【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池模块刻槽装置。
技术介绍
太阳能电池是一种直接把太阳能转变为电能的元件,可分为晶硅太阳能电 池、化合物太阳能电池和有机物太阳能电池。晶硅太阳能电池根据半导体的相(phase)可细分为单晶硅(single crystalline)太阳能电池、多晶硅(polycrystal 1 ine)太阳能电池和非晶石圭 (amorphous)太阳能电池。另外,太阳能电池根据半导体的厚度可分为基板型太阳能电池和薄膜型太 阳能电池,薄膜型太阳能电池的半导体厚度为几十//m至几/mi 。晶硅太阳能电池中单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池属于基板型,非 晶硅太阳能电池属于薄膜型。另一方面,化合物太阳能电池可分为in-V族的GaAs (Gallium Arsenide) 和InP ( Indium Phosphide)等基板型太阳能电池和II-VI族的CdTe (Cadmium Telluride)、 I-III—VI族的CulnSe2 (CIS; Copper Indium Diselenide )等 薄膜型太阳能电池。有机物太阳能电池可分为有机分子型太阳能电 ...
【技术保护点】
一种太阳能电池模块刻槽装置,包括:激光振荡器,振荡规定波长的激光束;均化器,将从上述激光振荡器振荡的激光束强度分布变得均匀;扫描器,将从上述均化器输出并通过具有规定槽的掩模的激光束照射到太阳能电池模块上。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:安大云,李昇炫,明承烨,
申请(专利权)人:韩国铁钢株式会社,
类型:发明
国别省市:KR
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