闪存器件的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上依次形成浮栅层、层间介质层、控制栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层、所述控制栅层和所述层间介质层上形成有开口，所述硬掩模层的侧壁上形成有覆盖所述控制栅层的第一侧墙；进行湿法清洗工艺，去除所述开口的内壁及所述开口两侧的杂质或副产物，且所述控制栅层的靠近所述开口一侧的顶角暴露；形成表面平滑的介质层，所述介质层覆盖第一侧墙表面、控制栅层的侧壁以及控制栅层靠近开口一侧的顶角；在开口侧壁上形成第二侧墙；去除开口暴露的浮栅层，并在开口内形成字线；去除所述硬掩膜层及其下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本发明专利技术避免了控制栅和字线之间的隔离失效。隔离失效。隔离失效。

【技术实现步骤摘要】
闪存器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种闪存器件的制造方法。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，数据存储介质应用由一些传统的非易失存储器转向闪存型存储器，以闪存为主要存储介质的大容量固态存储设备已经成为当今数据存储的主流方案之一。
[0003]参阅图1，分栅式闪存器件通常包括字线(Word Line，WL)10和垂直堆叠与字线10两侧的浮栅(Floating Gate，FG)20和控制栅(Control Gate，CG)30，其中，控制栅30上形成有第一侧墙40，控制栅30与字线10之间形成有第二侧墙41。参阅图2和图3，在控制栅层31的刻蚀工艺之后进行的湿法清洗等工艺会回刻第一侧墙40，使得控制栅层31的顶角A暴露。继续参阅图1，由于控制栅层31的顶角A暴露且较尖锐，因此，最终形成在第一侧墙40表面和控制栅30的侧壁上的第二侧墙41厚度不均，其靠近所述顶角A处的部分最薄，严重时第二侧墙41甚至可能在所述顶角A处发生断裂，从而无法有效隔离后续形成的控制栅和字线，并导致分栅式闪存器件失效。
[0004]鉴于此，需要一种方法减少或避免因控制栅的顶角过于尖锐导致的第二侧墙厚度不均或断裂，从而避免控制栅和字线之间的隔离失效，确保闪存器件的正常运行。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种闪存器件的制造方法，避免控制栅和字线之间的隔离失效，确保闪存器件的正常运行。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种闪存器件的制造方法，包括：
[0007]提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层、层间介质层、控制栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层、所述控制栅层和所述层间介质层上形成有暴露所述浮栅层的开口，所述硬掩模层的靠近所述开口的侧壁上形成有第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述控制栅层的靠近所述开口一侧的表面；
[0008]进行湿法清洗工艺，去除所述开口的内壁及所述开口两侧的杂质或副产物，且所述控制栅层的靠近所述开口一侧的顶角暴露；
[0009]形成表面平滑的介质层，所述介质层覆盖所述第一侧墙的表面、所述控制栅层的侧壁以及所述控制栅层的靠近所述开口一侧的顶角；
[0010]在所述开口的侧壁上形成第二侧墙；
[0011]去除所述开口暴露的浮栅层，以使所述开口暴露所述衬底，并在所述开口内形成字线；以及，
[0012]去除所述硬掩膜层及所述硬掩膜层下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。
[0013]可选的，形成所述介质层的过程包括：
[0014]在所述开口的侧壁及底部沉积形成所述介质层，所述介质层延伸覆盖所述开口两侧的硬掩模层；
[0015]刻蚀去除所述开口底部及所述硬掩模层表面的介质层，以形成表面平滑的所述介质层。
[0016]可选的，所述介质层的厚度为
[0017]可选的，所述介质层的厚度大于或等于所述第二侧墙的厚度，所述介质层的厚度小于或等于所述第二侧墙的厚度的两倍。
[0018]可选的，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述介质层。
[0019]可选的，所述介质层的材料包括氧化硅。
[0020]可选的，在去除所述开口暴露的浮栅层之后，在所述开口内形成字线之前，还包括：
[0021]在所述开口的侧壁和底部形成第三侧墙。
[0022]可选的，所述衬底和所述浮栅层之间还形成有栅氧化层。
