RC缓冲网络制造技术

本发明专利技术涉及一种包括RC缓冲网络的开关装置。本发明专利技术还涉及一种用于开关装置的RC缓冲网络。根据本发明专利技术，提供了一种开关装置，包括：沟槽晶体管和连接在沟槽晶体管的第一端子和第二端子之间的RC缓冲网络。RC缓冲网络包括至少一个电流集中段，其被配置为局部地迫使通过沟槽电容器的缓冲电流的主要部分流过数量减少的沟槽电容器，从而增加与缓冲电流相关联的欧姆损耗。姆损耗。姆损耗。

【技术实现步骤摘要】
RC缓冲网络


[0001]本专利技术涉及一种包括RC缓冲网络的开关装置。本专利技术还涉及一种用于开关装置的RC缓冲网络。

技术介绍

[0002]开关装置(诸如金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET)能够在零到低电流的关断状态和高电流的导通状态之间切换。为了防止由于从关断状态切换到导通状态而出现的不希望的瞬变，已知在MOSFET的漏极触点和源极触点之间添加RC网络。这种RC网络被称为RC缓冲网络(RC snubber network)。
[0003]对于沟槽MOSFET，RC缓冲网络实现在集成有沟槽MOSFET的半导体管芯上。通常，RC缓冲网络包括沟槽电容器的网络。这些电容器包括覆盖沟槽内壁的绝缘层。在该绝缘层上，通常以多晶硅主体的形式布置导电迹线，其构成电容器的第一端子。此外，半导体衬底本身大部分是导电的，并且用作电容器的第二端子。此外，沟槽电容器的网络可以被描述为梯形网络，其包括串联的接地电容器和电阻器。
[0004]为了抑制开关期间不期望的振铃(ringing)，重要的是适当地设计RC缓冲网络。更具体地，为了实现对不期望的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关装置(100)，包括：沟槽晶体管(1)，其集成在半导体衬底(2)上，所述沟槽晶体管(1)具有控制端子(g)、第一端子(d)和第二端子(s)，其中，所述沟槽晶体管(1)被配置为基于在所述控制端子(g)处接收到的控制信号来控制所述第一端子(d)与所述第二端子(s)之间的电流；RC缓冲网络(110A；110B；110C)，其集成在所述半导体衬底(2)上并且电连接在所述沟槽晶体管(1)的所述第一端子(d)和所述第二端子(s)之间，其中，所述RC缓冲网络(110A；110B；110C)被配置为在所述开关装置(100)的开关期间引导缓冲电流(Is)，并且其中，所述RC缓冲网络(110A；110B；110C)包括沟槽电容器(20)的网络；其中，所述RC缓冲网络(110A；110B；110C)包括至少一个电流集中段(200)，其被配置为局部地迫使通过所述沟槽电容器(20)的所述缓冲电流(Is)的主要部分流过数量减少的沟槽电容器(20)，从而增加与所述缓冲电流(Is)相关联的欧姆损耗。2.根据权利要求1所述的开关装置(100)，其中，每个沟槽电容器(20)具有构成该沟槽电容器(20)的一个端子的相应导电迹线(7)和构成该沟槽电容器(20)的另一个端子的所述半导体衬底(2)。3.根据权利要求2所述的开关装置(100)，其中，所述电流集中段(200)包括：扇入段，其一侧连接到M个沟槽电容器(20)的导电迹线(7)，并且其另一侧连接到T个沟槽电容器(20)的导电迹线(7)；和/或扇出段，其一侧连接至N个沟槽电容器(20)的导电迹线(7)，并且其另一侧连接至所述T个沟槽电容器(20)的导电迹线(7)；其中，T＜M，T＜N，且其中，T≥1。4.根据权利要求3所述的开关装置(100)，其中，所述扇入段包括所述沟槽电容器(20)的网络中的第一沟槽电容器(20)，其中，所述第一沟槽电容器(20)的导电迹线(7)将所述M个沟槽电容器(20)的导电迹线(7)连接到所述T个沟槽电容器(20)的导电迹线(7)；和/或其中，所述扇出段包括所述沟槽电容器(20)的网络中的第二沟槽电容器(20)，所述第二沟槽电容器(20)的导电迹线(7)将所述N个沟槽电容器(20)的导电迹线(7)连接到所述T个沟槽电容器(20)的导电迹线(7)。5.根据权利要求4所述的开关装置(100)，其中，所述M个沟槽电容器(20)的沟槽(5)通过所述第一沟槽电容器(20)的沟槽(5)连接到所述T个沟槽电容器(20)的沟槽(5)，并且其中，所述N个沟槽电容器(20)的沟槽(5)通过所述第二沟槽电容器(20)的沟槽(5)连接到所述T个沟槽电容器(20)的沟槽(5)，从而构成连续的沟槽。6.根据权利要求3至5中任一项所述的开关装置(100)，其中，所述M个沟槽电容器(20)的沟槽(5)和所述N个沟槽电容器(20)的沟槽(5)在相同方向(D1)上延伸；其中，所述M个沟槽电容器(20)的沟槽(5)、所述N个沟槽电容器(20)的沟槽(5)以及所述T个沟槽电容器(20)的沟槽(5)在所述相同方向(D1)上延伸，或者其中，所述T个沟槽电容器(20)的沟槽(5)具有弯折形状。7.根据权利要求5至6中任一项所述的开关装置(100)，其中，所述沟槽电容器(20)的网络具有在所述相同方向(D1)上从第一端(E1)到第二端(E2)的细长形状，其中，至少所述沟槽电容器(20)的网络中除了所述电流集中段(200)的沟槽电容器(20)之外的沟槽电容器(20)在所述相同方向(D1)上延伸。
8.根据权利要求7所述的开关装置(100)，其中，至少所述沟槽电容器(20)的网络中除了所述电流集中段(200)的沟槽电容器(20)之外的沟槽电容器(20)等距离布置。9.根据权利要求7至8中任一项所述的开关装置(100)，其中，所述半导体衬底(2)具有前侧和后侧，其中，所述沟槽晶体管(1)在所述半导体衬底(2)的前侧集成在所述半导体衬底(2)上，所述沟槽晶体管(1)具有分别布置在所述半导体衬底(2)的前侧和后侧的前侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊恩，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：