处理设备和晶圆处理方法技术

本申请公开了一种处理设备和晶圆处理方法。处理设备包括主体和升降机构。主体具有处理腔、传片通道以及安装腔。升降机构设置于安装腔，升降机构包括可移动的遮挡件。其中，处理腔的侧壁设置有传片口，传片通道通过传片口与处理腔连通。安装腔与传片通道连通，遮挡件选择性地伸入传片通道内。遮挡件伸入时，遮挡件遮挡传片通道，封闭处理腔。通过上述方式，本申请能够提高处理设备对晶圆的处理质量。请能够提高处理设备对晶圆的处理质量。请能够提高处理设备对晶圆的处理质量。

【技术实现步骤摘要】
处理设备和晶圆处理方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及处理设备和晶圆处理方法。

技术介绍

[0002]晶圆是制作硅半导体电路所用的硅晶片。在晶圆制造的过程当中，会对晶圆进行处理。处理后的晶圆可以进行后续的图案化或者蚀刻工序，以获取需要的电路。晶圆采用处理设备进行处理。处理需要将晶圆传片至处理腔进行。相关技术中，由于设备的传片需要，处理设备内还会具有与处理腔连通的传片通道。传片通道形成的空间在真空条件下与附近的其他零件在热场或射频场上存在较大差异。并且传片通道容易堆积颗粒，颗粒可能会在传片过程中或者处理过程中落在晶圆上，造成颗粒污染。所述传片通道会导致晶圆在处理腔内处理的质量下降。