[0023]可选的，所述层间介质层为氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层堆叠而成的ONO叠层结构。
[0024]可选的，所述闪存器件的制造方法用于制造分栅式闪存器件。
[0025]综上所述，本专利技术提供一种闪存器件的制造方法，在衬底上依次形成浮栅层、层间介质层、控制栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层、所述控制栅层和所述层间介质层上形成有开口，所述硬掩模层的侧壁上形成有覆盖所述控制栅层的第一侧墙；进行湿法清洗工艺，去除所述开口的内壁及所述开口两侧的杂质或副产物，且所述控制栅层的靠近所述开口一侧的顶角暴露；形成表面平滑的介质层，所述介质层覆盖所述第一侧墙的表面、所述控制栅层的侧壁以及所述控制栅层的靠近所述开口一侧的顶角；在所述开口的侧壁上形成第二侧墙；去除所述开口暴露的浮栅层，并在所述开口内形成字线；以及，去除所述硬掩膜层及其下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本专利技术通过形成表面平滑的介质层，增加了控制栅和字线之间的膜层厚度，从而避免控制栅和字线之间的隔离失效，确保闪存器件的正常运行。
附图说明
[0026]图1为一闪存器件的结构示意图；
[0027]图2和图3为一闪存器件的制造过程中部分步骤对应的结构示意图；
[0028]图4为本专利技术一实施例提供的闪存器件的制造方法的流程图；
[0029]图5至图11为本专利技术一实施例提供的闪存器件的制造方法中各个步骤对应的结构示意图；
[0030]其中，附图标记如下：
[0031]10
‑
字线；20
‑
浮栅；30
‑
控制栅；31
‑
控制栅层；40
‑
第一侧墙；41
‑
第二侧墙；
[0032]100
‑
衬底；101
‑
栅氧化层；110
‑
浮栅层；111
‑
浮栅；120
‑
层间介质层；130
‑
控制栅层；131
‑
控制栅；140
‑
硬掩膜层；150
‑
开口；151
‑
第一侧墙；152
‑
介质层；153
‑
第二侧墙；154
‑
第三侧墙；160
‑
字线；
[0033]A、B
‑
顶角。
具体实施方式
[0034]下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0035]图4为本专利技术一实施例提供的闪存器件的制造方法的流程图。参阅图5，所述闪存器件的制造方法包括：
[0036]步骤S01：提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层、层间介质层、控制栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层、所述控制栅层和所述层间介质层上形成有暴露所述浮栅层的开口，所述硬掩模层的靠近所述开口的侧壁上形成有第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述控制栅层的靠近所述开口一侧的表面；
[0037]步骤S02：进行湿法清洗工艺，去除所述开口的内壁及所述开口两侧的杂质或副产物，且所述控制栅层的靠近所述开口一侧的顶角暴露；
[0038]步骤S03：形成表面平滑的介质层，所述介质层覆盖所述第一侧墙的表面、所述控制栅层的侧壁以及所述控制栅层的靠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层、层间介质层、控制栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层、所述控制栅层和所述层间介质层上形成有暴露所述浮栅层的开口，所述硬掩模层的靠近所述开口的侧壁上形成有第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述控制栅层的靠近所述开口一侧的表面；进行湿法清洗工艺，去除所述开口的内壁及所述开口两侧的杂质或副产物，且所述控制栅层的靠近所述开口一侧的顶角暴露；形成表面平滑的介质层，所述介质层覆盖所述第一侧墙的表面、所述控制栅层的侧壁以及所述控制栅层的靠近所述开口一侧的顶角；在所述开口的侧壁上形成第二侧墙；去除所述开口暴露的浮栅层，以使所述开口暴露所述衬底，并在所述开口内形成字线；以及，去除所述硬掩膜层及所述硬掩膜层下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。2.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，形成所述介质层的过程包括：在所述开口的侧壁及底部沉积形成所述介质层，所述介质层延伸覆盖所述开口两侧的硬掩模层；刻蚀去除所述开口底部及所述硬掩模层表面的介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：张连宝，杨辉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：