深沟槽隔离结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种深沟槽隔离结构，包括硅衬底，硅衬底上的隔离结构区上形成有多个孔状的深沟槽；其中，相邻的两深沟槽之间的间距均位于预设范围内，间距小于在深沟槽热氧化形成氧化层所需的硅厚度；深沟槽中形成有氧化层，氧化层上形成有间隙，间隙中填充有绝缘材料层。本发明专利技术的深沟槽结构设计成间隔合理的通孔状深沟槽阵列，剩余的硅相互连接，不会有倒掉的风险。风险。风险。

【技术实现步骤摘要】
深沟槽隔离结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种深沟槽隔离结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]深沟槽隔离是一种广泛用于预防集成电路器件间串扰的隔离技术。随着对器件抗击穿性能要求的提升，传统的深沟槽隔离技术已经不能隔离满足要求。
[0003]深沟槽隔离技术应运而生，为了工艺友好，会通过深沟槽刻蚀形成较小的条形沟槽，后续通过高温热氧化工艺将剩余的硅条氧化(由于工艺限制，通常是部分氧化)，形成隔离介质。隔离介质占比越高，隔离效果越好。
[0004]请参阅图1，现有的深沟槽隔离为条形结构，太大的深宽比会导致剩余的硅柱倒掉。
[0005]为解决上述问题，需要提出一种新型的深沟槽隔离结构及其制造方法。

技术实现思路

[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种深沟槽隔离结构及其制造方法，用于解决现有技术中深沟槽隔离为条形结构，太大的深宽比会导致剩余的硅柱倒掉的问题。
[0007]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种深沟槽隔离结构，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深沟槽隔离结构，其特征在于，包括：硅衬底，所述硅衬底上的隔离结构区上形成有多个孔状的深沟槽；其中，相邻的两所述深沟槽之间的间距均位于预设范围内，所述间距小于在所述深沟槽热氧化形成氧化层所需的硅厚度；所述深沟槽中形成有所述氧化层，所述氧化层上形成有间隙，所述间隙中填充有绝缘材料层。2.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构，其特征在于：所述深沟槽的形状为多边形。3.根据权利要求2所述的深沟槽隔离结构，其特征在于：所述深沟槽的形状为正角形、正方形、正六边形中的任意一种。4.根据权利要求2所述的深沟槽隔离结构，其特征在于：所述深沟槽的形状为矩形、等腰三角形、每个内角均为120
°
的六边形中的任意一种。5.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构，其特征在于：相邻的两所述深沟槽之间的所述间距均相等。6.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构，其特征在于：所述绝缘材料层为多晶硅或二氧化硅。7.一种根据权利要求1至6仍一项所述的深沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供硅衬底，在所述硅衬底的隔离结构区上形成多个孔状的深沟槽，其中相邻的两所述深沟槽之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊杰，蔡莹，朱兆强，金锋，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：