选定阻带非射频耦合砖与相关的方法和系统技术方案

选定阻带非RF耦合砖包括设置在印刷电路板的第一侧上的接地板。选定阻带非RF耦合砖还包括设置在所述印刷电路板的第二侧上的平面电感器。选定阻带非射频耦合砖还包括延伸穿过所述印刷电路板的导电通孔结构。所述导电通孔结构在所述平面电感器的内部端附近的位置处与所述接地板和所述平面电感器两者电气连接。选定阻带非RF耦合砖用于屏蔽外壳体壁和/或其他电气电路以不受RF场的影响。选定阻带非RF耦合砖还用于封装RF承载部件，以阻挡从RF承载部件发射出的RF场。件发射出的RF场。件发射出的RF场。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】选定阻带非射频耦合砖与相关的方法和系统

技术介绍

[0001]许多工业系统将射频(RF)功率用于各种目的。举例而言，半导体制造工业使用RF功率以产生等离子体而用于各种目的，例如从半导体晶片蚀刻材料、在半导体晶片的沉积材料以及从半导体晶片清洁材料等。承载RF功率的部件经常需要被包围在电气接地的结构内，以避免相关RF场干扰其他邻近电气系统。图1显示出示例性外壳体101，其包括内部区域且RF电路系统103的配置被安装于内部区域中。外壳体101的壁是电气接地的。如果将RF电路系统103设置太接近外壳体101，则从RF电路系统103发出的RF场将会与外壳体101的壁耦合，从而造成RF功率的损失/浪费以及通过RF电路系统103的寄生效应，其可能会影响下游RF设备的性能。因此，必须将RF电路系统103设置在以最小距离102远离外壳体的壁，以避免RF功率从RF电路系统103至外壳体101的壁的不利耦合。不幸的是，避免对外壳体101的壁造成非所期望的RF耦合所需的最小距离102是相当大的，并且需要将外壳体101相应地放大，而这并非总是可行的，特别是在半导体制造设施的限制条件下。此外，在较高RF功率下会使最小距离102增加，以及外壳体101的相应尺寸增加。然而，通常不可能按需增加外壳体101的尺寸以在RF电路系统与外壳体101的壁之间达到最小分隔距离102。因此，由于尺寸限制，许多系统必须因从RF功率RF电路系统103至外壳体101的壁的非所期望的和不可避免的耦合而吸收RF功率的损失/浪费以及管理寄生复杂度。本专利技术正是在此背景下产生的。

