光电装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及光电装置及其制造方法，该方法包括以下步骤：在基板上依次形成第一电极、光电转换层和第二电极；形成用来覆盖所述第二电极的绝缘层；形成沟槽线，即形成第一沟槽线和第二沟槽线以使所述第二电极暴露在所述第二电极上的所述绝缘层上，且在所述第一沟槽线和所述第二沟槽线之间至少包括两个光电单元；形成导电性母线，将导电物质填充在所述第一沟槽线和第二沟槽线以形成第一导电性母线和第二导电性母线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
目前，伴随着现有能源如石油、煤炭等将会枯竭的预测，人们越来越关注替代这些现有能源的可替代能源。其中，太阳能因其资源丰富且不污染环境而特别受到瞩目。直接将太阳能转换为电能的装置是光电装置，即太阳能电池。光电装置主要利用了半导体接合的光电现象。即，如果光入射到分别掺杂了 P型和η型杂质的半导体p-i-n 接合面并被吸收，则光能在半导体内部产生电子和空穴，所产生的电子和空穴通过内部电场发生分离，由此使光电产生在P-i-n接合两端上。此时，如果在接合两端上形成电极，并由导线将其连接，则电流通过电极和导线而流向外部。
技术实现思路
本专利技术提供一种制造光电装置时能够降低人工费和设备费的。另外，本专利技术提供能够缩短光电装置的完成时间的。本专利技术所要达到的技术课题，不局限于上述的技术课题，本专利技术所属
的具有一般知识的人可以根据下面的叙述能够清楚地理解其它的技术课题。本专利技术光电装置的制造方法，包括以下步骤在基板上依次形成第一电极、光电转换层和第二电极；形成用来覆盖所述第二电极的绝缘层；形成沟槽线，即形成第一沟槽线和第二沟槽线以使所述第二电极暴露在所述第二电极上的所述绝缘层上，且在所述第一沟槽线和所述第二沟槽线之间至少包括两个光电单元；形成导电性母线，将导电物质填充在所述第一沟槽线和第二沟槽线以形成第一导电性母线和第二导电性母线。另外，本专利技术的光电装置，包括光电基板，在基板上依次形成第一电极、光电转换层和第二电极；绝缘层，其包括形成在所述光电基板且具有到达至所述第二电极表面的深度的第一沟槽线和第二沟槽线；以及第一导电性母线和第二导电性母线，其通过在所述第一沟槽线和第二沟槽线上填充导电物质而形成；其中，在所述第一沟槽线和所述第二沟槽线之间至少包括两个光电单元。如果使用根据本专利技术的，则具有能够降低制造光电装置时的人工费和设备费的优点。另外，还具有能够缩短光电装置的完成时间的优点。 附图说明图Ia至图Ig为根据本专利技术实施例的光电装置中用于说明光电基板制造方法的图；图加至图2d为根据本专利技术实施例的光电装置中用于说明绝缘层制造方法的图3a至图3c为对根据本专利技术第一实施例的进行说明的图；图4为对根据本专利技术第二实施例的进行说明的图；图fe至图恥为对根据本专利技术第三实施例的进行说明的图；图6为根据本专利技术第四实施例的进行说明的图；图7a至图7d为根据本专利技术第五实施例的进行说明的图；图至图8d为根据本专利技术第六实施例的进行说明的图；图9a至图9g为根据本专利技术第七实施例的进行说明的图。符号说明110光电基板111基板113第一电极115光电转换层117第二电极120绝缘层130导电性母线140导电性配线150接线盒160保护部具体实施例方式以下参照附图对本专利技术进行说明。对本专利技术进行说明时，为了不脱离本专利技术要点省略对本领域技术人员来说是显而易见的
技术实现思路
。另外，以下说明的技术用语仅仅是为了便于理解本专利技术而使用，要注意其他制造公司或研究机构可以使用与本专利技术的技术用语具有相同用途的其它用语。图Ia至图Ig为在本专利技术实施例的光电装置中用于说明光电基板制造方法的图。如图Ia所示，先准备基板111。基板111可以为绝缘透明基板111。如图Ib所示，在基板111上形成第一电极113。在本专利技术实施例中，第一电极113 可以通过化学气相沉积法(CVD法)来形成，也可以通过氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等透明导电性氧化物((TCO transparent ConductiveOxide))来形成。如图Ic所示，激光照射在第一电极113侧或基板111侧，使得第一电极113被划线(scribe)。