【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种气体输运沉积装置,特别涉及一种针对碲化镉薄膜太阳电池吸收层的气 体输运沉积装置。
技术介绍
碲化镉薄膜太阳电池的吸收层有多种实验室制作方法,典型的有真空蒸发沉积、溅射沉 积、分子束外延沉积、丝网印刷、电镀、气相外延、近空间升华、气体输运沉积等,其中的 近空间升华、气体输运沉积技术从实验室发展成产业化, 一些与生产效率、产品性能密切相 关的关键技术,正在进行着广泛而深入的研究。气体输运沉积碲化镉薄膜太阳电池,由于沉积源结构比较复杂,该工艺实验室研究资料 相当匮乏,目前成功采用该技术的厂家也只有美国一家工厂。按照它1999年公布的专利 《APPARATUS AND METHOD FOR DEPOSITING A MATERIAL ON A SUBSTRATE》(专利号 US5945163 )和2000年公布的专利《APPARATUS AND METHOD FOR DEPOSITING A SEMICONDUCTOR MATERIAL》(专利号US6037241),其结构形式有如下几方面缺点1. 加热效率很低。由于它采用的是电阻丝加热方式,需要进行 ...
【技术保护点】
一种气体输运沉积装置,其特征是,它包括一个封闭的石墨管式加热器,石墨管式加热器两端分别与气体运输左通道和气体运输右通道连通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王步峰,李青海,王景义,
申请(专利权)人:山东润峰集团有限公司,
类型:发明
国别省市:37[中国|山东]
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