用于不对称瞬态电压抑制器的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于不对称瞬态电压抑制器的封装结构。包括外壳、至少部分地被外壳封装的引线框架。引线框架包括具有芯片安装垫的芯片安装表面和设置在芯片安装表面外部的一个或多个第一应力消除特征件。该装置还包括至少部分地被外壳封装的另一个引线框架。另一引线框架包括一个或多个第二应力消除特征件。征件。征件。

【技术实现步骤摘要】
用于不对称瞬态电压抑制器的封装结构


[0001]本公开总体上涉及功率半导体分立器件的领域，并且特别地，涉及表面安装封装，包括不对称瞬态电压抑制器器件的封装结构。

技术介绍

[0002]封装集成电路通常是半导体器件制造工艺的最后阶段。在封装过程中，代表半导体器件核心的半导体管芯被包裹在保护管芯免受物理损坏和腐蚀的外壳中。例如，半导体管芯通常使用焊料合金回流焊、导电环氧树脂等被安装在铜衬底上。安装的半导体管芯然后通常被封装在塑料或环氧化合物中。
[0003]瞬态电压抑制器(TVS)器件代表功率半导体器件的一个重要分支，其可被用于保护敏感电子设备免受电压瞬态的影响，例如，闪电和/或其他瞬态电压事件。目前，TVS器件封装的典型特征是小尺寸和高功率。TVS器件封装的示例包括表面安装C型(SMC)封装，其被用于许多不同的
，例如多点式数据传输系统。通常，多点式数据传输系统要求使用不对称TVS器件，其中SMC封装为印刷电路板中的电子部件提供保护以免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)、闪电等的影响。然而，TVS器件的当前SMC封装在解决不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于不对称瞬态电压抑制器的封装结构，其特征在于，包括：外壳；引线框架，其至少部分地被所述外壳封装，所述引线框架包括具有芯片安装垫的芯片安装表面，以及被设置在所述芯片安装表面的外部的一个或多个第一应力消除特征件；以及另一个引线框架，其至少部分地被所述外壳封装，所述另一个引线框架包括一个或多个第二应力消除特征件。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，半导体芯片被配置为被耦接到所述芯片安装垫。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，在将所述半导体芯片耦接到所述芯片安装垫时，所述芯片安装表面不接触所述半导体芯片。4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括被所述外壳完全封装的夹片，其中，所述另一个引线框架被配置为被耦接到所述夹片。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述半导体芯片包括半导体芯片工作区。6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述夹片被配置为被耦接到所述半导体芯片工作区。7.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述夹片被配置为包括远离所述夹片的一个或多个边缘横向延伸的一个或多个支撑杆。8.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述一个或多个第二应力消除特征件包括远离所述另一个引线框架横向延伸的一个或更多个应力消除杆。9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述夹片被配置为具有弯曲结构，其中，所述夹片的弯曲结构的至少一部分被配置为远离所述半导体芯片延伸。10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述引线框架包括倾斜部分，所述倾斜部分被配置为远离所述芯片安装表面有角度...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，高超，何磊，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：