闪存器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种闪存器件及其制造方法，其中，所述闪存器件包括衬底；浮栅层，设置于所述衬底上；第一浅沟槽隔离结构，包括第一隔离沟槽和第一隔离层，所述第一隔离沟槽贯穿所述浮栅层并向下延伸至所述衬底内，所述第一隔离层设置于所述第一隔离沟槽内，且所述第一隔离层的顶面低于所述浮栅层的顶面；控制栅介质层，覆盖所述第一隔离层的顶面及所述浮栅层的侧壁和顶面；以及，控制栅层，设置于所述控制栅介质层上。本发明专利技术通过减薄所述第一隔离层的高度使所述浮栅层的部分侧壁暴露，从而使所述控制栅层与所述浮栅层在垂直方向也进行耦合，增加所述控制栅层与所述浮栅层的耦合面积，提高闪存器件的性能。闪存器件的性能。闪存器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
闪存器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种闪存器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]闪存器件作为一种非易变性存储器，通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关，从而达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失。闪存以其便捷、存储密度高、可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛应用于手机、笔记本和U盘等移动通讯设备中。
[0003]一般而言，闪存器件包括分栅式闪存器件和叠栅式闪存器件。其中，分栅式闪存器件相比叠栅式闪存器件在编程和擦写的时候都有更独特的性能优势。分栅式闪存器件也因其编程效率较高、可避免过擦除等优点得到了广泛的应用。分栅式闪存器件采用控制栅与浮栅之间耦合以提供高电压，从而实现浮栅的热电子编程，因此，所述浮栅与所述控制栅之间的耦合面积对闪存器件的性能起着决定性的作用。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种闪存器件，以解决现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存器件，其特征在于，包括：衬底；浮栅层，设置于所述衬底上；第一浅沟槽隔离结构，包括第一隔离沟槽和第一隔离层，所述第一隔离沟槽贯穿所述浮栅层并向下延伸至所述衬底内，所述第一隔离层设置于所述第一隔离沟槽内，且所述第一隔离层的顶面低于所述浮栅层的顶面；控制栅介质层，覆盖所述第一隔离层的顶面及所述浮栅层的侧壁和顶面；以及，控制栅层，设置于所述控制栅介质层上。2.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述第一隔离层的顶面与所述浮栅层的顶面的高度差为3.如权利要求1或2所述的闪存器件，其特征在于，所述控制栅介质层的厚度小于所述第一隔离层的顶面与所述浮栅层的顶面的高度差。4.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述衬底包括逻辑区及存储区，所述第一浅沟槽隔离结构位于所述存储区内。5.如权利要求4所述的闪存器件，其特征在于，所述逻辑区还包括第二浅沟槽隔离结构，所述第二浅沟槽隔离结构包括第二隔离沟槽和第二隔离层，所述第二隔离沟槽贯穿所述浮栅层并向下延伸至所述衬底内，所述第二隔离层设置于所述第二隔离沟槽内，且所述第二隔离层的顶面高于所述浮栅层的顶面。6.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，还包括：浮栅介质层，设置于所述衬底与所述浮栅层之间。7.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成浮栅层；在所述浮栅层和所述衬底内形成第一隔离沟槽，并在所述第一隔离沟槽内形成第一隔离层，所述第一隔离层的顶面低于所述浮栅层的顶面，所述第一隔离沟槽和所述第一隔离层构成第一浅沟槽隔离结...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：