光掩膜版及其制作方法技术

一种光掩膜版及其制作方法，所述光掩膜版，包括：透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；位于所述透明基板的第一表面上的若干分立的遮蔽图形；当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面还具有线性菲涅尔透镜结构，所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸。本申请能将两遮蔽图形之间偏大的间距或偏小的间距得以修复。距得以修复。距得以修复。

【技术实现步骤摘要】
光掩膜版及其制作方法


[0001]本申请涉及光掩膜版领域，尤其涉及一种能修复异常尺寸或异常间距的光掩膜版及其制作方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺是集成电路制造工艺中不可或缺的重要技术。光刻工艺通常包括步骤：先在晶圆表面涂布光刻胶等感光材料，在光刻胶材料干燥后，通过曝光机将光掩模版上的掩模图形以特定光源曝在所述的光刻胶感光材料上，随后，再以显影剂将光刻胶感光材料显影，在晶圆表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形在后续进行离子注入工艺或刻蚀工艺时作为掩膜图形。
[0003]现有的光掩膜版一般包括：透明基板；位于所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形(或掩膜图形)；位于所述透明基板表面上的环形框架，所述环形框架包围所述遮蔽图形；位于所述环形框架顶部表面的保护膜，所述保护膜和环形框架用于密封所述光掩膜版。
[0004]然而，光掩膜版制作过程中很容易在形成的光掩模版中引入缺陷，这些缺陷导致光掩膜版中图形存在误差，例如错误尺寸缺陷(miss sizedefect)，具体为两相邻的遮蔽图形之间的间距偏大或偏小，因此需要对光罩上的缺陷进行修复，以减少光掩膜版中的图形误差，并获得合乎设计要求的光掩膜版。

技术实现思路

[0005]本申请一些实施例提供了一种光掩膜版的制作方法，包括：
[0006]提供透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
[0007]在所述透明基板的第一表面上形成若干分立的遮蔽图形；
[0008]当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面形成线性菲涅尔透镜结构，所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸。
[0009]在一些实施例中，所述异常包括相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，或者相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值。
[0010]在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值时，所述形成的线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凸透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚成正常尺寸。
[0011]在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
[0012]在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，所述形成的线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凹透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后发散成正常尺寸。
[0013]在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
[0014]在一些实施例中，所述线性菲涅尔透镜结构为直接对间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面进行处理后形成。
[0015]在一些实施例中，通过飞秒激光刻蚀工艺或者电子束刻蚀工艺对所述透明基板的第一表面进行处理后形成所述线性菲涅尔透镜结构。
[0016]本申请一些实施例还提供了一种光掩膜版，包括：
[0017]透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
[0018]位于所述透明基板的第一表面上的若干分立的遮蔽图形；
[0019]当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面还具有线性菲涅尔透镜结构，所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸。
[0020]在一些实施例中，所述异常包括相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，或者相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值。
[0021]在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值时，所述线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凸透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚成正常尺寸。
[0022]在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
[0023]在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，所述线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凹透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后发散成正常尺寸。
[0024]在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
[0025]在一些实施例中，还包括：位于所述透明基板的第一表面的边缘区域上的环绕所述遮蔽图形的环形框架；位于所述环形框架的顶部表面封闭所述环形框架内空间的保护膜。
[0026]本申请前述一些实施例中的光掩膜版，包括：透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；位于所述透明基板的第一表面上的若干分立的遮蔽
图形；当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面还具有线性菲涅尔透镜结构，所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸。当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，由于在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面具有线性菲涅尔透镜结构，通过所述线性菲涅尔透镜结构将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸，从而使得所述两遮蔽图形之间偏大的间距或偏小的间距得以修复。
附图说明
[0027]图1
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图15为本申请一些实施例中光掩膜版制作过程的结构示意图。
具体实施方式
[0028]下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在详述本申请实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请的保护范围。此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：提供透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述透明基板的第一表面上形成若干分立的遮蔽图形；当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面形成线性菲涅尔透镜结构，所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸。2.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述异常包括相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，或者相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值。3.如权利要求2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值时，所述形成的线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凸透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚成正常尺寸。4.如权利要求3所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。5.如权利要求2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，所述形成的线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凹透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后发散成正常尺寸。6.如权利要求5所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。7.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述线性菲涅尔透镜结构为直接对间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面进行处理后形成。8.如权利要求7所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，通过飞秒激光刻蚀工艺或者...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁耀亮，
申请(专利权)人：睿晶半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：