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提供了包括二极管结构的集成电路器件及其形成方法。二极管结构可以包括：衬底；上半导体层，在垂直方向上与衬底间隔开；上薄半导体层，从上半导体层的侧表面在第一水平方向上突出；下半导体层，在衬底和上半导体层之间并具有第一导电类型；下薄半导体层，从下...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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