【技术实现步骤摘要】
三维集成电路结构及其制造方法
[0001]本专利技术构思涉及一种三维集成电路结构及其制造方法，更具体地，涉及一种具有改善的电特性的三维集成电路结构及其制造方法。
技术介绍
[0002]对具有诸如高容量、薄且小尺寸的特征的半导体器件或集成电路有持续的需求。因此，已经开发多种封装技术。半导体封装是容纳一个或更多个分立半导体器件或集成电路的金属、塑料、玻璃或陶瓷外壳。半导体封装通常配置为使得半导体芯片被安装在印刷电路板(PCB)上，并且接合引线或凸块被用于将半导体芯片电连接到PCB。
技术实现思路
[0003]本专利技术构思的一些实施方式提供一种三维集成电路结构，其具有改善的电特性和增加的可靠性。
[0004]本专利技术构思的一些实施方式提供一种制造三维集成电路结构的方法，该三维集成电路结构具有改善的电特性和增加的可靠性。
[0005]根据本专利技术构思的一些实施方式，一种三维集成电路结构包括：第一管芯，包括依次堆叠的第一电力输送网络、第一基板、第一器件层和第一金属层；在第一管芯上的第二管芯，第二管...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种三维集成电路结构，包括：第一管芯，包括依次堆叠的第一电力输送网络、第一基板、第一器件层和第一金属层；在所述第一管芯上的第二管芯，所述第二管芯包括依次堆叠的第二电力输送网络、第二基板、第二器件层和第二金属层；第一贯通电极，从所述第一电力输送网络延伸到所述第一金属层的顶表面；在所述第一贯通电极上的第一凸块；以及焊盘，其中所述第二电力输送网络包括配置为向所述第二器件层传输电力的多条下部线，其中所述焊盘连接到所述下部线中的最下面一条，其中所述第一凸块插设在所述第一贯通电极和所述焊盘之间并且连接所述第一贯通电极和所述焊盘，以及其中所述第一电力输送网络通过所述第一凸块和所述第一贯通电极电连接到所述第二电力输送网络。2.根据权利要求1所述的三维集成电路结构，还包括在所述第一电力输送网络下面的外部连接构件，其中所述外部连接构件配置为将所述电力施加到所述第一电力输送网络。3.根据权利要求2所述的三维集成电路结构，其中施加到所述第一电力输送网络的所述电力通过所述第一凸块和所述第一贯通电极传输到所述第二电力输送网络。4.根据权利要求1所述的三维集成电路结构，其中所述第二管芯还包括穿透所述第二基板并从所述第二电力输送网络延伸到所述第二金属层的贯通通路，其中所述第一贯通电极的直径大于所述贯通通路的直径，以及其中所述第二电力输送网络通过所述贯通通路电连接到所述第二器件层。5.根据权利要求1所述的三维集成电路结构，还包括：在所述第一管芯和所述第二管芯之间的第三管芯，所述第三管芯包括依次堆叠的第三电力输送网络、第三基板、第三器件层和第三金属层；以及从所述第三电力输送网络延伸到所述第三金属层的第二贯通电极，其中所述第一电力输送网络、所述第二电力输送网络和所述第三电力输送网络通过所述第一贯通电极和所述第二贯通电极彼此电连接。6.根据权利要求5所述的三维集成电路结构，其中所述第一贯通电极和所述第二贯通电极彼此重叠。7.根据权利要求1所述的三维集成电路结构，其中所述第一贯通电极的下部在所述第一电力输送网络中，所述第一贯通电极的上部在所述第一金属层中，以及所述第一贯通电极的所述下部的直径大于所述第一贯通电极的所述上部的直径。8.根据权利要求1所述的三维集成电路结构，还包括在所述第一贯通电极的侧壁上的电介质间隔物。9.根据权利要求1所述的三维集成电路结构，进一步包括：
从所述第二电力输送网络延伸到所述第二金属层的贯通接触；以及在所述贯通接触和所述第一金属层之间的第二凸块，其中所述第二金属层通过所述第二凸块和所述贯通接触电连接到所述第一金属层。10.根据权利要求9所述的三维集成电路结构，其中所述第一贯通电极的下部的直径大于所述第一贯通电极的上部的直径，以及所述贯通接触的下部的直径大于所述贯通接触的上部的直径。11.一种三维集成电路结构，包括：第一管芯，包括依次堆叠的第一电力输送网络、第一基板、第一器件层和第一金属层；在所述第一管芯上的第二管芯，所述第二管芯包括依次堆叠的第二电力输送网络、第二基板、第二器件层和第二金属层；从所述第一电力输送网络延伸到所述第一金属层的顶表面的贯通电极；以及从所述第二电力输送网络延伸到所述第二金属层的贯通接触，其中所述贯通电极将所述第一电力输送网络电连接到所述第二电力输送网络，其中所述贯通接触将所述第一金属层电连接到所述第二金属层，其中所述贯通电极的下部的直径大于所述贯通电极的上部的直径，以及...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄帝官，金知炯，安正勋，吴在熙，丁少锋，朴媛智，张宇珹，洪踢俊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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