分栅快闪存储器的形成方法技术

本发明专利技术提供一种分栅快闪存储器的形成方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浮栅材料层，所述浮栅材料层内形成有沟槽，所述沟槽贯穿所述浮栅材料层并暴露出所述半导体衬底；形成源线材料层，所述源线材料层填充所述沟槽并覆盖浮栅材料层，在形成所述源线材料层时，在所述源线材料层与所述半导体衬底之间产生热应力；执行退火工艺，以释放所述源线材料层与所述半导体衬底之间的热应力。通过形成源线材料层之后，对源线材料层执行退火工艺，以释放所述源线材料层与所述半导体衬底之间的热应力，避免源线材料层与半导体衬底之间产生位错导致漏电，进而导致分栅快闪存储器的编程失效，提高了产品良率，同时避免了炉管产能浪费。产能浪费。产能浪费。

【技术实现步骤摘要】
分栅快闪存储器的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种分栅快闪存储器的形成方法。

技术介绍

[0002]快闪存储器具有存储密度高、可靠性好及便于携带等优点，因此分栅快闪存储器从问世以来广泛应用于手机、笔记本和U盘等移动和通讯设备中。分栅快闪存储器一般包括两种结构：栅极叠层(stack gate)和分栅(split gate)结构，目前应用较广泛的为分栅结构。
[0003]分栅快闪存储器具有高编程效率,低擦除电压和无过擦除效应的优点,因此外围控制电路简单。自专利技术以来,它已在低密度代码存储和嵌入式闪存领域得到了广泛的应用。由于分栅快闪存储器的制造过程需要同时完成闪存器件和逻辑器件的集成，制造工艺相对复杂，工程师需要及时地根据闪存产品的良率反馈和失效原因作出制程的优化和改进，因此对分栅快闪存储器的失效机理进行研究具有重要的意义。
[0004]分栅快闪存储器的编程失效原因之一是因为源线多晶硅层(SPOLY)下面半导体衬底中的位错(dislocation)所造成的漏电。而源线多晶硅层下面半导体衬底中的位错产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浮栅材料层，所述浮栅材料层内形成有沟槽，所述沟槽贯穿所述浮栅材料层并暴露出所述半导体衬底；形成源线材料层，所述源线材料层填充所述沟槽并覆盖浮栅材料层，在形成所述源线材料层时，在所述源线材料层与所述半导体衬底之间产生热应力；执行退火工艺，以释放所述源线材料层与所述半导体衬底之间的热应力。2.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述退火工艺中的工艺温度为800℃～1200℃。3.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述退火工艺中的工艺时间为15秒～25秒。4.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述退火工艺中的工艺气体包括氮气。5.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述浮栅材料层上形成有硬掩膜层，所述沟槽贯穿所述硬掩膜层且所述源线材料层覆盖所述硬掩膜层。6.根据权利要求5所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述浮栅材料层和所述硬掩膜层内形成沟槽的步骤包括：在所述硬掩膜层内形成开口，所述开口暴露出所述浮栅材料层；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀部分厚度的所述浮栅材料层...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤志林，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：