半导体集成器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体集成器件及其制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，在制造方法中，在其通过在BCD器件的低压器件区和高压器件区的栅氧形成之前，先在形成有作为离子注入保护层的牺牲层的顶面上形成一层硬掩膜层(例如氮化硅)，然后在该氮化硅的保护下，对所述BCD器件的高压器件区进行刻蚀、离子注入和高压氧化层工艺，之后再去除所述氮化硅层，以在所述高压器件区中形成厚度较厚的栅氧化层，从而实现在不增加额外光罩制程成本的情况下，避免遮蔽高压器件区的光刻胶层发生卷边、翘起甚至完全剥离，进而导致位于其下的高压器件的栅氧暴露在该刻蚀溶液中所造成的高压器件的栅氧被减薄甚至完全被刻掉的问题。件的栅氧被减薄甚至完全被刻掉的问题。件的栅氧被减薄甚至完全被刻掉的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体集成器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体集成器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]功率集成IC被广泛应用在电源管理、电机驱动、汽车电子和工业控制等领域。BCD指的是将Bipolar、CMOS、DMOS等高压功率器件及各种电阻电容和二极管集成在同一芯片的工艺技术，具有低成本、易封装、易设计和外围芯片更简洁等特点，快速发展为功率IC领域的主流技术。BCD技术中的Bipolar双极晶体管具有高模拟精度主要用于模拟电路中，CMOS具有高集成度主要用于逻辑电路中，DMOS具有高功率(高电压)特性常用作开关作用。
[0003]现有技术中，BCD器件中往往集成有高压器件和低压器件，例如，高压器件可以是LDMOS器件、高压JFET器件等，低压器件可以是低压MOS器件等。目前，在形成BCD器件的高压器件的栅氧后，再形成其低压器件的栅氧时，需要使用酸性溶液对半导体衬底进行200s左右的浸泡，以去除低压器件形成过程中的不需要部分所覆盖的栅氧层。
[0004]然而，由于在形成所述BCD器件的低压器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体集成器件的制造方法，其特征在于，至少包括如下步骤：提供一具有低压器件区和高压器件区的半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上自下而上依次形成牺牲层、硬掩膜层和第一光刻胶层；以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述高压器件区中的部分所述硬掩膜层，并对所述高压器件区中的去除了多个区域的所述硬掩膜层的半导体衬底依次进行离子注入，以在所述高压器件区中至少形成一P型高压阱和一N型高压阱；利用湿法刻蚀工艺去除所述P型高压阱和所述N型高压阱所对应的半导体衬底上所形成的所述牺牲层，并在暴露出所述P型高压阱和所述N型高压阱所对应的半导体衬底的表面上形成高压氧化层，以使形成的所述高压氧化层构成所述高压器件区的栅氧化层；利用湿法刻蚀工艺去除所述低压器件区中的所述硬掩模层，并形成遮蔽所述高压器件区所对应的半导体衬底的第二光刻胶层，对暴露出的部分区域的所述低压器件区所对应的半导体衬底进行后续工艺，以在所述低压器件区中形成至少一P型低压阱和一N型低压阱以及覆盖在所述P型低压阱和所述N型低压阱所对应的半导体衬底表面上的低压氧化物层，其中，所述后续工艺包含至少一次湿法刻蚀工艺。2.如权利要求1所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括二氧化硅，所述硬掩膜层的材料包括氮化硅。3.如权利要求1所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，所述高压器件区中的所述栅氧化层的厚度范围为：4.如权利要求1所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，在形成所述高压器件区的所述栅氧化层之后，所述制备方法还包括：去除所述第一光刻胶层和位于所述高压器件区中的所述硬掩膜层。5.如权利要求4所述的半导体集成器件的制造方法，其特征在于，所述第二光刻胶层在遮蔽所述高压器件区所对应的半导体衬底的同时，还暴露出所述低压器件区中的一部分区域的牺牲层；所述对暴露出的部分区域的所述低压器件区所对应的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹子贵，梁肖，姜波，于涛，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：