利用较薄隧穿氧化物形成分裂栅极存储器单元的方法技术

一种形成存储器单元的方法，该方法包括：在半导体衬底的上表面之上形成第一多晶硅块，并且该第一多晶硅块具有相交于锋利边缘的顶表面和侧表面；形成具有第一部分、第二部分和第三部分的氧化物层，其中该第一部分位于该上表面之上、该第二部分直接位于该侧表面上，并且该第三部分直接位于该锋利边缘上；执行以非均匀方式减薄该氧化物层的蚀刻，使得该第三部分比该第一部分和该第二部分薄；执行使该氧化物层的第一部分、第二部分和第三部分加厚的氧化物沉积，其中在该氧化物沉积之后，该第三部分比该第一部分和该第二部分薄；以及形成第二多晶硅块，该第二多晶硅块具有直接位于该氧化物层的该第一部分上的一部分和直接位于该氧化物层的该第三部分上的另一部分。化物层的该第三部分上的另一部分。化物层的该第三部分上的另一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】利用较薄隧穿氧化物形成分裂栅极存储器单元的方法
[0001]相关专利申请
[0002]本申请要求2020年7月9日提交的美国临时申请第63/049,775号和2021年2月18日提交的美国专利申请第17,179,057号的权益。


[0003]本专利技术涉及分裂栅极非易失性存储器单元，并且更具体地讲，涉及形成此类单元的方法。

技术介绍

[0004]分裂栅极型存储器单元阵列是已知的。例如，出于所有目的以引用的方式并入本文中的美国专利5,029,130公开了一种分裂栅极存储器单元及其形成，其包括在衬底中形成源极区域和漏极区域以及在该源极区域和漏极区域之间的沟道区域。浮动栅极设置在该沟道区域的一部分之上并控制该沟道区域的该一部分的传导性，并且控制栅极设置在该沟道区域的其它部分之上并控制该沟道区域的该其它部分的传导性。控制栅极向上延伸并延伸在浮动栅极之上。浮动栅极和控制栅极之间的绝缘体被称为隧穿介电材料(例如，氧化物)，因为在对控制栅极施加高的正电压的擦除操作期间电子隧穿这种介电材料。
[0005]图1A至图1F示出了根据常规方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成存储器单元的方法，包括：在半导体衬底的上表面上形成第一氧化物层；在所述第一氧化物层上形成第一多晶硅块，其中所述第一多晶硅块包括顶表面和侧表面，并且其中所述顶表面终止在所述侧表面处的锋利边缘处；通过执行第一氧化物沉积来形成第二氧化物层，其中所述第二氧化物层包括位于所述上表面之上的第一部分、直接位于所述侧表面上的第二部分以及直接位于所述锋利边缘上的第三部分；执行以非均匀方式减薄所述第二氧化物层的蚀刻，使得所述第二氧化物层的所述第三部分比所述第二氧化物层的所述第一部分和所述第二部分薄；执行使所述第二氧化物层的所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分加厚的第二氧化物沉积，其中在所述第二氧化物沉积之后，所述第二氧化物层的所述第三部分比所述第二氧化物层的所述第一部分和所述第二部分薄；形成第二多晶硅块，所述第二多晶硅块具有直接位于所述第二氧化物层的所述第一部分上的第一部分和直接位于所述第二氧化物层的所述第三部分上的第二部分；以及在所述半导体衬底中形成源极区域和漏极区域，所述源极区域和所述漏极区域在所述源极区域和所述漏极区域之间限定所述半导体衬底的沟道区域，其中所述第一多晶硅块设置在所述沟道区域的第一部分之上，并且所述第二多晶硅块的所述第一部分设置在所述沟道区域的第二部分之上。2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述执行所述第二氧化物沉积之后，所述第二氧化物层的所述第三部分的厚度比所述第二氧化物层的所述第一部分的厚度小约25埃至35埃。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨任伟，吴满堂，范振智，N，
申请(专利权)人：硅存储技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：