【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】工件处理片及器件制造方法
[0001]本专利技术涉及可用于处理半导体部件、半导体装置等工件小片的工件处理片、及使用了该工件处理片的器件制造方法,特别是涉及可用于处理微型发光二极管、功率器件、微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems,MEMS)等工件小片的工件处理片、及使用了该工件处理片的器件制造方法。
技术介绍
[0002]近年来,正在进行使用了微型发光二极管(micro LED)的显示器的开发。在该显示器中,每个像素由微型发光二极管构成,每个微型发光二极管的发光独立地受到控制。在该显示器的制造中,通常需要将配置在蓝宝石、玻璃等供给基板上的微型发光二极管安装在设有布线的布线基板上。
[0003]在进行上述安装时,需要将配置在供给基板上的多个微型发光二极管精确地载置到布线基板上的预定位置。此时,需要将多个微型发光二极管中的预定的微型发光二极管选择性地载置到布线基板上,或者需要同时载置多个微型发光二极管。
[0004]从良好地进行这种安装的角度出发,正在研究利用激光的照射。例如 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种工件处理片,其具备:基材;及界面剥蚀层,所述界面剥蚀层层叠在所述基材的一个面侧上,可以在保持工件小片的同时,通过激光的照射进行界面剥蚀,所述工件处理片的特征在于,所述界面剥蚀层含有紫外线吸收剂。2.根据权利要求1所述的工件处理片,其特征在于,所述紫外线吸收剂为有机化合物。3.根据权利要求1或2所述的工件处理片,其特征在于,所述紫外线吸收剂为具有1个以上的杂环的化合物。4.根据权利要求1~3中任一项所述的工件处理片,其特征在于,所述紫外线吸收剂具有碳环及杂环中的至少一种,所述紫外线吸收剂所具有的全部的所述碳环及所述杂环分别为单环。5.根据权利要求1~4中任一项所述的工件处理片,其特征在于,所述紫外线吸收剂为具有多个芳香环的化合物。6.根据权利要求1~5中任一项所述的工件处理片,其特征在于,所述界面剥蚀层中的紫外线吸收剂的含量为1质量%以上且75质量%以下。7.根据权利要求1~6中任一项所述的工件处理片,其特征在于,所述工件处理片对波长355nm的光线的吸光度为2.0以上。8.根据权利要求1~7中任一项所述的工件处理片,其特征在于,所述工件处理片对波长355nm的光线的透过率为1.0%以下。9.根据权利要求1~8中任一项所述的工件处理片,其特征在于,所述界面剥蚀层为粘着剂层。10.根据权利要求9所述的工件处理片,其特征在于,构成所述粘着剂层的粘着剂为丙烯酸类粘着剂。11.根据权利要求1~10中任一项所述的工件处理片,其特征在于,所述激光具有紫外区的波长。12.根据权利要求1~11中任一项所述的工件处理片,其特征在于,在所述界面剥蚀层产生界面剥蚀时,在产生所述界面剥蚀的位置形成气泡。13.根据权利要求1~12中任一项所述的工件处理片,其特征在于,所述工件处理片用于下述用途:通过在所述界面剥蚀层中局部产生的界面剥蚀,将保持在所述界面剥蚀层的与所述基材相反的...
【专利技术属性】
技术研发人员:古野健太,福元彰朗,若山洋司,山口征太郎,
申请(专利权)人:琳得科株式会社,
类型:发明
国别省市:
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