快闪存储器及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种快闪存储器及其制作方法，快闪存储器包括：衬底，衬底上形成有源线，源线两侧的衬底上由下往上依次形成有浮栅结构层和第一侧墙；且第一侧墙位于浮栅结构层靠近源线一侧的上方；隧穿氧化层，隧穿氧化层至少覆盖浮栅结构层远离源线一侧拐角的上表面和侧壁表面；字线，字线位于浮栅结构层远离源线一侧的衬底上方。本发明专利技术中，字线通过隧穿氧化层包裹浮栅结构层的拐角，拐角处的包裹性增加，能够提高拐角处的电场强度，进而提高了擦除效果。同时，可降低浮栅结构层的厚度，减小了字线与浮栅的耦合比，利于增大字线与浮栅的压差，从而提高了擦除效果。省去了形成浮栅尖角的复杂工艺，保证了快闪存储器的可靠性。保证了快闪存储器的可靠性。保证了快闪存储器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
快闪存储器及其制作方法


[0001]本专利技术属于集成电路制造
，具体涉及一种快闪存储器及其制作方法。

技术介绍

[0002]近年来快闪存储器(Flash Memory，简称闪存)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储信息，且具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点，因此，在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。快闪存储器分为两种类型：叠栅快闪存储器和分栅快闪存储器。叠栅快闪存储器具有浮栅和位于浮栅的上方的控制栅。叠栅快闪存储器存在过擦除的问题。与叠栅快闪存储器不同的是，分栅快闪存储器在浮栅的一侧形成作为擦除栅的源线。分栅快闪存储器能有效的避免过擦除效应。
[0003]一种快闪存储器中，源线两侧形成有对称的浮栅，且浮栅远离源线一侧具有尖角。通常需要相对较厚的浮栅，经过各向同性的蚀刻工艺形成带有尖端的形貌，因此浮栅的厚度不方便减小。而较厚的浮栅即浮栅侧部侧壁高度较高，会增加字线与浮栅的耦合率，不利于擦除的进行。同时，浮栅尖角是由专门一道刻蚀工艺形成，形成尖角的刻蚀工艺不稳定，导致制成的快闪存储器可靠性难以保证。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种快闪存储器及其制作方法，隧穿氧化层至少覆盖浮栅结构层远离源线一侧拐角的上表面和侧壁表面；字线通过隧穿氧化层包裹浮栅结构层的拐角，拐角处的包裹性增加，能够提高拐角处的电场强度，进而提高了擦除效果。同时，可降低浮栅结构层的厚度，减小了字线与浮栅的耦合比，利于增大字线与浮栅的压差，从而提高了擦除效果。省去了形成浮栅尖角的复杂工艺，保证了快闪存储器的可靠性。
[0005]本专利技术提供一种快闪存储器，包括：
[0006]衬底，所述衬底上形成有源线，所述源线两侧的衬底上由下往上依次形成有浮栅结构层和第一侧墙；且所述第一侧墙位于所述浮栅结构层靠近所述源线一侧的上方；
[0007]隧穿氧化层，所述隧穿氧化层至少覆盖所述浮栅结构层远离所述源线一侧拐角的上表面和侧壁表面；
[0008]字线，所述字线位于所述浮栅结构层远离所述源线一侧的衬底上方；
[0009]所述字线通过所述隧穿氧化层包裹所述浮栅结构层。
[0010]进一步的，所述第一侧墙远离所述源线一侧的侧壁上形成有偏移层，所述偏移层暴露出所述浮栅结构层远离所述源线一侧的上表面，所述隧穿氧化层还覆盖所述偏移层的侧壁表面。
[0011]进一步的，所述快闪存储器还包括隔离层，所述隔离层呈L形，包括相连接的隔离水平部和隔离垂直部，所述隔离水平部位于所述偏移层底部与所述浮栅结构层之间，所述隔离垂直部位于所述第一侧墙的侧壁与所述偏移层之间。
[0012]进一步的，所述快闪存储器还包括第二侧墙，所述第二侧墙位于所述源线两侧的
衬底上，所述第二侧墙远离所述源线一侧的侧壁邻接所述第一侧墙靠近所述源线一侧的侧壁，所述第二侧墙覆盖所述浮栅结构层靠近所述源线一侧的侧壁。
[0013]进一步的，所述浮栅结构层包括依次位于所述衬底上的浮栅氧化层和浮栅，所述浮栅结构层远离所述源线一侧的所述拐角为直角。
[0014]进一步的，所述浮栅的厚度范围为200埃～400埃。
[0015]本专利技术还提供一种快闪存储器的制作方法，包括：
[0016]提供衬底，所述衬底上形成有源线，所述源线两侧的衬底上由下往上依次形成有浮栅结构层和第一侧墙；且所述第一侧墙位于所述浮栅结构层靠近所述源线一侧的上方；
[0017]形成隧穿氧化层，所述隧穿氧化层至少覆盖所述浮栅结构层远离所述源线一侧拐角的上表面和侧壁表面；
[0018]形成字线，所述字线位于所述浮栅结构层远离所述源线一侧的衬底上方；所述字线通过所述隧穿氧化层包裹所述浮栅结构层。
[0019]进一步的，提供所述衬底具体包括：
[0020]在所述衬底上依次形成浮栅氧化层、浮栅极层和牺牲层，所述牺牲层内具有开口，所述开口暴露出所述浮栅极层的表面；
[0021]在所述开口两侧的侧壁上均形成第一侧墙；
[0022]刻蚀去除位于所述开口两侧的所述第一侧墙之间的所述浮栅极层和所述浮栅氧化层暴露出所述衬底表面；
