光罩组件及半导体结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种光罩组件以及半导体结构的制备方法，光罩组件包括第一光罩和第二光罩。第一光罩具有多个第一图形，多个第一图形呈多行多列间隔排布。各行第一图形均包括多个沿第一方向间隔排布的第一图形。相邻两行第一图形错位排布。第二光罩具有多个第二图形，多个第二图形呈多行多列间隔排布。各行第二图形均包括多个沿第一方向间隔排布的第二图形。相邻两行第二图形错位排布。第二光罩与第一光罩叠置时，多行第二图形与多行第一图形沿第二方向交替间隔排布，并且各行第二图形在第一光罩表面的正投影与相邻两行第一图形沿第二方向的间距不等。本发明专利技术可以实现图形制程进一步微缩。缩。缩。

【技术实现步骤摘要】
光罩组件及半导体结构的制备方法


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种光罩组件及半导体结构的制备方法。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，简称DRAM）由多个存储单元构成，每个存储单元包括电容和晶体管。晶体管的栅极与字线（word line，简称WL）连接，晶体管的漏极与位线（bitline，简称BL）连接，晶体管的源极与电容连接。其中，位线通过位线接触结构与晶体管连接，位线接触结构基于图形化掩膜层形成。
[0003]图形化掩膜层包括采用光刻技术形成的图形阵列。随着半导体技术的发展，位线接触结构的尺寸和间距需要不断缩小，因此要求图形阵列中图形的尺寸和间距相应缩小。然而，光刻技术的精度存在瓶颈，难以实现图形制程的进一步微缩。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对现有技术中的难以实现图形制程进一步微缩的问题提供一种光罩组件及半导体结构的制备方法。
[0005]为了实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种光罩组件，所述光罩组件包括：第一光罩，具有多个第一图形，多个所述第一图形呈多行多列间隔排布；各行所述第一图形均包括多个沿第一方向间隔排布的所述第一图形；相邻两行所述第一图形错位排布；第二光罩，具有多个第二图形，多个所述第二图形呈多行多列间隔排布；各行所述第二图形均包括多个沿第一方向间隔排布的所述第二图形；相邻两行所述第二图形错位排布；所述第二光罩与所述第一光罩叠置时，多行所述第二图形与多行所述第一图形沿第二方向交替间隔排布，所述第二方向与所述第一方向相交，并且各行所述第二图形在所述第一光罩表面的正投影与相邻两行所述第一图形沿所述第二方向的间距不等。
[0006]第二方面，本专利技术还提供了一种半导体结构的制备方法，所述半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于所述衬底上形成由下至上叠置的第一掩膜叠层及牺牲层；提供如第一方面提供的光罩组件；基于所述第一光罩在所述牺牲层内形成多个第一开口图形，多个所述第一开口图形呈多行多列间隔排布；各行所述第一开口图形均包括多个沿所述第一方向间隔排布的所述第一开口图形；相邻两行所述第一开口图形错位排布；基于所述第二光罩在所述牺牲层内形成多个第二开口图形，多个所述第二开口图形呈多行多列间隔排布；各行所述第二开口图形均包括多个沿所述第一方向间隔排布的所
述第二开口图形；相邻两行所述第二开口图形错位排布；多行所述第二开口图形与多行所述第一开口图形沿所述第二方向交替间隔排布，所述第二方向与所述第一方向相交；各行所述第二开口图形与相邻两行所述第一开口图形沿所述第二方向的间距不等；于所述第一开口图形及所述第二开口图形内均形成第一填充柱，并去除所述牺牲层；于所述第一填充柱之间形成初始第三开口图形转移层；去除部分所述初始第三开口图形转移层以形成第三开口图形，所述第三开口图形位于所述第二开口图形与相邻两行所述第一开口图形中沿所述第二方向间距较大的一行所述第一开口图形和所述第二开口图形之间；去除所述第一填充柱以释放所述第一开口图形及所述第二开口图形，形成图形转移层；基于所述图形转移层刻蚀所述第一掩膜叠层，以将所述第一开口图形、所述第二开口图形及所述第三开口图形转移至所述第一掩膜叠层内；于转移至所述第一掩膜叠层内的所述第一开口图形、所述第二开口图形及所述第三开口图形中填充第二填充柱；基于所述第二填充柱刻蚀所述第一掩膜叠层，以得到图形化掩膜层，所述图形化掩膜层包括多个与所述第二填充柱一一对应的柱状结构；基于所述图形化掩膜层刻蚀所述衬底，以于所述衬底内形成沟槽。
[0007]本专利技术的光罩组件及半导体结构的制备方法具有如下有益效果：本专利技术的光罩组件包括第一光罩和第二光罩，同一光罩中相邻两个图形之间的距离可以进一步增大（同一光罩中相邻两个图形之间的距离可以达到图形阵列中相邻两个图形之间的最近距离的三倍），进而实现图形制程的进一步微缩。
[0008]本专利技术的半导体结构的制备方法，在不增加曝光次数的情况下实现了图形制程的进一步微缩，与基于光罩形成开口图形相比，减少了曝光次数，降低了实现成本。
附图说明
[0009]图1为一实施例中提供的光罩组件的应用环境图；图2为相关技术中提供的光罩组件的结构示意图；图3为一实施例中提供的光罩组件的结构示意图；图4为一实施例中提供的一种半导体结构的制备方法的流程图；图5为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S401所得结构的剖面图；图6为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S402所得结构的剖面图；图7为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S404所得结构的示意图，图7中（a）为俯视图，（b）为（a）中XX
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方向的剖面图；图8为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S405所得结构的示意图，图8中（a）为俯视图，（b）为（a）中XX
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方向的剖面图；图9为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S406所得结构的示意图，图9中（a）为俯视图，（b）为（a）中XX
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方向的剖面图；图10为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S407所得结构的示意图，
图10中（a）为俯视图，（b）为（a）中XX
