一种复合纳米金刚石薄膜电子发射阴极的制备方法技术

本发明专利技术涉及冷光源、信息显示及半导体电子技术领域，公开了一种复合纳米金刚石薄膜电子发射阴极的制备方法，包括下列步骤：ａ．制备复合纳米金刚石浆料；ｂ．丝网印刷制备复合纳米金刚石薄膜；ｃ．印刷后的热烧结处理；ｄ．热烧结后等离子体处理；ｅ．在导电衬底上引出阴极电极即可。本发明专利技术制备的复合纳米金刚石薄膜电子发射阴极具有电子发射效率高、稳定性高、使用寿命长，工作温度范围大等优点，可用于制作极地考察、航空航天等的恶劣工作环境的节能冷光源、显示器、传感器、半导体电子源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及冷光源、信息显示及半导体电子
，特别涉及一种复 合纳米金刚石薄膜电子发射阴极的制备方法，该电子发射阴极可用于制作极 地考察、航空航天等的恶劣工作环境的节能冷光源、显示器、传感器、半导 体电子源。
技术介绍
金刚石晶体具有自然界已有物质中最高的硬度、它的莫氏硬度为10。金刚石的熔点为4ooo°c;它还具有很高的热导率，天然n类金刚石室温下的导热率为26W/(CM"K)，是铜的5倍。天然I类金刚石室温下的导热率为9W/(CM K)，人造优质单晶金刚石室温下的导热率为18 20W/(CM K), —般有缺 陷的人造单晶金刚石室温下的导热率为4.5 6.5W/(CM* K)，而一般的人造 多晶金刚石室温下的导热率为4 10W/(CM* K)。金刚石禁带宽度数值为 5.3 5.5eV，介电常数er为5.58土0.03，天然金刚石的电阻率为1010Q CM， 天然II类金刚石室温下的电阻率为1 108Q' CM，其硼的受主能级位于价带 之上约0.37eV，具有很高的饱和载流子速度。金刚石的击穿场强高达100X 105V/cm。金刚石具有很好的化学稳定性，耐酸耐腐蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合纳米金刚石薄膜电子发射阴极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：　ａ、分别研磨纳米金刚石和纳米石墨，散开其团聚体，然后将纳米石墨、纳米金刚石、乙基纤维素按重量比２∶５∶６－２∶７∶９的比例混合作为溶质；　ｂ、按重量比１∶ ４至１∶２的比例将溶质加入松油醇溶剂中，超声分散６－９小时，再在３８０－４００Ｋ下加热搅拌，再次过４００－４５０目筛后，自然冷却至室温，得纳米金刚石浆料待用；　ｃ、选择３００－４００目的金属丝网或涤纶丝网，丝网印刷纳米金刚石浆料在导电 衬底上，然后热烧结处理；　ｄ、热烧结处理时，先升温至３３０－３５０Ｋ后保持１０－１５分钟，再升温至４０...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张秀霞，魏舒怡，卢秉恒，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]