[0023]形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖两侧的所述浮栅氧化层的侧壁、所述浮栅极层的侧壁以及部分所述第一侧墙的侧壁。
[0024]进一步的，形成所述第二侧墙之后还包括：
[0025]在所述开口两侧的所述第二侧墙之间和所述第一侧墙之间形成源线，所述源线的底部位于所述衬底上；
[0026]去除所述牺牲层；
[0027]刻蚀所述源线两侧的所述第一侧墙各自远离所述源线一侧的所述浮栅极层和所述浮栅氧化层，刻蚀剩余的所述浮栅极层和所述浮栅氧化层构成所述浮栅结构层。
[0028]进一步的，提供所述衬底之后，形成所述隧穿氧化层之前还包括：
[0029]形成隔离层，所述隔离层覆盖源线两侧的所述第一侧墙各自远离所述源线一侧的侧壁表面和部分所述浮栅结构层表面；
[0030]形成偏移原料层，所述偏移原料层位于所述隔离层远离所述源线一侧的侧壁上，且所述偏移原料层的底部覆盖部分位于所述浮栅结构层表面的所述隔离层；
[0031]湿法刻蚀部分宽度的所述偏移原料层，最终剩余宽度的所述偏移原料层作为偏移层；通过湿法刻蚀来控制调节所述偏移层的宽度，所述偏移层的宽度与所述浮栅结构层中的浮栅的厚度相关联。
[0032]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
[0033]本专利技术提供一种快闪存储器，本专利技术提供一种快闪存储器及其制作方法，快闪存储器包括：衬底，衬底上形成有源线，源线两侧的衬底上由下往上依次形成有浮栅结构层和第一侧墙；且第一侧墙位于浮栅结构层靠近源线一侧的上方；隧穿氧化层，隧穿氧化层至少覆盖浮栅结构层远离源线一侧拐角的上表面和侧壁表面；字线，字线位于浮栅结构层远离
源线一侧的衬底上方。本专利技术中，字线通过隧穿氧化层包裹浮栅结构层的拐角，拐角处的包裹性增加，能够提高拐角处的电场强度，进而提高了擦除效果。同时，可降低浮栅结构层的厚度，减小了字线与浮栅的耦合比，利于增大字线与浮栅的压差，从而提高了擦除效果。省去了形成浮栅尖角的复杂工艺，保证了快闪存储器的可靠性。
附图说明
[0034]图1为本专利技术实施例的快闪存储器制作方法流程示意图。
[0035]图2为本专利技术实施例的快闪存储器形成牺牲层和开口后的示意图。
[0036]图3为本专利技术实施例的快闪存储器形成源线后的示意图。
[0037]图4为本专利技术实施例的快闪存储器去除牺牲层后的示意图。
[0038]图5为本专利技术实施例的快闪存储器形成偏移层后的示意图。
[0039]图6为本专利技术实施例的快闪存储器形成浮栅结构层后的示意图。
[0040]图7为本专利技术实施例的快闪存储器形成隧穿氧化层后的示意图。
[0041]图8为本专利技术实施例的一种快闪存储器结构示意图。
[0042]图9为图8的左半部分的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快闪存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有源线，所述源线两侧的衬底上由下往上依次形成有浮栅结构层和第一侧墙；且所述第一侧墙位于所述浮栅结构层靠近所述源线一侧的上方；隧穿氧化层，所述隧穿氧化层至少覆盖所述浮栅结构层远离所述源线一侧拐角的上表面和侧壁表面；字线，所述字线位于所述浮栅结构层远离所述源线一侧的衬底上方；所述字线通过所述隧穿氧化层包裹所述浮栅结构层。2.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述第一侧墙远离所述源线一侧的侧壁上形成有偏移层，所述偏移层暴露出所述浮栅结构层远离所述源线一侧的上表面，所述隧穿氧化层还覆盖所述偏移层的侧壁表面。3.如权利要求2所述的快闪存储器，其特征在于，所述快闪存储器还包括隔离层，所述隔离层呈L形，包括相连接的隔离水平部和隔离垂直部，所述隔离水平部位于所述偏移层底部与所述浮栅结构层之间，所述隔离垂直部位于所述第一侧墙的侧壁与所述偏移层之间。4.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述快闪存储器还包括第二侧墙，所述第二侧墙位于所述源线两侧的衬底上，所述第二侧墙远离所述源线一侧的侧壁邻接所述第一侧墙靠近所述源线一侧的侧壁，所述第二侧墙覆盖所述浮栅结构层靠近所述源线一侧的侧壁。5.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述浮栅结构层包括依次位于所述衬底上的浮栅氧化层和浮栅，所述浮栅结构层远离所述源线一侧的所述拐角为直角。6.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述浮栅的厚度范围为200埃～400埃。7.一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有源线，所述源线两侧的衬底上由下往上依次形成有浮栅结构层和第一侧墙；且所述第一侧墙位于所述浮栅结构层靠近所述源线一侧的上方；形成隧...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨辉，陈宏，王卉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：