半导体结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体结构，包括：半导体基板；第一阱区；第二阱区；以及逻辑单元，包括：至少一个第一晶体管，在该第一阱区上方的第一有源区中，并且包括在第一方向上延伸的第一闸电极；至少一个第二晶体管；第二闸电极和第三闸电极；以及第一隔离结构和第二隔离结构，在该第二有源区的相对边缘上，其中，该第一隔离结构与该第二栅极结构在该第一方向上对齐，该第二隔离结构与该第三栅极结构在该第一方向上对齐。采用这种方式，电线源/接地线无需设置的过宽，因此相较于先前技术中的电源线，本发明专利技术实施例中的电源线/接地线的宽度更小，并且面积也更小，这样也就降低了逻辑单元的高度和面积，也降低了半导体结构的整体高度和整体的面积。面积。面积。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构。

技术介绍

集成电路(integrated circuit，IC)变得越来越重要。使用IC的应用程序被数百万人使用。这些应用包括手机、智能手机、平板计算机、膝上型计算机、笔记本电脑、PDA、无线电子邮件终端、MP3音讯和视频播放器、便携式无线网络浏览器等。集成电路越来越多地包括用于信号控制和处理的强大和高效的板载(on
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board)数据存储和逻辑电路。随着集成电路的不断缩小，集成电路已经变得更加紧凑。对于集成电路中经常使用的标准单元(standard cell)，当标准单元的数量增加时，芯片面积就会增加。因此，需要一种面积更小、效率更高的标准单元。

