封装框架及封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种封装框架及封装结构，所述封装框架包括基岛、引脚和塑封层，所述引脚位于基岛周围；所述塑封层塑封所述基岛和所述引脚；其中，所述基岛于厚度方向包括外露的导热表面，所述导热表面包括凹陷结构。于封装框架的基岛厚度方向露出的导热表面上制作凹陷结构，凹陷结构用于降低封装框架的应力，特别是基岛处的应力得以明显降低，因此，封装框架在受外力碰撞的情况下，凹陷结构可以缓解外力，使得位于基岛厚度方向且与导热表面相背的贴装表面一侧的焊线不易受到外力作用而发生位移，进而避免出现碰线、断线问题。断线问题。断线问题。

【技术实现步骤摘要】
封装框架及封装结构


[0001]本技术属于半导体封装
，特别关于一种封装框架及封装结构。

技术介绍

[0002]大功率射频芯片需要较高的线弧，而线弧周围有填充料时往往会影响射频性能，现有的大功率射频芯片通常采用空腔类封装结构来进行封装，空腔类封装结构通过在封装框架表面粘结上盖来形成空腔。
[0003]但是，空腔中位于封装框架上的大功率射频芯片和封装框架之间通过金属焊线连接，由于焊线周围无塑封料包裹，当封装结构发生跌落、碰撞时，极易出现焊线位移的情况，从而出现碰线、断线问题。
[0004]因此，需要提出一种适用于空腔类封装结构的封装框架以克服因外力撞击导致的焊线位移问题，进而避免出现碰线、断线问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种封装框架及封装结构，采用在封装框架露出的导热表面上设置凹陷结构的方式来降低封装框架受到的应力，防止封装结构的焊线由于运输过程中因碰撞造成的碰线、断线问题。
[0006]为克服上述技术问题，本技术提供一种封装框架，包括：
[0007]基岛；
[0008]位于基岛周围的引脚；
[0009]塑封层，所述塑封层塑封所述基岛和所述引脚形成所述封装框架；
[0010]其中，所述基岛于厚度方向包括外露的导热表面，所述导热表面包括凹陷结构。
[0011]作为可选的技术方案，所述凹陷结构为内凹球面。
[0012]作为可选的技术方案，所述内凹球面为自所述导热表面的中心向外延伸。
[0013]作为可选的技术方案，于所述基岛的宽度方向，所述内凹球面的开口直径小于等于和所述导热表面的宽度的一半。
[0014]作为可选的技术方案，所述凹陷结构为间隔设置的若干凹槽。
[0015]作为可选的技术方案，所述若干凹槽在基岛厚度方向的深度自基岛的中心向外逐渐减小。
[0016]作为可选的技术方案，于所述基岛的厚度方向，所述凹陷结构的深度小于等于所述基岛的厚度的一半。
[0017]本专利技术还提供一种封装结构，所述封装结构包括如上所述的封装框架。
[0018]作为可选的技术方案，所述封装结构还包括芯片和/或元器件，所述芯片和/或元器件设置于所述基岛厚度方向的贴装表面，所述贴装表面和所述导热表面相背。
[0019]作为可选的技术方案，所述封装结构还包括焊线，所述焊线连接所述芯片和/或元器件与所述引脚。
[0020]作为可选的技术方案，所述封装结构还包括上盖，所述上盖设置于所述封装框架一侧，且所述上盖与所述封装框架固定连接形成空腔，空腔位于所述上盖和所述封装框架之间，其中，所述芯片和/或元器件位于所述空腔中。
[0021]作为可选的技术方案，所述封装结构还包括挡墙和粘胶，所述挡墙位于所述引脚远离所述导热表面的一侧，所述粘胶固定连接所述挡墙和所述上盖。
[0022]与现有技术相比，本技术提供一种封装框架及封装结构，于封装框架的基岛厚度方向露出的导热表面上制作凹陷结构，凹陷结构用于降低封装框架的应力，特别是基岛处的应力得以明显降低，因此，封装框架在受外力碰撞的情况下，凹陷结构可以缓解外力，使得位于基岛厚度方向且与导热表面相背的贴装表面一侧的焊线不易受到外力作用而发生位移，进而避免出现碰线、断线问题。
附图说明
[0023]图1为本技术一实施例提供的封装框架的剖面示意图。
[0024]图2为图1中封装框架于导热表面一侧的俯视图。
[0025]图3为本技术另一实施例中提供的封装框架的剖面示意图。
[0026]图4为本技术又一实施例中提供的封装框架的剖面示意图。
[0027]图5为本技术再一实施例中提供的封装框架的剖面示意图。
[0028]图6为本技术一实施例提供的封装结构的剖面示意图。