技术实现思路

[0003]本申请的实施例提供处理设备和晶圆处理方法，能够提高处理设备对晶圆的处理质量。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种处理设备。处理设备包括主体和升降机构。主体具有处理腔、传片通道以及安装腔。升降机构设置于安装腔，升降机构包括可移动的遮挡件。其中，处理腔的侧壁设置有传片口，传片通道通过传片口与处理腔连通；安装腔与传片通道连通，遮挡件选择性地伸入传片通道内。遮挡件伸入时，遮挡件遮挡传片通道。
[0005]第二方面，本申请实施例提供一种晶圆处理方法。晶圆处理方法包括：
[0006]将晶圆自传片通道传送至处理腔内。
[0007]控制升降机构的遮挡件上升，遮挡传片通道。
[0008]晶圆在处理腔内进行处理。
[0009]控制遮挡件下降，取消遮挡传片通道。
[0010]将晶圆自传片通道从处理腔内取出。
[0011]本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，升降机构的遮挡件降下时，传片通道与处理腔连通。此时可以进行传片操作，晶圆能够顺利地从传片通道传送至处理腔内。升降机构的遮挡件升起时，能够将传片通道阻挡，封闭传片通道与处理腔的连通。此时可以进行处理操作。通过设置升降机构，使得晶圆在处理腔内进行处理时，遮挡件能够将处理腔与传片通道隔绝，一方面能够使处理腔内热场和射频场的分布更加均匀；另一方面能够减少传片通道中的颗粒进入到处理腔内，以减少对晶圆的颗粒污染。如此，能够提高晶圆处理的均匀性，提高晶圆处理的质量。
附图说明
[0012]图1是本申请处理设备实施例的结构示意图；
[0013]图2是图1所示处理设备中升降机构遮挡件降下的结构示意图；
[0014]图3是图2所示升降机构遮挡件的示意图；
[0015]图4是图2所示升降机构遮挡件升起的示意图；
[0016]图5是图2所示升降机构另一实施例的结构示意图；
[0017]图6是本申请晶圆处理方法的步骤流程示意图。
具体实施方式
[0018]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0019]本申请专利技术人在研究过程中发现，处理设备中，需要将晶圆传输至处理腔中进行处理。处理腔与具有一定的高度与宽度的传片通道连通。传片通道形成的空间在真空条件下与附近的其他零件在热场或射频场上存在较大差异，会影响处理的均匀性，导致处理的质量下降。并且传片通道容易堆积颗粒，颗粒可能会在传片过程中或者处理过程中落在晶圆上，造成颗粒污染，影响晶圆质量。为了改善上述技术问题本申请可以提供以下实施例。
[0020]参阅图1，本申请处理设备1实施例描述处理设备1的一种示例性结构。处理设备1包括主体10。主体10具有处理腔11和传片通道12。传片通道12与处理腔11连通。处理腔11用于对晶圆进行处理，例如对晶圆表面进行薄膜的沉积(镀膜)，或者对晶圆的表面进行刻蚀或预热等。下面均以晶圆表面进行薄膜的沉积为例对处理设备1做出示例性介绍。晶圆能够通过传片通道12从工序前端转移进入到处理腔11内。处理完成的晶圆也能够通过传片通道12转移至工序后端。
[0021]处理设备1还包括加热器111以及喷淋板113。加热器111可移动地设置于处理腔11内。加热器111能够承载晶圆，并对晶圆进行加热，以满足气相沉积的工艺条件。加热器111可以在处理腔11内移动或者转动。从而能够使晶圆处于处理腔11内不同的位置，以满足不同的工艺条件。
[0022]主体10还设置有气相通道112，处理设备1在对晶圆进行处理时，需要通过气相通道112向处理腔11内输入气相原料(或称之为前体)，该气相原料以气体的形式吹向晶圆。加热器111上方还设置有喷淋板113，气相通道112位于喷淋板113上方。气相原料经气相通道112进入处理腔11后，能够通过喷淋板113进行分流，从而使气相原料能够较为均匀地吹向晶圆。
[0023]气相原料在处理腔11内进行流动，从而使晶圆表面能够通过流动的气相原料沉积具有一定厚度的薄膜。主体10还设置有抽气通道15，抽气通道15用于与气泵连接。处理腔11的侧壁设置有连通抽气通道15的抽气孔16。通过抽气通道15和抽气孔16，进入处理腔11内的气相原料在晶圆表面沉积反应之后能够在气泵负压的作用下流动至抽气通道15，从而使处理腔11内的气相原料能够流动。进一步地，抽气通道15呈环状设置。与抽气通道15连通的抽气孔16设置于加热器111周侧的处理腔11的侧壁。并且，气相通道112位于加热器111几何中心的正上方。如此设置，能够使气相材料能够在流动至晶圆后，气相材料能够均匀地以晶圆几何中心向外呈放射状的流动，从而使气相材料能够均匀地与晶圆表面接触，以增加处理的均匀性。
[0024]结合图1和图2，所述处理设备1还包括升降机构20。所述主体10还设置有安装腔13。处理腔11的侧壁设置有传片口14，传片通道12通过传片口14与处理腔11连通。安装腔13与传片通道12连通。升降机构20设置于安装腔13。升降机构20包括可移动的遮挡件21。遮挡件21选择性地伸入传片通道12内。遮挡件21伸入时，遮挡件21遮挡传片通道12。
[0025]具体而言，升降机构20的遮挡件21降下时，传片通道12与处理腔11连通。此时可以进行传片操作，晶圆能够顺利地从传片通道12传送至处理腔11内。升降机构20的遮挡件21升起时，能够将传片通道12阻挡，封闭传片通道12与处理腔11的通路。此时可以进行气相沉积镀膜等处理操作。通过设置升降机构20，使得晶圆在处理腔11内进行处理时，遮挡件21能够将处理腔11与传片通道12隔绝，能够减少传片通道12中的颗粒进入到处理腔11内，以减少对晶圆的颗粒污染。
[0026]相关技术中，由于处理腔11与传片通道12连通，会使处理腔11内的热量以及射频分布至传片通道12内，导致处理腔11内的热场和射频场分布不均匀，进而导致晶圆处理质量下降。本申请通过设置遮挡件21将处理腔11与传片通道12隔绝，从而使减少处理腔11内的热场和射频场本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理设备，其特征在于，包括：主体，所述主体具有处理腔、传片通道以及安装腔；升降机构，所述升降机构设置于所述安装腔，所述升降机构包括可移动的遮挡件；其中，所述处理腔的侧壁设置有传片口，所述传片通道通过所述传片口与所述处理腔连通；所述安装腔与所述传片通道连通，所述遮挡件选择性地伸入所述传片通道内；所述遮挡件伸入时，所述遮挡件遮挡所述传片通道。2.根据权利要求1所述的处理设备，其特征在于：所述遮挡件伸入所述传片通道时，所述遮挡件覆盖所述传片口，以封闭所述传片口。3.根据权利要求2所述的处理设备，其特征在于：所述处理腔的外壁呈圆柱状设置，所述遮挡件呈弧形设置，所述遮挡件覆盖所述传片口时，所述遮挡件与所述处理腔外壁抵接。4.根据权利要求3所述的处理设备，其特征在于：所述遮挡件呈圆弧形设置，所述遮挡件的圆心角为90
°‑
160
°
。5.根据权利要求1所述的处理设备，其特征在于：所述升降机构包括第一端板，所述第一端板设置于所述安装腔，所述遮挡件设置于所述第一端板靠近所述传片通道的一侧。6.根据权利要求5所述的处理设备，其特征在于：所述第一端板设置于所述安装腔与所述传片通道的连通处，以将所述安装腔与所述传片通道间隔。7.根据权利要求5所述的处理设备，其特征在于：所述升降机构还包括支撑柱，所述支撑柱滑动穿设于所述第一端板，所述遮挡件安装于所述支撑柱靠近所述传片通道的一端；所述升降机构还包括驱动装置，所述驱动装置的驱动轴与所述支撑柱连接。8.根据权利要求7所述的处理设备，其特征在于：所述升降机构还包括第二端板、导柱和滑动件，导柱设置于所述第一端板和所述第二端板之间；所述滑动件滑动设置于所述导柱，所述支撑柱与所述滑动件固定连接，所述驱动装置与所述滑动件驱动连接。9.根据权利要求8所述的处理设备，其特征在于：所述驱动装置设置于所述第一端板与所述滑动件之间，所述滑动件设置有容置槽，所述驱动装置与所述容置槽的底部连接；所述遮挡件伸入所述传片通道时，所述驱动装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：周仁，荒见淳一，安超，柴智，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：