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本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，其中，所述闪存器件包括衬底；浮栅层，设置于所述衬底上；第一浅沟槽隔离结构，包括第一隔离沟槽和第一隔离层，所述第一隔离沟槽贯穿所述浮栅层并向下延伸至所述衬底内，所述第一隔离层设置于所述第一隔离沟槽内，且所...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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