[0029]图7为图6中封装结构的封装过程的剖面示意图。
具体实施方式
[0030]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合实施例及附图，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0031]本技术的目的在于提供一种封装框架和封装结构，封装框架例如是预包封的扁平无引脚封装框架，封装结构例如是空腔类封装结构，其中，通过在封装框架的基岛厚度方向露出的导热表面制作凹陷结构，降低封装框架应力，在封装框架受到外力撞击时，凹陷结构用于缓冲或者吸收外力，使得空腔类封装结构中，位于基岛厚度方向且与导热表面相背的贴装表面上的焊线不易受到外力作用而发生位移，进而避免出现碰线、断线问题，提升空腔类封装结构的封装可靠性、封装良率。
[0032]如图1和图2所示，本技术一实施例提供了一种封装框架10，包括基岛1、引脚2和塑封层3。
[0033]引脚2位于基岛1周围，塑封层3塑封基岛1和引脚2。
[0034]基岛1于厚度方向包括外露的导热表面1a，导热表面1a包括凹陷结构5。
[0035]本实施例中，凹陷结构5用于降低基岛1(或者封装框架10)的应力，以吸收或者缓冲封装框架10受到的碰撞外力，并于后续的封装制程中，提升封装结构的封装可靠性、封装良率。
[0036]需要说明的是，基岛1可以是指独立的基岛结构，也可以是基岛与其他结构配合形成的组合式基岛结构，本实施例限定的是基岛1最外层的导热表面1a上形成有凹陷结构5。
[0037]本实施例中，凹陷结构5例如是内凹球面5，且内凹球面5贯穿导热表面1a，内凹球面5于导热表面1a处形成一个呈圆形的开口。
[0038]这里，内凹球面5的内表面是球状结构的一部分，假设球状结构具有球心，内凹球面5的内表面的所有点至球心的距离均相等。
[0039]较佳的，内凹球面5形成的开口的中心大致为导热表面1a的中心，即整个内凹球面5位于基岛1的中部。
[0040]本实施例中，内凹球面5采用半蚀刻工艺制作。
[0041]具体的，半蚀刻工艺是以导热表面1a的中心为基准点进行半蚀刻操作，先于导热表面1a上贴设掩膜，再对掩膜进行开窗以暴露导热表面1a上需进行半蚀刻的区域，再通过蚀刻药水进行半蚀刻。由于半蚀刻区域越边缘位置在半蚀刻时接触到的蚀刻药水量相比于中心处要越少，所以半蚀刻后在导热表面1a上形成的是内凹球面5。本实施例中于中心处的蚀刻深度为基岛1的厚度的一半，且蚀刻后得到的内凹球面5的深度自导热表面1a的中心向外逐渐减小。
[0042]为了得到弧面更平整的内凹球面5，也可以通过两次半蚀刻制程来形成内凹球面5，两次半蚀刻都是以导热表面1a的中心为基准点进行半蚀刻，第一次半蚀刻区域的范围小于第二次半蚀刻区域的范围，也就是第一次半蚀刻时贴设在导热表面1a上的掩膜的开窗范围小于第二次半蚀刻时贴设在导热表面1a上的掩膜的开窗范围。
[0043]如图2所示，于基岛1的宽度方向，内凹球面5的开口直径R小于等于导热本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装框架，其特征在于包括：基岛；位于基岛周围的引脚；塑封层，所述塑封层塑封所述基岛和所述引脚；其中，所述基岛于厚度方向包括外露的导热表面，所述导热表面包括凹陷结构。2.根据权利要求1所述的封装框架，其特征在于，所述凹陷结构为内凹球面。3.根据权利要求2所述的封装框架，其特征在于，所述内凹球面自所述导热表面的中心向外延伸。4.根据权利要求2所述的封装框架，其特征在于，于所述基岛的宽度方向，所述内凹球面的开口直径小于等于所述导热表面的宽度的一半。5.根据权利要求1所述的封装框架，其特征在于，所述凹陷结构为间隔设置的若干凹槽。6.根据权利要求5所述的封装框架，其特征在于，所述若干凹槽在基岛厚度方向的深度自基岛的中心向外逐渐减小。7.根据权利要求1所述的封装框架，其特征在于，于所述基岛的厚度方向，所述凹陷结构的深度小于等于所述基岛的厚度的一半。8.一种封装结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱圣杰，黄桂华，张月升，濮虎，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：