三维存储器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：提供晶圆结构，所述晶圆结构包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括第一衬底、第一绝缘层以及功能层，所述第一衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面，所述第一绝缘层形成在所述第一表面上，所述功能层形成在所述第二表面上；在所述第一绝缘层与所述第一衬底内形成接触孔，所述接触孔露出所述功能层；在所述接触孔内形成所述第一触点，所述第一触点与所述功能层平齐。本申请的三维存储器结构平整，三维存储器的良率较高。存储器的良率较高。存储器的良率较高。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，特别涉及一种三维存储器及其制备方法。

技术介绍

[0002]三维存储器的存储单元阵列由于第一触点延伸在功能层之内，在功能层对应第一触点的位置形成过孔后，第一触点凸出在过孔内，在过孔内形成后续结构时，通常在后续结构对应第一触点的位置形成凸起，最终形成的三维存储器结构不平整，影响三维存储器的良率。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种三维存储器及其制备方法，以解决三维存储器结构不平整，影响三维存储器的良率的技术问题。
[0004]本专利技术提供一种三维存储器的制备方法，包括：提供晶圆结构，所述晶圆结构包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括第一衬底、第一绝缘层以及功能层，所述第一衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面，所述第一绝缘层形成在所述第一表面上，所述功能层形成在所述第二表面上；在所述第一绝缘层与所述第一衬底内形成接触孔，所述接触孔露出所述功能层；在所述接触孔内形成所述第一触点，所述第一触点与所述功能层平齐。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：晶圆结构，所述晶圆结构包括第一衬底、绝缘结构以及功能层；所述第一衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面；所述绝缘结构包括位于所述第一表面的第一绝缘层以及贯穿所述第一衬底的绝缘体；所述功能层位于所述第二表面，且所述功能层包括与所述绝缘体不同的材料；第一触点，所述第一触点位于所述第一绝缘层与所述绝缘体内。2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述功能层包括第一钝化层，所述第一钝化层为刻蚀停止层。3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述第一触点与所述第一钝化层靠近所述第一衬底的一侧共面。4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括：第一连接结构，所述第一连接结构位于所述第二表面且与所述绝缘体接触；所述第一触点与所述第一连接结构连接；所述第一连接结构与所述功能层的侧面接触。5.根据权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，还包括：第二连接结构，所述第二连...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溢欢，肖亮，张明康，李倩，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：