包括二极管结构的集成电路器件及其形成方法技术

提供了包括二极管结构的集成电路器件及其形成方法。二极管结构可以包括：衬底；上半导体层，在垂直方向上与衬底间隔开；上薄半导体层，从上半导体层的侧表面在第一水平方向上突出；下半导体层，在衬底和上半导体层之间并具有第一导电类型；下薄半导体层，从下半导体层的侧表面在第一水平方向上突出；第一二极管接触，电连接到下半导体层；以及第二二极管接触，电连接到衬底的一部分和上半导体层中的一个。衬底的所述部分和上半导体层中的所述一个可以具有第二导电类型。以具有第二导电类型。以具有第二导电类型。

【技术实现步骤摘要】
包括二极管结构的集成电路器件及其形成方法


[0001]本公开总体上涉及电子学领域，更具体地，涉及包括堆叠晶体管的集成电路器件。

技术介绍

[0002]引入了包括堆叠晶体管(诸如互补场效应晶体管(CFET)堆叠)的集成电路器件以减小其面积，从而增加集成密度。集成电路器件还可以包括用于各种应用(诸如电压调节或静电放电(ESD)保护)的二极管。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的一些实施方式，二极管结构可以包括：衬底；上半导体层，在垂直方向上与衬底间隔开；上薄半导体层，从上半导体层的侧表面在第一水平方向上突出；下半导体层，在衬底和上半导体层之间并具有第一导电类型；下薄半导体层，从下半导体层的侧表面在第一水平方向上突出；第一二极管接触，电连接到下半导体层；以及第二二极管接触，电连接到衬底的一部分和上半导体层中的一个。衬底的所述部分和上半导体层中的所述一个可以具有第二导电类型。
[0004]根据本专利技术的一些实施方式，集成电路器件可以包括二极管结构。二极管结构可以包括：在衬底上的上半导体层；从上半导体层突出的上薄半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二极管结构，包括：衬底；在所述衬底上的上半导体层，其中所述上半导体层在垂直方向上与所述衬底间隔开；上薄半导体层，从所述上半导体层的侧表面在第一水平方向上突出；下半导体层，在所述衬底和所述上半导体层之间并具有第一导电类型；下薄半导体层，从所述下半导体层的侧表面在所述第一水平方向上突出；第一二极管接触，电连接到所述下半导体层；以及第二二极管接触，电连接到所述衬底的一部分和所述上半导体层中的一个，其中所述衬底的所述部分和所述上半导体层中的所述一个具有第二导电类型。2.根据权利要求1所述的二极管结构，其中所述上半导体层电连接到所述第二二极管接触并接触所述下半导体层。3.根据权利要求1所述的二极管结构，其中所述上半导体层电连接到所述第二二极管接触，以及所述二极管结构还包括本征半导体层，所述本征半导体层在所述下半导体层和所述上半导体层之间并接触所述下半导体层和所述上半导体层两者。4.根据权利要求1所述的二极管结构，其中所述衬底的所述部分电连接到所述第二二极管接触并接触所述下半导体层。5.根据权利要求1所述的二极管结构，其中所述衬底的所述部分电连接到所述第二二极管接触，以及所述二极管结构还包括本征半导体层，所述本征半导体层在所述衬底的所述部分和所述下半导体层之间并接触所述衬底的所述部分和所述下半导体层两者。6.根据权利要求1所述的二极管结构，还包括在所述衬底上的绝缘层，其中所述下半导体层和所述第一二极管接触在所述绝缘层中，所述第二二极管接触在所述绝缘层中或在所述衬底中。7.根据权利要求1所述的二极管结构，其中所述下薄半导体层和所述上薄半导体层之一包括在所述垂直方向上堆叠的多个薄半导体层，所述多个薄半导体层从所述下半导体层或所述上半导体层的所述侧表面在所述第一水平方向上突出。8.根据权利要求1所述的二极管结构，其中所述下半导体层是第一下半导体层，所述上半导体层是第一上半导体层，所述二极管结构还包括第二上半导体层和第二下半导体层，所述第二下半导体层在所述衬底和所述第二上半导体层之间，所述下薄半导体层接触所述第一下半导体层的侧表面和所述第二下半导体层的侧表面两者，以及所述上薄半导体层接触所述第一上半导体层的侧表面和所述第二上半导体层的侧表面两者。9.根据权利要求1所述的二极管结构，还包括在所述第一水平方向上与所述上半导体层间隔开的导电层，其中所述上薄半导体层的一部分在所述导电层中。10.根据权利要求1所述的二极管结构，其中所述上半导体层具有所述第二导电类型并
电连接到所述第二二极管接触，以及所述下半导体层和所述上半导体层中的每个是硅层。11.一种集成电路器件，包括：衬底；以及二极管结构，包括：在所述衬底上的上半导体层；从所述上半导体层突出的上薄半导体层；在所述衬底和所述上半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪炳鹤，徐康一，尹承灿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：