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本实用新型公开了一种半导体器件，其包括基底，基底包括单元阵列区、外围电路区以及位于单元阵列区域外围电路区之间的中间区域，基底上形成叠层结构，叠层结构包括多个电容结构和保护环结构，其中，多个电容结构形成于单元阵列区上，至少部分相邻的电容结构之...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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