一种半导体芯片的掩膜版结构及半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体芯片的掩膜版结构及半导体器件，掩膜版结构包括：掩膜版主体，开设多个通孔，多个所述通孔呈矩形阵列布置；多个线边图形，设置于每个所述通孔的矩形边处；多个拐角图形，设置于每个所述通孔的矩形直角处；其中，每个所述通孔的外侧，所述线边图形和所述拐角图形形成第一包围结构，两个相邻所述通孔共用或不共用所述第一包围结构的一边。本发明专利技术在掩膜版上的集成电路图案通过曝光转移至晶圆的光刻胶层时，可提高对光学邻近效应的修正。修正。修正。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片的掩膜版结构及半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体芯片领域，特别是涉及一种半导体芯片的掩膜版结构及半导体器件。

技术介绍

[0002]在半导体芯片器件的制程过程中，为了将掩膜版上的集成电路图案转移到晶圆的光刻胶层上，需要对掩膜版进行曝光处理。在对掩膜版上的集成电路图案进行曝光处理时，由于光学临近效应的影响，通孔部分在转移至晶圆的光刻胶层时会发生变形。并且随着电路密度的增加、电子器件生产工艺线宽的减小，通孔部分在转移至光刻胶层时产生的变形越加明显。因此，存在待改进之处。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体芯片的掩膜版结构及半导体器件，用于改善现有技术中通孔部分在曝光转移至晶圆光刻胶层时产生的变形明显的问题。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种半导体芯片的掩膜版结构，包括：掩膜版主体，开设多个通孔，多个所述通孔呈矩形阵列布置；多个线边图形，设置于每个所述通孔的矩形边处；多个拐角图形，设置于每个所述通孔的矩形直角处；其中，每个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的掩膜版结构，其特征在于，包括：掩膜版主体，开设多个通孔，多个所述通孔呈矩形阵列布置；多个线边图形，设置于每个所述通孔的矩形边处；多个拐角图形，设置于每个所述通孔的矩形直角处；其中，每个所述通孔的外侧，所述线边图形和所述拐角图形形成第一包围结构，两个相邻所述通孔共用或不共用所述第一包围结构的一边。2.根据权利要求1所述的半导体芯片的掩膜版结构，其特征在于，当两个相邻所述通孔共用所述第一包围结构的一边时，在每个所述通孔中，所述通孔的中心与所述第一包围结构的中心相同。3.根据权利要求1所述的半导体芯片的掩膜版结构，其特征在于，当两个相邻所述通孔共用所述第一包围结构的一边时，在每个所述通孔外侧的所述第一包围结构中，所述线边图形和所述拐角图形呈矩形状。4.根据权利要求1所述的半导体芯片的掩膜版结构，其特征在于，当两个相邻所述通孔共用所述第一包围结构的一边时，在两个相邻所述通孔中，两个所述通孔的中心、两个所述通孔共用所述线边图形的中心位于同一直线上。5.根据权利要求1所述的半导体芯片的掩膜版结构，其特征在于，所述通孔的长度为L0，所述通孔的宽度为W0，所述拐角图形的长度为L1，所述拐角图形的宽度为W1，所述线边图形的长度为L2，所述线边图形的宽度为W2，满足：L1＜L0＜L2，W2＜W1＜W0。6.根据权利要求1所述的半导体芯片的掩膜版结构，其特征在于，当两个相邻所述通孔不共用所述第一包围结构的一边时，半导体芯片的掩膜版结构还包括：多个线条图形，设置于每个所述通孔对应所述线边图形的外侧；其中，每个所述第一包围结构的外侧，所述线条图形形成第二包围结构。7.根据权利要求6所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，郑志成，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：