半导体封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，半导体封装结构包括基板、转接芯片、第一芯片、第二芯片和塑封体，转接芯片上设置有贯穿至第一芯片的功能区的贯通孔，转接芯片与基板之间还设置有第一覆膜胶层，第一覆膜胶层部分填充贯通孔，以在第一芯片的功能区与第一覆膜胶层之间形成第一空腔。相较于现有技术，本发明专利技术提供的半导体封装结构，通过设计转接芯片，并且在转接芯片上开孔后部分填充形成位于第一芯片下方的第一空腔，避免了常规技术中在四周围设填充胶形成腔室，降低了填充胶体层污染芯片压电功能区域的风险，同时开孔结构能够大大扩张空腔的体积，进而提升滤波芯片的传感性能。进而提升滤波芯片的传感性能。进而提升滤波芯片的传感性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，具体而言，涉及一种半导体封装结构及其制备方法。

技术介绍

声表面波滤波器（saw filter）广泛应用于接收机前端以及双工器和接收滤波器。通常声表面波芯片（saw filter）常采用钽酸锂（LiTaO3）或铌酸锂（LiNbO3）材质，利用压电材料的压电特性，并利用输入与输出换能器（Transducer）将电波的输入信号转换成机械能，经过处理后，再把机械能转换成电的信号，以达到过滤不必要的信号及杂讯，提升收讯品质。为保证滤波芯片的传感性能，滤波芯片的功能区域不能接触任何物质，即需要采用空腔结构设计，传统技术中saw filter芯片通常采用倒装工艺，贴装后再次在芯片底部填充胶体，通过填充胶体围设形成空腔，其填充胶体只能覆盖芯片周围区域，存在填充胶体层污染芯片压电功能区域的风险。并且，仅仅依靠填充胶体形成的空腔体积较小，对滤波芯片的传感性能有影响。

技术实现思路

[0002]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种半导体封装结构及其制备方法，其能够避免采用填本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板；贴装在所述基板上的转接芯片；贴装在所述转接芯片上的第一芯片；贴装在所述第一芯片上的第二芯片；设置在所述基板上的塑封体，所述塑封体包覆在所述转接芯片、第一芯片和第二芯片外；其中，所述转接芯片上设置有贯穿至所述第一芯片的功能区的贯通孔，所述转接芯片与所述基板之间还设置有第一覆膜胶层，所述第一覆膜胶层部分填充所述贯通孔，以在所述第一芯片的功能区与所述第一覆膜胶层之间形成第一空腔，所述转接芯片与所述基板电连接，所述第一芯片与所述转接芯片电连接，所述第二芯片与所述基板电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述转接芯片中设置有导电柱，所述转接芯片靠近所述基板的一侧还设置有转接焊盘，所述转接焊盘上设置有连接至所述基板的转接焊球，所述导电柱的一端连接至所述转接焊盘，另一端延伸至所述转接芯片远离所述基板的一侧表面，并与所述第一芯片连接。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述转接芯片远离所述基板的一侧还设置有容纳凹槽，所述第一芯片容置在所述容纳凹槽中，所述导电柱延伸至所述容纳凹槽的底壁，且所述贯通孔设置在所述容纳凹槽的底壁。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述容纳凹槽的宽度大于所述第一芯片的宽度，所述第一芯片的侧壁与所述容纳凹槽的侧壁间隔设置，并形成第二空腔，所述第二空腔与所述第一空腔连通。5.根据权利要求3或4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二芯片与所述第一芯片之间还设置有第二覆膜胶层，所述第二覆膜胶层覆盖在所述容纳凹槽周缘和所述第一芯片上。6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片相对于所述容纳凹槽底壁的高度大于所述容纳凹槽的深度，以使...

【专利技术属性】
技术研发人员：李奎奎，何正鸿，姜滔，李利，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：发明
国别省市：