【技术实现步骤摘要】
真空处理装置的清洁方法
[0001]本专利技术涉及真空处理装置的清洁方法,更具体而言,涉及可不使清洁时长超过或不足地检测清洁的终点的方法。
技术介绍
[0002]例如,在热CVD装置、等离子体CVD装置、蚀刻装置和灰化装置这类真空处理装置中,如果重复在真空室内对被处理物的真空处理(尤其是使用等离子体的成膜处理、蚀刻处理等)的话,则反应生成物和副反应物(下称“附着物)也会在包括被处理物以外的防附着板、台架或簇射极板这类位于真空室内的部件表面在内的真空室内的局部上附着、堆积。这样的附着物例如由于可能会成为粒子的发生源而阻碍良好的真空处理,因此通常会在真空气氛中实施去除附着物的清洁。作为清洁方法,向真空气氛的真空室内导入根据附着物而选择的清洁气体,并激励清洁气体从而产生等离子体。然后,通常是使等离子体中的离子和自由基与附着物发生反应而成为反应生成气体,通过真空泵进行真空排气,从真空室内去除。
[0003]此处,因为出于暂停真空处理(生产)而恢复到真空室内的最佳处理环境的目的而周期性地实施上述清洁,所以对生产效率影响很大。假 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种真空处理装置的清洁方法,其包含在下述期间,即在向真空气氛的真空室内以固定的流量连续导入根据附着在真空室内的局部上的附着物选择的清洁气体,激励清洁气体而产生等离子体,使等离子体中的离子、自由基与附着物发生反应成为反应生成气体,通过真空泵以固定的排气速度连续地对该反应生成气体进行真空排气的期间,检测清洁的终点的工序,其特征在于:测量随着等离子体中的离子、自由基和附着物之间的反应而变化的真空室内的状态量,将真空室内设置的皮拉尼真空计的压力指示值作为该状态量,以每单位时间测量的状态量作为第一样本,根据该第一样本分别求出回归直线,以依次求出的回归直线的斜率作为第二...
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