技术实现思路

[0002]在示例性实施方案中，公开了选定阻带非RF耦合砖(tile)。该选定阻带非RF耦合砖包括设置在印刷电路板的第一侧上的接地板。该选定阻带非RF耦合砖还包括设置在印刷电路板的第二侧上的平面电感器。该选定阻带非RF耦合砖还包括延伸通过印刷电路板的导电通孔结构。该导电通孔结构在平面电感器的内部端附近的位置处与平面电感器电气连接。该导电通孔结构还与接地板电气连接。
[0003]在示例性实施方案中，公开选定阻带非RF耦合砖的制造方法。该方法包括在印刷电路板的第一侧上设置接地板。该方法还包括形成通过印刷电路板的孔洞。该方法还包括在孔洞内设置导电通孔结构以电气接触接地板。该方法还包括在印刷电路板的第二侧上设置平面电感器。该平面电感器被设置成使得平面电感器在平面电感器的内部端附近的位置处与导电通孔结构电气接触。
[0004]在示例性实施方案中，公开了选定阻带非RF耦合外壳体。该选定阻带非RF耦合外壳体包括由导电材料所形成的外壳体壁。该外壳体壁电气连接至参考接地电位。该外壳体壁具有内部侧和外部侧。该选定阻带非RF耦合外壳体还包括设置在外壳体壁的内部侧上的至少一个选定阻带非RF耦合砖。该至少一个选定阻带非RF耦合砖各自包括设置在相应印刷电路板的第一侧上的相应接地板。该相应接地板被设置成与外壳体壁的内部侧物理和电气接触。该至少一个选定阻带非RF耦合砖还各自包括设置在相应印刷电路板的第二侧上的相应平面电感器。该至少一个选定阻带非RF耦合砖还各自包括相应导电通孔结构，其中导电通孔结构延伸通过相应印刷电路板，并且在相应平面电感器的内部端附近与相应接地板和
相应平面电感器两者电气连接。
[0005]在示例性实施方案中，公开选定阻带非RF耦合外壳体的形成方法。该方法包括提供选定阻带非RF耦合砖，其包括设置在印刷电路板的第一侧上的接地板，以及设置在印刷电路板的第二侧上的平面电感器。该选定阻带非RF耦合砖还包括导电通孔结构，其中导电通孔结构延伸通过印刷电路板，并且在平面电感器的内部端附近与接地板和平面电感器两者电气连接。该方法还包括在外壳体壁的内部侧上设置选定阻带非RF耦合砖，使得选定阻带非RF耦合砖的接地板与外壳体壁的内部侧物理和电气接触。该外壳体壁是由导电材料形成。此外，外壳体壁电气连接参考接地电位。
[0006]在示例性实施方案中，公开了一种RF信号滤波器。该RF信号滤波器包括第一选定阻带非RF耦合砖。该RF信号滤波器还包括第二选定阻带非RF耦合砖。该RF信号滤波器还包括设置在第一选定阻带非RF耦合砖与第二选定阻带非RF耦合砖之间的平面形RF线路滤波器。第一选定阻带非RF耦合砖、第二选定阻带非RF耦合砖和平面形RF线路滤波器一体成形为单一单元。
[0007]在示例性实施方案中，公开了RF信号滤波器的形成方法。该方法包括提供第一选定阻带非RF耦合砖。该方法还包括提供第二选定阻带非RF耦合砖。该方法还包括在第一选定阻带非RF耦合砖与第二选定阻带非RF耦合砖之间设置平面形RF线路滤波器，使得第一选定阻带非RF耦合砖、第二选定阻带非RF耦合砖和平面形RF线路滤波器一体成形为单一单元。
[0008]本专利技术的其他方面和优点将根据下文的详细描述结合附图而变得更加明显，所述附图通过举例的方式来说明本专利技术。
附图说明
[0009]图1显示出示例性的外壳体，其包括内部区域且RF电路系统的配置被安装于内部区域中。
[0010]图2A根据一些实施方案显示了选定阻带非RF耦合砖的俯视图。
[0011]图2B根据一些实施方案显示了选定阻带非RF耦合砖的仰视图。
[0012]图2C根据一些实施方案显示了选定阻带非RF耦合砖的侧视图，对应于图2A中所提及的视图A
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A。
[0013]图2D根据一些实施方案显示了通过选定阻带非RF耦合砖的竖直横截面图，其对应于图2A中所提及的视图B
‑
B。
[0014]图2E根据一些实施方案显示了位于选定阻带非RF耦合砖上的平面电感器的特写竖直横截面图，其对应于图2A中所提及的视图C
‑
C。
[0015]图2F根据一些实施方案显示了选定阻带非RF耦合砖的顶部的等角视图，其中PCB材料是为说明目的而将其移除。
[0016]图3A根据一些实施方案显示了选定阻带非RF耦合砖的俯视图，其包括平面电感器的另一示例，而平面电感器具有正方形螺旋形状。
[0017]图3B根据一些实施方案显示了选定阻带非RF耦合砖的俯视图，其包括平面电感器的另一示例，而平面电感器具有六角形螺旋形状。
[0018]图3C根据一些实施方案显示了选定阻带非RF耦合砖的俯视图，其包括平面电感器
的另一示例，而平面电感器具有八角形螺旋形状。
[0019]图3D根据一些实施方案显示了选定阻带非RF耦合砖的俯视图，其包括平面电感器的另一示例，而平面电感器具有圆形螺旋形状。
[0020]图3E根据一些实施方案显示了选定阻带非RF耦合砖的俯视图，其包括平面电感器的另一示例，而平面电感器具有三角螺旋形状。
