集成电路装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种集成电路装置。该集成电路装置包括具有电路区域和围绕该电路区域的保护区域的半导体衬底。保护结构形成在保护区域中，并且包括位于半导体衬底中的扩散区域。保护结构还包括设置在半导体衬底上并与扩散区域相邻的栅堆叠。保护结构还包括设置在栅堆叠上的保护层。栅堆叠沿第一方向延伸，而保护层沿与第一方向不同的第二方向延伸。保护层与扩散区域电绝缘。因此，提供了一种包括具有电容器的保护结构的集成电路装置。电容器的保护结构的集成电路装置。电容器的保护结构的集成电路装置。

【技术实现步骤摘要】
集成电路装置


[0001]本专利技术涉及一种集成电路，尤其涉及一种具有带有电容器的保护结构的集成电路。

技术介绍

[0002]半导体器件制造商的任务是交付预期以某种质量水平运行的产品。在集成电路(IC)中，一个电路或器件中产生的噪声可能会干扰IC中其他电路或器件的操作。噪声的产生通常会降低IC的性能。
[0003]诸如保护环(guard ring)的保护结构被广泛地用于衬底的保护区域中，作为IC内的器件或电路之间的噪声隔离组件。例如，保护环围绕IC的器件或电路，以便抑制噪声或减少相邻器件或电路之间的干扰。保护结构对于易受干扰和噪声影响的高频电路(例如射频电路)更为重要。
[0004]近年来，随着电子产品变得具有越来越多功能并且具有缩小的尺寸，期望半导体器件的制造商改善在单个半导体晶圆(wafer)上形成的器件(device)的密度和功能。然而，在保护区域中的传统保护结构仅具有保护功能并且占据器件的一定量的区域，这限制了缩小半导体器件尺寸的尺度。因此，具有改进的保护结构的新颖结构的集成电路装置是制造商的期望目标之一。
专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，包括：半导体衬底，具有电路区域和围绕所述电路区域的保护区域；保护结构，位于所述保护区域中，所述保护结构包括：扩散区域，位于所述半导体衬底中；栅堆叠，设置在所述半导体衬底上，并且与所述扩散区域相邻，其中所述栅堆叠在第一方向上延伸；连接结构，设置在所述扩散区域上并且与所述扩散区域电连接；以及保护层，设置在所述栅堆叠上，其中所述保护层在与所述第一方向不同的第二方向上延伸；其中，所述保护层与所述连接结构电绝缘；其中，所述保护结构进一步包括：在所述连接结构上的通孔，其中在所述第二方向上延伸的所述保护层在所述第一方向上与所述通孔电绝缘。2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，在所述第一方向上所述保护层与所述连接结构隔开第一距离。3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其中，所述扩散区域是第一扩散区域，所述连接结构是第一连接结构，以及所述保护结构进一步包括：第二扩散区域，位于所述半导体衬底中，其中，所述栅堆叠位于所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间；以及第二连接结构，设置在所述第二扩散区域上并与所述第二扩散区域电连接，其中，所述保护层与所述第二连接结构电绝缘，以及在所述第一方向上所述保护层与所述第二连接结构隔开第二距离。4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述栅堆叠包括：第一部分；以及与所述第一部分连接的第二部分，所述第二部分在所述第一方向上延伸，其中，所述保护层设置在所述栅堆叠的所述第二部分上。5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，所述保护结构进一步包括在所述保护层上的接触通孔，所述接触通孔通过所述保护层电连接到所述栅堆叠的所述第二部分。6.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，所述保护结构进一步包括：在所述连接结构上的通孔，其中在所述第二方向上延伸的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾峥，黄国恩，
申请(专利权)人：联发科技新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：