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本发明提供了一种半导体集成器件及其制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，在制造方法中，在其通过在BCD器件的低压器件区和高压器件区的栅氧形成之前，先在形成有作为离子注入保护层的牺牲层的顶面上形成一层硬掩膜层(例如氮化硅)，然后在该氮化硅的...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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