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本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，在衬底上依次形成浮栅层、层间介质层、控制栅层和具有开口的硬掩膜层，并在开口的侧壁上形成第一侧墙；去除开口暴露的控制栅层及其下方的层间介质层，控制栅层的靠近第一侧墙的顶角处存在突起；形成表面平整的隔离层，...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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