【技术实现步骤摘要】
处理设备和晶圆处理方法
[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及处理设备和晶圆处理方法。
技术介绍
[0002]晶圆是制作硅半导体电路所用的硅晶片。在晶圆制造的过程当中，会对晶圆进行处理。处理后的晶圆可以进行后续的图案化或者蚀刻工序，以获取需要的电路。晶圆采用处理设备进行处理。处理需要将晶圆传片至处理腔进行。相关技术中，由于设备的传片需要，处理设备内还会具有与处理腔连通的传片通道。传片通道形成的空间在真空条件下与附近的其他零件在热场或射频场上存在较大差异。并且传片通道容易堆积颗粒，颗粒可能会在传片过程中或者处理过程中落在晶圆上，造成颗粒污染。所述传片通道会导致晶圆在处理腔内处理的质量下降。
技术实现思路
[0003]本申请的实施例提供处理设备和晶圆处理方法，能够提高处理设备对晶圆的处理质量。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种处理设备。处理设备包括主体和升降机构。主体具有处理腔、传片通道以及安装腔。升降机构设置于安装腔，升降机构包括可移动的遮挡件。其中，处理腔的侧壁设置有传片口，传片通...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种处理设备，其特征在于，包括：主体，所述主体具有处理腔、传片通道以及安装腔；升降机构，所述升降机构设置于所述安装腔，所述升降机构包括可移动的遮挡件；其中，所述处理腔的侧壁设置有传片口，所述传片通道通过所述传片口与所述处理腔连通；所述安装腔与所述传片通道连通，所述遮挡件选择性地伸入所述传片通道内；所述遮挡件伸入时，所述遮挡件遮挡所述传片通道。2.根据权利要求1所述的处理设备，其特征在于：所述遮挡件伸入所述传片通道时，所述遮挡件覆盖所述传片口，以封闭所述传片口。3.根据权利要求2所述的处理设备，其特征在于：所述处理腔的外壁呈圆柱状设置，所述遮挡件呈弧形设置，所述遮挡件覆盖所述传片口时，所述遮挡件与所述处理腔外壁抵接。4.根据权利要求3所述的处理设备，其特征在于：所述遮挡件呈圆弧形设置，所述遮挡件的圆心角为90
°‑
160
°
。5.根据权利要求1所述的处理设备，其特征在于：所述升降机构包括第一端板，所述第一端板设置于所述安装腔，所述遮挡件设置于所述第一端板靠近所述传片通道的一侧。6.根据权利要求5所述的处理设备，其特征在于：所述第一端板设置于所述安装腔与所述传片通道的连通处，以将所述安装腔与所述传片通道间隔。7.根据权利要求5所述的处理设备，其特征在于：所述升降机构还包括支撑柱，所述支撑柱滑动穿设于所述第一端板，所述遮挡件安装于所述支撑柱靠近所述传片通道的一端；所述升降机构还包括驱动装置，所述驱动装置的驱动轴与所述支撑柱连接。8.根据权利要求7所述的处理设备，其特征在于：所述升降机构还包括第二端板、导柱和滑动件，导柱设置于所述第一端板和所述第二端板之间；所述滑动件滑动设置于所述导柱，所述支撑柱与所述滑动件固定连接，所述驱动装置与所述滑动件驱动连接。9.根据权利要求8所述的处理设备，其特征在于：所述驱动装置设置于所述第一端板与所述滑动件之间，所述滑动件设置有容置槽，所述驱动装置与所述容置槽的底部连接；所述遮挡件伸入所述传片通道时，所述驱动装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：周仁，荒见淳一，安超，柴智，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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