【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装器件
[0001]本公开涉及半导体封装
，尤其涉及一种半导体封装器件。
技术介绍
[0002]场效应晶体管可作为开关元器件，例如金属氧化物半导体场效应场效应晶体管MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，简称MOSFET)是一种常用的开关元器件。快恢复二极管(Fast Recovery Diode，FRD)是一种反向恢复时间短的半导体二极管，可应用于开关电源、脉宽调制器(Pulse Width Modulation，PWM)、逆变器等电子电路。
[0003]在相关技术中，MOSFET单独封装为一个MOSFET器件，FRD单独封装为一个FRD器件，将场效应晶体管器件与FRD器件之间通过外接电路连接，以使场效应晶体管上并联一个FRD，如此可以提升场效应晶体管器件的性能。
[0004]但是，由于场效应晶体管器件与FRD器件分别单独封装再通过外接电路连接，不利于减小器...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装器件，其特征在于，包括：框架基岛，包括基岛焊盘、及彼此独立的第一引脚和第二引脚，所述基岛焊盘表面具有第一焊接区和第二焊接区；场效应晶体管，包括在垂直所述基岛焊盘表面方向上相背的第一侧和第二侧，所述第一侧表面贴装于所述第一焊接区，所述场效应晶体管包括漏极、栅极和源极，所述漏极位于所述第一侧表面且连接至所述第一焊接区，所述源极位于所述第二侧表面且连接至所述第一引脚，所述栅极位于所述第二侧表面且连接至所述第二引脚；二极管，包括在垂直所述基岛焊盘表面方向上相背的第三侧和第四侧，所述二极管包括P极和N极，所述N极位于所述第三侧表面且连接至所述第二焊接区，所述P极位于所述第四侧表面且与所述源极连接；及封装体，将所述场效应晶体管与所述二极管合并封装于所述框架基岛上。2.根据权利要求1所述的半导体封装器件，其特征在于，所述半导体封装器件还包括：第一导电件，所述源极通过所述第一导电件连接至所述第一引脚；第二导电件，所述栅极通过所述第二导电件连接至所述第二引脚。3.根据权利要求2所述的半导体封装器件，其特征在于，所述第一导电件包括第一导电片，所述第一导电片包括相对的第一端和第二端，所述第一端与所述第一引脚焊接，所述第二端与所述源极焊接。4.根据权利要求3所述的半导体封装器件，其特征在于，沿着从所述第一端向所述第二端延伸的方向，所述第一导电片包括依次连接的第一部分、第二部分和第三部分，其中所述第一部分和所述第二部分均相对所述基岛焊盘表面倾斜且倾斜方向相反，以形成沿着垂直所述基岛焊盘表面方向且朝向背离所述基岛焊盘表面方向凸起的第一凸起部，所述第一凸起部与所述基岛焊盘之间在垂直所述基岛焊盘表面方向上具有第一距离，所述第二侧表面与所述基岛焊盘表面之间在垂直所述基岛焊盘表面方向上具有第二距离，所述第一距离大于所述第二距离；所述第三部分贴装至所述场效应晶体管的第二侧表面且连接至所述源极。5.根据权利要求4所述的半导体封装器件，其特征在于，所述第一部分与所述第二部分的交界位置设有连接于所述第一部分与所述第二部分之间的第一过渡部分，所述第一过渡部分平行所述基岛焊盘表面。6.根据权利要求2所述的半导体封装器件，其特征在于，所述第三侧表面直接贴装于所述第二焊接区，以使所述N极与所述第二焊接区连接；所述第四侧表面背离所述基岛焊盘表面且与所述第一导电件之间通过第三导电件连接，以使所述P极连接至所述第一引脚。7.根据权利要求6所述的半导体封装器件，其特征在于，所述第三导电件包括：第一引线，所述第一引线包括相对的第三端和第四端，所述第三端焊接至所述P极，所述第四端焊接至所述第一导电件上；和/或第二导电片，所述第二导电片包括相对的第三端和第四端，所述第三端焊接至所述P极，所述第四端焊接至所述第一导电件上。8.根据权利要求7所述的半导体封装器件，其特征在于，所述第三导电件包括所述第二导电片时，沿着从所述第三端向所述第四端延伸的方向，所述第二导电片包括依次连接的第四部分、第五部分...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘必华，钟佳鑫，高红梅，朱卫华，王佐君，
申请(专利权)人：杭州芯迈半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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