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本发明提供一种分栅快闪存储器的形成方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浮栅材料层，所述浮栅材料层内形成有沟槽，所述沟槽贯穿所述浮栅材料层并暴露出所述半导体衬底；形成源线材料层，所述源线材料层填充所述沟槽并覆盖浮栅材料层，在形...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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