一种半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体器件，其包括基底，基底包括单元阵列区、外围电路区以及位于单元阵列区域外围电路区之间的中间区域，基底上形成叠层结构，叠层结构包括多个电容结构和保护环结构，其中，多个电容结构形成于单元阵列区上，至少部分相邻的电容结构之间具有支撑结构，支撑结构包括第一支撑结构和第二支撑层；保护环结构形成于所述中间区域上，且环绕所述单元阵列区上的电容结构。通过在中间区域设置保护环结构可以支撑单元阵列区的电极结构、避免下电极的倾倒，提高结构的稳定性，同时还可以起到对单元阵列区和外围电路区进行物理隔离的作用，避免电流泄漏。避免电流泄漏。避免电流泄漏。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件
[0001]本申请是专利名称为“一种半导体器件”的分案申请，原申请的申请号为CN202021749655.6，申请日为2020年8月20日。


[0002]本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件。

技术介绍

[0003]在现有的技术中，为了增加半导体器件的集成度，对半导体器件中各半导体元件占据的面积进行缩减。而为了不影响电容的容量，通常选择增加电容结构中下电极的有效面积，例如，制造三维下电极，该三维下电极可以形成有筒状结构，筒状结构的下电极侧壁在垂直于基底表面的方向上延伸，以增加下电极的高度扩大有效面积，确保达到半导体器件所需要的电容。
[0004]然而，增加下电极的高度可能会引起在下电极的倾倒，通过在下电极之间设置支撑结构可以解决该问题，但支撑结构的存在，同样会引入新的问题，支撑结构会向下电极施加应力造成下电极扭曲，还可能引起不同电路区之间产生电连接，造成电流泄漏，从而影响半导体器件的性能。

技术实现思路

[0005]本技术要解决的技术问题是：如何改善下电极的稳定性，以减少不同电路区之间产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包括单元阵列区、外围电路区以及位于所述单元阵列区与所述外围电路区之间的中间区域，所述基底包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的层间绝缘层；所述基底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括多个电容结构和保护环结构，其中，所述多个电容结构形成于所述单元阵列区上，至少部分相邻的所述电容结构之间具有支撑结构，所述支撑结构包括第一支撑结构和第二支撑层；所述保护环结构形成于所述中间区域上，且环绕所述单元阵列区上的电容结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述保护环结构包括多个保护环，所述多个保护环沿着垂直于所述基底的方向延伸，且延伸深度不相同。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述多个保护环沿着垂直于所述基底的方向延伸，且延伸深度不相同，包括：所述多个保护环沿着垂直于所述基底的方向延伸，其中，至少一个所述保护环的底表面与所述半导体器件的基底上表面接触。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括多个电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张钦福，冯立伟，童宇诚，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：