技术实现思路

有鉴于此，本专利技术提供一种半导体结构，以解决上述问题。根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体结构，包括：半导体基板；第一阱区，具有第一导电类型，并且在该半导体基板上方；第二阱区，具有第二导电类型，并且在该半导体基板上方，其中该第一导电类型不同于该第二导电类型；以及逻辑单元，包括：至少一个第一晶体管，在该第一阱区上方的第一有源区中，并且该至少一个第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一闸电极；至少一个第二晶体管，在该第二阱区上方的第二有源区中，其中该至少一个第二晶体管和该至少一个第一晶体管共享该第一闸电极；第二闸电极和第三闸电极，位于该第一晶体管的相对两侧并沿该第一方向延伸；以及第一隔离结构和第二隔离结构，在该第二有源区的相对边缘上，并沿该第一方向延伸，其中，该第一隔离结构与该第二栅极结构在该第一方向上对齐，该第二隔离结构与该第三栅极结构在该第一方向上对齐。根据本专利技术的第二方面，公开一种半导体结构，包括：半导体基板；逻辑单元，包括：在该半导体基板上方的第一有源区中的至少一个第一晶体管，并且该至少一个第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一闸电极；在该半导体基板上方的第二有源区中的至少一个第二晶体管，其中该至少一个第二晶体管和该至少一个第一晶体管共享该第一闸电极；第二闸电极和第三闸电极，位于该第一晶体管的相对两侧并沿该第一方向延伸；以及第四闸电极和第五闸电极，位于该第二晶体管的相对两侧并沿该第一方向延伸；第一电源线，沿第二方向延伸，其中该第二方向垂直于第一方向；
第二电源线，沿该第二方向延伸，其中该逻辑单元由该第一电源线和该第二电源线包围，该第一电源线与该第二电源线电性分离；以及第一附加电源线，在该第二方向上延伸并位于该第一有源区上方，其中该第四栅极结构与该第二栅极结构电性分离，该第五栅极结构与该第三栅极结构电性分离，其中，该第二闸电极和该第三闸电极通过该第一附加电源线电连接到该第一电源线。根据本专利技术的第三方面，公开一种半导体结构，包括：半导体基板；以及单元阵列，包括：第一逻辑单元，包括：在该半导体基板上方的第一有源区中的至少一个第一晶体管，并且该至少一个第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一闸电极；以及在该半导体基板上方的第二有源区中的至少一个第二晶体管，其中该至少一个第二晶体管和该至少一个第一晶体管共享该第一闸电极；第二逻辑单元，包括：在该第一有源区中的至少一个第三晶体管，并且该至少一个第三晶体管包括沿该第一方向延伸的第二闸电极；在该半导体基板上方的第三有源区中的至少一个第四晶体管，其中该至少一个第三晶体管和该至少一个第四晶体管共享该第二闸电极；第三闸电极、第四闸电极和第五闸电极，沿该第一方向延伸；以及第一隔离结构、第二隔离结构和第三隔离结构，沿该第一方向延伸；其中该第三闸电极和该第四闸电极设置在该第一晶体管的相对两侧，该第四闸电极和该第五闸电极设置在该第三晶体管的相对两侧，其中，该第一隔离结构和该第二隔离结构设置在该第二有源区的相对边缘，该第二隔离结构和该第三隔离结构设置在该第三有源区的相对边缘，其中，该第二有源区通过该第二隔离结构与该第三有源区分隔开。本专利技术的半导体结构由于包括：半导体基板；第一阱区，具有第一导电类型，并且在该半导体基板上方；第二阱区，具有第二导电类型，并且在该半导体基板上方，其中该第一导电类型不同于该第二导电类型；以及逻辑单元，包括：至少一个第一晶体管，在该第一阱区上方的第一有源区中，并且该至少一个第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一闸电极；至少一个第二晶体管，在该第二阱区上方的第二有源区中，其中该至少一个第二晶体管和该至少一个第一晶体管共享该第一闸电极；第二闸电极和第三闸电极，位于该第一晶体管的相对两侧并沿该第一方向延伸；以及第一隔离结构和第二隔离结构，在该第二有源区的相对边缘上，并沿该第一方向延伸，其中，该第一隔离结构与该第二栅极结构在该第一方向上对齐，该第二隔离结构与该第三栅极结构在该第一方向上对齐。采用这种方式，可以将在电线源/接地在线的连接闸电极特征取消，取消这些连接闸电极特征之后，电线源/接地线无需设置的过宽，因此相较于先前技术中的电源线，本专利技术实施例中的电源线/接地线的宽度更小，并且面积也更小，这样也就降低了逻辑单元的高度和面积，也降低了半导体结构的整体高度和整体的面积。
附图说明
图1示出了说明根据本专利技术一些实施例的IC的单元阵列(cell array)的简化图。
图2示出了说明根据本专利技术一些实施例的逻辑单元的简化图。图3示出了图示根据本专利技术的一些实施例的布置在图1的单元阵列的一行(row)中的图2的逻辑单元的简化图。图4A示出了根据本专利技术的一些实施例的沿图3中的线A
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AA的行的半导体结构的截面图。图4B示出了根据本专利技术的一些实施例的沿图3中的线B
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BB的行的半导体结构的截面图。图5示出了说明根据本专利技术一些实施例的逻辑单元的简化图。图6示出了图示根据本专利技术的一些实施例的布置在图1的单元阵列的一行(row)中的图5的逻辑单元的简化图。图7示出了说明根据本专利技术一些实施例的逻辑单元的简化图。图8示出了图示根据本专利技术的一些实施例的布置在图1的单元阵列的一行中的图7的逻辑单元的简化图。图9示出了图示根据本专利技术的一些实施例的布置在图1的单元阵列的一行中的图7的逻辑单元的简化图。
具体实施方式
在下面对本专利技术的实施例的详细描述中，参考了附图，这些附图构成了本专利技术的一部分，并且在附图中通过图示的方式示出了可以实践本专利技术的特定的优选实施例。对这些实施例进行了足够详细的描述，以使本领域技术人员能够实践它们，并且应当理解，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，可以利用其他实施例，并且可以进行机械，结构和程序上的改变。本专利技术。因此，以下详细描述不应被理解为限制性的，并且本专利技术的实施例的范围仅由所附权利要求限定。将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”、“主要”、“次要”等在本文中可用于描述各种组件、组件、区域、层和/或部分，但是这些组件、组件、区域、这些层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个组件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分。因此，在不脱离本专利技术构思的教导的情况下，下面讨论的第一或主要组件、组件、区域、层或部分可以称为第二或次要组件、组件、区域、层或部分。此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体基板；第一阱区，具有第一导电类型，并且在该半导体基板上方；第二阱区，具有第二导电类型，并且在该半导体基板上方，其中该第一导电类型不同于该第二导电类型；以及逻辑单元，包括：至少一个第一晶体管，在该第一阱区上方的第一有源区中，并且该至少一个第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一闸电极；至少一个第二晶体管，在该第二阱区上方的第二有源区中，其中该至少一个第二晶体管和该至少一个第一晶体管共享该第一闸电极；第二闸电极和第三闸电极，位于该第一晶体管的相对两侧并沿该第一方向延伸；以及第一隔离结构和第二隔离结构，在该第二有源区的相对边缘上，并沿该第一方向延伸，其中，该第一隔离结构与该第二栅极结构在该第一方向上对齐，该第二隔离结构与该第三栅极结构在该第一方向上对齐。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在该第一方向上，该第二闸电极及该第三闸电极短于该第一闸电极。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在该第一方向上，该第一隔离结构及该第二隔离结构短于该第一闸电极。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一电源线，在该第一阱区上方并沿第二方向延伸，其中该第二方向垂直于第一方向；第二电源线，在该第二阱区上方并沿该第二方向延伸；以及至少一条附加电源线，在该第二方向上延伸并位于该第一有源区上方，其中，该第一电源线与该第二电源线电性分离；其中，该第二闸电极和该第三闸电极通过该至少一条附加电源线电连接到该第一电源线。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该第一电源线、该第二电源线与该附加电源线形成于同一金属层中。6.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该第一电源线及第二电源线比该附加电源线宽。7.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：多条信号线，沿该第二方向延伸，其中，该附加电源线和该多条信号线形成在同一金属层中，并在该第一电源线和该第二电源线之间以固定间距排列。8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该附加电源线与该第一电源线通过该多条信号线的其中一条信号线隔开。9.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体基板；逻辑单元，包括：在该半导体基板上方的第一有源区中的至少一个第一晶体管，并且该至少一个第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一闸电极；在该半导体基板上方的第二有源区中的至少一个第二晶体管，其中该至少一个第二晶体管和该至少一个第一晶体管共享该第一闸电极；第二闸电极和第三闸电极，位于该第一晶体管的相对两侧并沿该第一方向
延伸；以及第四闸电极和第五闸电极，位于该第二晶体管的相对两侧并沿该第一方向延伸；第一电源线，沿第二方向延伸，其中该第二方向垂直于第一方向；第二电源线，沿该第二方向延伸，其中该逻辑单元由该第一电源线和该第二电源线包围，该第一电源线与该第二电源线电性分离；以及第一附加电源线，在该第二方向上延伸并位于该第一有源区上方，其中该第四栅极结构与该第二栅极结构电性分离，该第五栅极结构与该第三栅极结构电性分离，其中，该第二闸电极和该第三闸电极通过该第一附加电源线电连接到该第一电源线。10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，在该第一方向上，该第二闸电极、该第三闸电极、该第四闸电极及该第五闸电极短于该第一闸电极。11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该第二方向上，该第二闸电极、第三闸电极、第...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢贺捷，池其辉，蔡行易，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：