由此在第一电极113上形成第一分离槽210。即，由于第一分离槽210贯通第一电极113，因此能够防止相邻的第一电极113之间的短路。如图Id所示，通过CVD法层压光电转换层115以覆盖第一电极113和第一分离槽 210。此时，光电转换层115可通过依次层压ρ型半导体层、纯半导体层和η型半导体层来形成。在为了形成P型半导体层而使如单硅烷(SiH4)等包括硅元素的原料气体和如乙硼烷 (B2H6)等包括三族元素的掺杂气体混入到反应腔室内时，ρ型半导体层通过CVD法被层压。 然后，在腔室内仅流入含有硅的原料气体时，纯半导体层通过CVD法而被形成在ρ型半导体7层上。最后，在如磷化氢(PH3)等含有五族元素的掺杂气体和含有硅的原料气体混入到腔室内时，n型半导体层通过CVD法而被层压在纯半导体层上。由此，位于第一电极113上的光电转换层115包括依次层压ρ型半导体层、纯半导体层和η型半导体层的非晶质半导体层。如图Ie所示，在大气中激光照射在基板111侧或光电转换层115侧，使得光电转换层115被划线。由此在光电转换层115上形成第二分离槽220。如图If所示，通过CVD或溅射法形成覆盖光电转换层115和第二分离槽220的第二电极117。第二电极117可以为诸如Al或Ag的金属电极。如图Ig所示，在大气中照射激光以使光电转换层115和第二电极117被划线。由此形成光电转换层115和第二电极117的第三分离槽230。通过上述图Ia至图Ig所示的制造方法，准备包括基板111、第一电极113、光电转换层115和第二电极117的光电基板110。图加至图2d为本专利技术实施例的光电装置中用于说明绝缘层120的制造方法的图。在以下附图中(图加至图9g)中，从侧面观察光电基板110和其他层时，虽然均处于暴露状态，但应注意这仅仅是为了便于说明而采用的方式，在实际制造的光电装置中上述层并没有暴露在外部。如图加所示，在准备好的光电基板110的两侧分别形成第四分离槽240-1、240-2。 在大气中照射激光以使第二电极117、光电转换层115和第一电极113被划线，由此可形成第四分离槽240-1、240-2。通过第四分离槽240-1、240-2决定光电基板的有效区域R和无效区域。在有效区域R发生光电，而在无效区域不发生光电。形成第四分离槽240-1、240-2后，通过公知的层压法形成覆盖第二电极117、第三分离槽230和第四分离槽MO的绝缘层120。这样的绝缘层120用来保护光电基板110，可以包括乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA，Ethylene Vinyl Acetate)。如图2b所示，在绝缘层120上形成两个第一沟槽线H1-1、第二沟槽线Hl_2以使第二电极117暴露。在此，优选第一沟槽线H1-1、第二沟槽线H1-2形成在与第四分离槽 240-1、240-2相邻接的有效区域R的第二电极117上，且优选在第一沟槽线H1-1、第二沟槽线H1-2之间包括至少两个光电单元PVCl、PVC2、PVC3。由于在第一光电单元PVCl形成有第四分离槽对0，因此在第一光电单元PVCl不发生光电，第一光电单元PVCl的第一电极和第二电极形成等电位状态。在第二光电单元PVC2和第三光电单元PVC3没有形成第四分离槽对0，因此发生光电。由此，优选在第一沟槽线H1-1、第二沟槽线H1-2之间至少包括两个光电单元。在此，用于暴露第二电极117的第一沟槽线H1-1、第二沟槽线H2-2可以按照如图 2c和图2d所示的方式形成。以下进行具体说明。如图2c所示，在绝缘层120上以不暴露第二电极117的方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光电装置的制造方法，该方法包括下述步骤：在基板上依次形成第一电极、光电转换层和第二电极；形成覆盖所述第二电极的绝缘层；在所述第二电极上的所述绝缘层上形成第一沟槽线和第二沟槽线而使所述第二电极暴露或不暴露，且所述第一沟槽线和所述第二沟槽线之间至少包括两个光电单元；以及在所述第一沟槽线和第二沟槽线填充导电物质以形成第一导电性母线和第二导电性母线。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：明承烨，朴俊亨，
申请(专利权)人：韩国铁钢株式会社，
类型：发明
国别省市：KR