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方向的剖面图；图11为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S408所得结构的示意图，图11中（a）为俯视图，（b）为（a）中XX
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方向的剖面图；图12为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S409所得结构的示意图，图12中（a）为俯视图，（b）为（a）中XX
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方向的剖面图；图13为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S410所得结构的示意图，图13中（a）为俯视图，（b）为（a）中XX
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方向的剖面图；图14为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S411所得结构的示意图，图14中（a）为俯视图，（b）为（a）中XX
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方向的剖面图；图15为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S412所得结构的示意图，图15中（a）为俯视图，（b）为（a）中XX
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方向的剖面图；图16为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S404的流程图；图17为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1601所得结构的剖面图；图18为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1602所得结构的剖面图；图19为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1603所得结构的示意图，图19中（a）为俯视图，（b）为（a）中XX
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方向的剖面图；图20为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1604所得结构的剖面图；图21为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S405的流程图；图22为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S2101所得结构的剖面图；图23为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S2102所得结构的剖面图；图24为一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光罩组件，其特征在于，所述光罩组件包括：第一光罩，具有多个第一图形，多个所述第一图形呈多行多列间隔排布；各行所述第一图形均包括多个沿第一方向间隔排布的所述第一图形；相邻两行所述第一图形错位排布；第二光罩，具有多个第二图形，多个所述第二图形呈多行多列间隔排布；各行所述第二图形均包括多个沿第一方向间隔排布的所述第二图形；相邻两行所述第二图形错位排布；所述第二光罩与所述第一光罩叠置时，多行所述第二图形与多行所述第一图形沿第二方向交替间隔排布，所述第二方向与所述第一方向相交，并且各行所述第二图形在所述第一光罩表面的正投影与相邻两行所述第一图形沿所述第二方向的间距不等。2.根据权利要求1所述的光罩组件，其特征在于，所述第二光罩与所述第一光罩叠置时，奇数行的所述第二图形在所述第一光罩表面的正投影，与最邻近的奇数行的所述第一图形沿所述第二方向的间距小于与最邻近的偶数行的所述第一图形沿所述第二方向的间距；偶数行的所述第二图形在所述第一光罩表面的正投影，与最邻近的偶数行的所述第一图形沿所述第二方向的间距小于与最邻近的奇数行的所述第一图形沿所述第二方向的间距。3.根据权利要求2所述的光罩组件，其特征在于，所述第二光罩与所述第一光罩叠置时，奇数行的所述第二图形在所述第一光罩表面的正投影，与最邻近的奇数行的所述第一图形错位排布，且奇数行的所述第二图形在所述第一光罩表面的正投影的中心与最邻近的偶数行的所述第一图形的中心沿所述第二方向上共线；偶数行的所述第二图形在所述第一光罩表面的正投影，与最邻近的偶数行的所述第一图形错位排布，且偶数行的所述第二图形在所述第一光罩表面的正投影的中心与最邻近的奇数行的所述第一图形的中心沿所述第二方向上共线。4.根据权利要求3所述的光罩组件，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向相垂直，所述第二光罩与所述第一光罩叠置时，奇数行的所述第二图形在所述第一光罩表面的正投影的中心，位于最邻近的奇数行中相邻两所述第一图形的沿所述第二方向延伸的对称轴上；偶数行的所述第二图形在所述第一光罩表面的正投影的中心，位于最邻近的偶数行中相邻两所述第一图形的沿所述第二方向延伸的对称轴上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的光罩组件，其特征在于，所述第一图形的形状与所述第二图形的形状相同，所述第一图形的尺寸与所述第二图形的尺寸相同；且P1=2.32
×
P
wl
，P2=3.15
×
P
wl
~3.25
×
P
wl
，P1为同一行相邻两个所述第一图形之间的距离或者同一行相邻两个所述第二图形之间的距离，P2为相邻两行的相邻两个所述第一图形之间的距离或者相邻两行的相邻两个所述第二图形之间的距离，P
wl
为相邻两条字线之间的距离。6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于所述衬底上形成由下至上叠置的第一掩膜叠层及牺牲层；提供如权利要求1至5中任一项所述的光罩组件；基于所述第一光罩在所述牺牲层内形成多个第一开口图形，多个所述第一开口图形呈多行多列间隔排布；各行所述第一开口图形均包括多个沿所述第一方向间隔排布的所述第一开口图形；相邻两行所述第一开口图形错位排布；
基于所述第二光罩在所述牺牲层内形成多个第二开口图形，多个所述第二开口图形呈多...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹新满，吴耆贤，黄炜，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：