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本发明提供一种快闪存储器及其制作方法，快闪存储器包括：衬底，衬底上形成有源线，源线两侧的衬底上由下往上依次形成有浮栅结构层和第一侧墙；且第一侧墙位于浮栅结构层靠近源线一侧的上方；隧穿氧化层，隧穿氧化层至少覆盖浮栅结构层远离源线一侧拐角的上表...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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