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本发明提供一种深沟槽隔离结构，包括硅衬底，硅衬底上的隔离结构区上形成有多个孔状的深沟槽；其中，相邻的两深沟槽之间的间距均位于预设范围内，间距小于在深沟槽热氧化形成氧化层所需的硅厚度；深沟槽中形成有氧化层，氧化层上形成有间隙，间隙中填充有绝缘...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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