[0021]图3F根据一些实施方案显示了选定阻带非RF耦合砖的俯视图，其包括平面电感器的另一示例，而平面电感器具有正方形双螺旋形状。
[0022]图4根据一些实施方案显示了由本公开的选定阻带非RF耦合砖提供的RF场衰减与操作RF频率的函数关系的图表。
[0023本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种选定阻带非射频耦合砖，其包括：接地板，其设置在印刷电路板的第一侧上；平面电感器，其设置在所述印刷电路板的第二侧上；以及导电通孔结构，其延伸穿过所述印刷电路板，所述导电通孔结构在所述平面电感器的内部端附近的位置处与所述接地板和所述平面电感器两者电气连接。2.根据权利要求1所述的选定阻带非射频耦合砖，其中所述平面电感器具有螺旋形状。3.根据权利要求2所述的选定阻带非射频耦合砖，其中所述平面电感器具有由宽度和高度所限定的基本矩形的竖直横截面形状，所述宽度平行于所述印刷电路板测量，所述高度垂直于所述印刷电路板而测量，其中所述宽度落在约0.1毫米延伸至约10毫米的范围内，而所述高度落在约0.05毫米延伸至约3毫米的范围内。4.根据权利要求2所述的选定阻带非射频耦合砖，其中所述平面电感器包括落在约2匝延伸至约50匝的范围内的匝数。5.根据权利要求4所述的选定阻带非射频耦合砖，其中在所述平面电感器的相邻匝之间平行于所述印刷电路板而测量的间隔落在约0.1毫米延伸至约5毫米的范围内。6.根据权利要求2所述的选定阻带非射频耦合砖，其中所述平面电感器的所述螺旋形状为正方形螺旋形状。7.根据权利要求2所述的选定阻带非射频耦合砖，其中所述平面电感器的所述螺旋形状为六角螺旋形状、八角螺旋形状、圆形螺旋形状、矩形螺旋形状或三角螺旋形状中的任一者。8.根据权利要求1所述的选定阻带非射频耦合砖，其中所述平面电感器的形状和尺寸被设置成避免特定射频带内的选定带射频信号与所述接地板耦合。9.根据权利要求1所述的选定阻带非射频耦合砖，其中所述接地板、所述平面电感器和所述导电通孔结构由铜形成，且其中所述印刷电路板由FR
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4玻璃环氧树脂形成。10.根据权利要求1所述的选定阻带非射频耦合砖，其中所述接地板的与所述平面电感器重叠的面积百分比落在约30％延伸至约100％的范围内。11.根据权利要求1所述的选定阻带非射频耦合砖，其中所述印刷电路板的厚度落在约1毫米延伸至约6毫米的范围内。12.一种射频信号滤波器，其包括：第一选定阻带非射频耦合砖；第二选定阻带非射频耦合砖；以及平面形射频线路滤波器，其设置在所述第一选定阻带非射频耦合砖与所述第二选定阻带非射频耦合砖之间，其中所述第一选定阻带非射频耦合砖、所述第二选定阻带非射频耦合砖和所述平面形射频线路滤波器一体成形为单一单元。13.根据权利要求12所述的射频信号滤波器，其中所述第一选定阻带非射频耦合砖和所述第二选定阻带非射频耦合砖中的每一者包括被设置在相应印刷电路板的第一侧上的相应接地板，所述第一选定阻带非射频耦合砖和所述第二选定阻带非射频耦合砖中的每一者包括被设置在所述相应印刷电路板的第二侧上的相应平面电感器，所述第一选定阻带非射频耦合砖和所述第二选定阻带非射频耦合砖中的每一者包括相应导电通孔结构，所述相
应导电通孔结构延伸通过所述相应印刷电路板，并且在所述相应平面电感器的内部端附近的位置处与所述相应接地板和所述相应平面电感器两者电气连接。14.根据权利要求13所述的射频信号滤波器，其中将所述第一选定阻带非射频耦合砖的所述相应平面电感器进行定向以面向所述平面形射频线路滤波器，以及将所述第二选定阻带非射频耦合砖的所述相应平面电感器进行定向以面向所述平面形射频线路滤波器。15.根据权利要求14所述的射频信号滤波器，其还包括：第一厚度的印刷电路板材料，其设置在所述第一选定阻带非射频耦合砖的所述相应平面电感器与所述平面形射频线路滤波器之间；以及第二厚度的印刷电路板材料，其设置在所述第二选定阻带非射频耦合砖的所述相应平面电感器与所述平面形射频线路滤波器之间。16.根据权利要求15所述的射频信号滤波器，其中所述印刷电路板材料的所述第一厚度与所述印刷电路板材料的所述第二厚度是基本相等的。17.根据权利要求15所述的射频信号滤波器，其中所述第一选定阻带非射频耦合砖的所述相应印刷电路板的厚度大于或等于所述印刷电路板材料的所述第一厚度，且其中所述第二选定阻带非射频耦合砖的所述相应印刷电路板的厚度大于或等于所述印刷电路板材料的所述第二厚度。18.根据权利要求15所述的射频信号滤波器，其中所述平面形射频线路滤波器包括平面螺旋形电感器，所述平面螺旋形电感器具有位于所述射频信号滤波器的第一边缘处的电气输入，以及位于所述射...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏尼尔，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：