一种小尺寸无引线封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种小尺寸无引线封装结构，包括框架、MOS芯片、铜夹和塑封料，所述MOS芯片倒装地固定在框架上，所述铜夹一端焊接在框架上，另一端焊接在MOS芯片上，所述塑封料用于包裹框架、MOS芯片和铜夹。所述小尺寸无引线封装结构采用倒装封装结构来代替传统的打线工艺，把MOS芯片倒装地固定在框架上，然后再用铜夹连接框架和MOS芯片上，无论是输入电流，还是输出电流都得到大幅提高，整个封装产品的电流通过能力大增，更符合市场的需求和发展趋势。势。势。

【技术实现步骤摘要】
一种小尺寸无引线封装结构


[0001]本技术涉及集成电路封装
，尤其涉及一种小尺寸无引线封装结构。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，人们对于MOS管等功率器件的尺寸要求越来越小型化而功率的要求越来越大，传统的打线小尺寸的封装很难满足大电流的输出，参照图1，现有的一种MOS管采用DFN2X2封装，MOS芯片采用正面装片，然后打线与引线框架实现电连接，此种模式根据工艺极限能封装的芯片最大宽度为0.51mm,这使得可封装芯片尺寸被严格限制,焊线采用12根直径为42um的纯铜线，截面积是16617um2，通过电流最大能力是15A，难以满足市场的需求，有必要进一步改进。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种过流能力更大的小尺寸无引线封装结构。
[0004]本技术是这样实现的：一种小尺寸无引线封装结构，包括框架、MOS芯片、铜夹和塑封料，所述MOS芯片倒装地固定在框架上，所述铜夹一端焊接在框架上，另一端焊接在MOS芯片上，所述塑封料用于包裹框架、MOS芯片和铜夹。
[0005]其中，所述MOS芯片一面设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种小尺寸无引线封装结构，其特征在于，包括框架、MOS芯片、铜夹和塑封料，所述MOS芯片倒装地固定在框架上，所述铜夹一端焊接在框架上，另一端焊接在MOS芯片上，所述塑封料用于包裹框架、MOS芯片和铜夹。2.根据权利要求1所述的小尺寸无引线封装结构，其特征在于，所述MOS芯片一面设有双源极和双栅极，另一面设有漏极，所述框架包括二个源极框架、二个栅极框架和漏极框架，所述MOS芯片的双源极焊接在二个源极框架上，双栅极焊接在二个栅极框架上，所述铜夹一端焊接在漏极框架上，另一端焊接在MOS芯片的漏极上。3.根据权利要求1所述的小尺寸无引线封装结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹周，陈勇，张怡，蔡择贤，郑雪平，孙少林，
申请(专利权)人：广东气派科技有限公司，
类型：新型
国别省市：