闪存器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种闪存器件及其制造方法，在衬底上依次形成浮栅层、层间介质层、控制栅层和具有开口的硬掩膜层，并在开口的侧壁上形成第一侧墙；去除开口暴露的控制栅层及其下方的层间介质层，控制栅层的靠近第一侧墙的顶角处存在突起；形成表面平整的隔离层，所述隔离层至少覆盖第一侧墙表面、突起和控制栅层的靠近开口一侧的侧壁；形成覆盖隔离层的第二侧墙；去除开口暴露的浮栅层，并在开口内形成字线；去除硬掩模层及其下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本发明专利技术通过在突起上形成表面平整的隔离层，减少或避免第二侧墙出现厚度不均匀或断开的情况，拓宽了后续工艺的工艺窗口，改善了字线与控制栅之间的击穿电压。的击穿电压。的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】
闪存器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种闪存器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]闪存器件作为一种非易失性存储器，具有便捷、存储密度高、可靠性强等特点，应用广泛。现有的闪存器件的结构通常包括分栅结构、叠栅结构或其组合，其中，分栅式闪存器件具有编程效率高的特点。
[0003]随着集成电路制造技术水平的不断进步，闪存器件的尺寸也不断缩小。参阅图1和图2，在刻蚀开口10暴露的控制栅层20过程中可能会出现侧掏现象，导致控制栅层20的靠近开口10一侧的顶角处出现突起A；参阅图3，后续的湿法清洗等工艺会回刻控制栅层20上方的第一侧墙30，从而导致突起A暴露。然而，参阅图4，随着闪存器件尺寸的缩小，闪存器件中各个膜层的厚度减薄，相关的工艺窗口随之减小。由于第一侧墙30和控制栅层20的交界处存在突起A，因此，后续形成于第一侧墙30表面和控制栅21的侧壁上的第二侧墙31容易出现厚度不均匀的情况，严重时第二侧墙31的靠近突起A的部分会发生断裂，并导致控制栅21和字线40之间的介质层(即第一侧墙30、第二侧墙31本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层、层间介质层、控制栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有暴露所述控制栅层的开口，且所述开口的侧壁上形成有第一侧墙；去除所述开口暴露的控制栅层及所述开口下方的层间介质层，使所述开口暴露所述浮栅层，所述控制栅层的靠近所述第一侧墙的顶角处存在突起；形成表面平整的隔离层，所述隔离层至少覆盖所述第一侧墙的表面、所述突起和所述控制栅层的靠近所述开口一侧的侧壁；形成覆盖所述隔离层的第二侧墙；去除所述开口暴露的浮栅层，并在所述开口内形成字线；以及，去除所述硬掩模层及所述硬掩模层下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。2.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，形成表面平整的所述隔离层的过程包括：在所述开口的侧壁及底部沉积隔离层，所述隔离层延伸覆盖所述开口两侧的硬掩膜层；图形化所述隔离层，使所述隔离层至少覆盖所述第一侧墙的表面、所述突起和所述控制栅层的靠近所述开口一侧的侧壁，并使所述隔离层的表面平整。3.如权利要求2所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，采用各向异性的干法刻蚀工艺图形化所述隔离层。4.如权利要求3所述的闪存器件的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱景润，沈思杰，刘宪周，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：