电子装置的复合层电路结构的制造方法制造方法及图纸

技术编号:37809020 阅读:29 留言:0更新日期:2023-06-09 09:39
本揭露提供一种电子装置的复合层电路结构的制造方法,包括以下步骤。首先,在载板上形成第一导电层。接着,在第一导电层上形成第一光致抗蚀剂层,其中第一光致抗蚀剂层包括暴露出部分的第一导电层的多个第一开口。再来,在多个第一开口中形成第一电镀层。然后,移除第一光致抗蚀剂层。之后,在第一导电层上形成第一绝缘层,其中第一绝缘层包括暴露出部分的第一电镀层的多个第二开口。在上述的步骤中,在第一导电层上形成第一绝缘层之前,对第一电镀层进行至少一热处理工艺,其中在进行至少一热处理工艺时的温度为大于或等于40℃且小于或等于300℃。本揭露实施例的复合层电路结构的制造方法制造出的复合层电路结构可具有经提升的可靠度和/或电性。升的可靠度和/或电性。升的可靠度和/或电性。

【技术实现步骤摘要】
电子装置的复合层电路结构的制造方法


[0001]本揭露涉及一种电子装置的制造方法,尤其涉及一种电子装置的复合层电路结构的制造方法。

技术介绍

[0002]电子装置通过导电层导电或传送信号等,因此导电层品质攸关电子装置的可靠度。例如在面板级封装中,导电层的物理性质对于电路结构的可靠度以及电性至关重要,举例而言,电路结构因内应力不均而在过程中产生翘曲、电路结构针孔(pinhole)缺陷或者制造出的电路结构与其余电子元件接合后变形等情况。该些缺陷将易导致电路结构短路和/或信号传输异常,将使得制造出的电路结构的可靠度以及电性下降。

技术实现思路

[0003]本揭露提供一种电子装置的复合层电路结构的制造方法,其制造出的复合层电路结构可具有经提升的可靠度和/或电性。
[0004]根据本揭露的实施例提供的复合层电路结构的制造方法,其包括以下步骤。首先,在载板上形成第一导电层。接着,在第一导电层上形成第一光致抗蚀剂层,其中第一光致抗蚀剂层包括暴露出部分的第一导电层的多个第一开口。再来,在多个第一开口中形成第一电镀层。然后,移除第一光致抗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置的复合层电路结构的制造方法,其特征在于,包括:在载板上形成第一导电层;在所述第一导电层上形成第一光致抗蚀剂层,其中所述第一光致抗蚀剂层包括暴露出部分的所述第一导电层的多个第一开口;在所述多个第一开口中形成第一电镀层;移除所述第一光致抗蚀剂层;以及在所述第一导电层上形成第一绝缘层,其中所述第一绝缘层包括暴露出部分的所述第一电镀层的多个第二开口,其中在所述第一导电层上形成所述第一绝缘层之前,对所述第一电镀层进行至少一热处理工艺,其中在进行所述至少一热处理工艺时的温度为大于或等于40℃且小于或等于300℃,且进行至少一热处理工艺时的时间为小于或等于3小时。2.根据权利要求1所述的电子装置的复合层电路结构的制造方法,其特征在于,在对所述第一电镀层进行所述至少一热处理工艺的步骤中,包括在移除所述第一光致抗蚀剂层之前对所述第一电镀层进行第一热处理工艺,其中在进行所述第一热处理工艺时的温度为大于或等于40℃且小于或等于80℃,且进行所述第一热处理工艺时的时间为小于或等于3小时。3.根据权利要求1所述的电子装置的复合层电路结构的制造方法,其特征在于,在对所述第一电镀层进行所述至少一热处理工艺的步骤中,包括在移除所述第一光致抗蚀剂层之后对所述第一电镀层进行第二热处理工艺,其中在进行所述第二热处理工艺时的温度为大于或等于40℃且小于或等于300℃,且在惰性气体的气氛下进行所述第二热处理工艺,且进行所述第二热处理工艺时的时间为小于或等于3小时。4.根据权利要求3所述的电子装置的复合层电路结构的制造方法,其特征在于,所述惰性气体包括氮气。5.根据权利要求1所述的电子装置的复合层电路结构的制造方法,其特征在于,在所述第一导电层上形成所述第一绝缘层之后,还包括进行以下步骤:在所述第一绝缘层与所述第一电镀层上形成导电材料层;在所述导电材料层上形成第二光致抗蚀剂层,...

【专利技术属性】
技术研发人员:张又仁陈清炜邱姿嫣曾弘毅范俊钦
申请(专利权)人:群创光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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