述专利技术(专利技术1～12)中，优选将所述工件处理片用于下述用途：通过在所述界面剥蚀层中局部产生的界面剥蚀，将保持在所述界面剥蚀层的与所述基材相反的面上的多个工件小片中的任意工件小片从所述界面剥蚀层上选择性地分离(专利技术13)。
[0022]在上述专利技术(专利技术13)中，优选通过将保持在所述界面剥蚀层的与所述基材相反的面上的工件在该面上进行单颗化而得到所述工件小片(专利技术14)。
[0023]在上述专利技术(专利技术13、14)中，优选所述工件小片为选自半导体部件及半导体装置中的至少一种(专利技术15)。
[0024]在上述专利技术(专利技术13～15)中，优选所述工件小片为选自次毫米发光二极管(mini LED)及微型发光二极管(micro LED)中的发光二极管(专利技术16)。
[0025]第二，本专利技术提供一种器件制造方法，其特征在于，具备：准备工序，其中，准备通过在具备基材与界面剥蚀层的工件处理片的所述界面剥蚀层侧的面上保持多个工件小片而成的层叠体，所述界面剥蚀层层叠在所述基材的一个面侧上且含有紫外线吸收剂；配置工序，其中，以使所述层叠体的所述工件小片侧的面面向可以收容所述工件小片的对象物的方式配置所述层叠体；及分离工序，其中，对所述层叠体中的所述界面剥蚀层的至少一个贴附有所述工件小片的位置照射激光，使所述界面剥蚀层中的所述被照射位置产生界面剥蚀，由此将存在于产生所述界面剥蚀的位置的所述工件小片从所述工件处理片上分离，并将所述工件小片载置到所述对象物上(专利技术17)。
[0026]在上述专利技术(专利技术17)中，优选：在所述准备工序中，将保持在所述界面剥蚀层的与
所述基材相反的面上的工件在所述面上进行单颗化，由此得到所述工件小片(专利技术18)。
[0027]在上述专利技术(专利技术17、18)中，优选所述工件小片为选自半导体部件及半导体装置中的至少一种(专利技术19)。
[0028]在上述专利技术(专利技术17～19)中，优选使用选自次毫米发光二极管及微型发光二极管中的发光二极管作为所述工件小片，制造具备多个所述发光二极管的发光装置(专利技术20)。
[0029]在上述专利技术(专利技术20)中，优选所述发光装置为显示器(专利技术21)。专利技术效果
[0030]即使是微细的工件小片，本专利技术的工件处理片也可以良好地进行处理，并且，根据本专利技术的器件制造方法，可以制造具有优异性能的器件。
附图说明
[0031]图1为本专利技术的一个实施方案的工件处理片的剖面图。图2为对本专利技术的一个实施方案的使用工件处理片的器件制造方法进行说明的剖面图。图3为对因激光的照射而产生的气泡及反应区域的状态进行说明的剖面图。
具体实施方式
[0032]以下，对本专利技术的实施方案进行说明。图1示出一个实施方案的工件处理片的剖面图。图1所示的工件处理片1具备基材12及层叠在基材12的一个面侧上的界面剥蚀层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种工件处理片，其具备：基材；及界面剥蚀层，所述界面剥蚀层层叠在所述基材的一个面侧上，可以在保持工件小片的同时，通过激光的照射进行界面剥蚀，所述工件处理片的特征在于，所述界面剥蚀层含有紫外线吸收剂。2.根据权利要求1所述的工件处理片，其特征在于，所述紫外线吸收剂为有机化合物。3.根据权利要求1或2所述的工件处理片，其特征在于，所述紫外线吸收剂为具有1个以上的杂环的化合物。4.根据权利要求1～3中任一项所述的工件处理片，其特征在于，所述紫外线吸收剂具有碳环及杂环中的至少一种，所述紫外线吸收剂所具有的全部的所述碳环及所述杂环分别为单环。5.根据权利要求1～4中任一项所述的工件处理片，其特征在于，所述紫外线吸收剂为具有多个芳香环的化合物。6.根据权利要求1～5中任一项所述的工件处理片，其特征在于，所述界面剥蚀层中的紫外线吸收剂的含量为1质量％以上且75质量％以下。7.根据权利要求1～6中任一项所述的工件处理片，其特征在于，所述工件处理片对波长355nm的光线的吸光度为2.0以上。8.根据权利要求1～7中任一项所述的工件处理片，其特征在于，所述工件处理片对波长355nm的光线的透过率为1.0％以下。9.根据权利要求1～8中任一项所述的工件处理片，其特征在于，所述界面剥蚀层为粘着剂层。10.根据权利要求9所述的工件处理片，其特征在于，构成所述粘着剂层的粘着剂为丙烯酸类粘着剂。11.根据权利要求1～10中任一项所述的工件处理片，其特征在于，所述激光具有紫外区的波长。12.根据权利要求1～11中任一项所述的工件处理片，其特征在于，在所述界面剥蚀层产生界面剥蚀时，在产生所述界面剥蚀的位置形成气泡。13.根据权利要求1～12中任一项所述的工件处理片，其特征在于，所述工件处理片用于下述用途：通过在所述界面剥蚀层中局部产生的界面剥蚀，将保持在所述界面剥蚀层的与所述基材相反的...

【专利技术属性】
技术研发人员：古野健太，福元彰朗，若山洋司，山口征太郎，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：