晶片的处理方法技术

本发明专利技术提供晶片的处理方法，在利用刀具对配设于晶片的热压接片的上表面进行磨削而平坦化时，消除该热压接片从热压接片的外周剥离的问题。该晶片的处理方法对由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片进行处理，其中，该晶片的处理方法包含如下的工序：热压接片配设工序，在晶片的正面上配设热压接片；热压接工序，对热压接片进行加热并且进行按压而将热压接片热压接于晶片的正面；阶梯差形成工序，沿着晶片的外周对热压接片进行切削，在热压接片的外周形成阶梯差部；以及平坦化工序，利用刀具对热压接片的上表面进行切削而使上表面平坦化，在该平坦化工序中，将该刀具的刃尖定位于不低于在该阶梯差形成工序中形成的阶梯差部的位置。阶梯差部的位置。阶梯差部的位置。

【技术实现步骤摘要】
晶片的处理方法


[0001]本专利技术涉及晶片的处理方法，对由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片进行处理。

技术介绍

[0002]由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片在将背面磨削而形成为期望的厚度之后，通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片，并被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
[0003]磨削装置构成为包含：卡盘工作台，其对晶片进行保持；以及磨削单元，其以能够旋转的方式具有对该卡盘工作台所保持的晶片进行磨削的磨削磨轮，该磨削装置能够精度良好地精加工晶片。
[0004]另外，为了即使将晶片的正面侧保持于卡盘工作台的保持面也不会给器件带来损伤，本申请人提出了如下的技术：将不具有糊料剂的热压接片热压接于晶片的正面，从而避免由于糊料的残渣、磨削水的进入等所导致的晶片的正面的污染(例如参照专利文献1)。
[0005]专利文献1：日本特开2019
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186488号公报
[0006]根据上述专利文献1所记载的技术，虽然能够避免由于糊料的残渣、磨削水的进入等所导致的晶片的正面的污染，但是由于器件的凹凸，在热压接片的上表面上也出现凹凸，因此会产生即使想要在卡盘工作台的保持面上生成负压而进行吸引保持也无法适当地保持于卡盘工作台的保持面的问题。为了应对该问题，考虑利用刀具对热压接片的上表面进行磨削而使该上表面平坦，但当想要利用刀具对敷设于晶片的正面的热压接片进行磨削时，产生该热压接片从热压接片的外周剥离而无法进行平坦化的问题。
专利技术内容
[0007]本专利技术是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供晶片的处理方法，在利用刀具对配设于晶片的热压接片的上表面进行磨削而平坦化时，消除该热压接片从热压接片的外周剥离的问题。
[0008]为了解决上述主要的技术课题，根据本专利技术，提供晶片的处理方法，对由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片进行处理，其中，该晶片的处理方法包含如下的工序：热压接片配设工序，在晶片的正面上配设热压接片；热压接工序，对热压接片进行加热并进行按压而将热压接片热压接于晶片的正面；阶梯差形成工序，沿着晶片的外周对热压接片进行切削，在热压接片的外周形成阶梯差部；以及平坦化工序，利用刀具对热压接片的上表面进行切削而使上表面平坦化，在该平坦化工序中，将该刀具的刃尖定位于不低于在该阶梯差形成工序中形成的阶梯差部的位置。
[0009]优选该热压接片是聚烯烃系片，选自聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意片。优选关于在该热压接工序中对热压接片进行加热时的加热温度，在该热压接片是聚乙烯片的情况下为120℃～140℃，在该热压接片是聚丙烯片的情况下为160℃～180℃，在该
热压接片是聚苯乙烯片的情况下为220℃～240℃。
[0010]优选该热压接片是聚酯系片，选自聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片中的任意片。优选关于在该热压接工序中对热压接片进行加热时的加热温度，在该热压接片是聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下为250℃～270℃，在该热压接片是聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下为160℃～180℃。
[0011]优选上述晶片的处理方法包含如下的磨削工序：将平坦化的热压接片的上表面保持于磨削装置的卡盘工作台的保持面，对晶片的背面进行磨削而将晶片精加工成期望的厚度。另外，优选上述晶片的处理方法包含如下的加工工序：将压接有平坦化的热压接片的晶片的背面侧保持于切割装置或激光加工装置的卡盘工作台的保持面，从热压接片侧对分割预定线实施切削加工或激光加工。
[0012]本专利技术的晶片的处理方法对由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片进行处理，其中，该晶片的处理方法包含如下的工序：热压接片配设工序，在晶片的正面上配设热压接片；热压接工序，对热压接片进行加热并进行按压而将热压接片热压接于晶片的正面；阶梯差形成工序，沿着晶片的外周对热压接片进行切削，在热压接片的外周形成阶梯差部；以及平坦化工序，利用刀具对热压接片的上表面进行切削而使上表面平坦化，在该平坦化工序中，将该刀具的刃尖定位于不低于在该阶梯差形成工序中形成的阶梯差部的位置，因此，与通过该切削欲将热压接片从形成有阶梯差部的外周剥离的力相比，该阶梯差部对于晶片的压接力相对大，因此在利用刀具对热压接片的上表面进行切削而平坦化时，能够消除从热压接片的外周端部剥离的问题。
附图说明
[0013]图1是示出热压接片配设工序的实施方式的立体图。
[0014]图2是示出热压接工序的实施方式的立体图。
[0015]图3是示出将晶片载置于切削装置的卡盘工作台的方式的立体图。
[0016]图4的(a)是示出阶梯差形成工序的实施方式的立体图，图4的(b)是将形成有阶梯差部的晶片的外周端部的一部分放大而示出的侧视图。
[0017]图5的(a)是示出实施平坦化工序的切削装置的立体图，图5的(b)是示出平坦化工序的实施方式的立体图，图5的(c)是示出平坦化后的晶片的立体图。
[0018]图6的(a)是示出将晶片载置于磨削装置的卡盘工作台的方式的立体图，图6的(b)是示出磨削工序的实施方式的立体图。
[0019]图7是示出沿着晶片的分割预定线进行切削的方式的立体图。
[0020]标号说明
[0021]2：热压接片；2a：上表面；2b：外周；2c：阶梯差部；2d：切削痕；2e：外周端部；4：工作台；4a：上表面；10：晶片；10a：正面；10b：背面；12：器件；14：分割预定线；22：加热辊；30：切削装置；32：卡盘工作台；34：刀具壳体；35：旋转轴；36：切削刀具；40：切削装置；41：卡盘工作台；42：切削单元；43：旋转主轴；44：刀具安装部件；46：刀具；46a：刃尖；50：磨削装置；52：卡盘工作台；53：磨削单元；54：旋转主轴；55：磨轮安装座；56：磨削磨轮；57：磨削磨具；60：加工装置(切割装置)；62：切削单元；66：切削刀具；100：切削槽；F：框架；T：保护带。
具体实施方式
[0022]以下，参照附图对根据本专利技术而构成的晶片的处理方法的实施方式进行详细说明。
[0023]在图1中示出：通过本实施方式进行处理的晶片10；配设于晶片10的正面10a上的热压接片2；以及对晶片10进行保持的工作台4。晶片10由分割预定线14划分而在正面10a上形成有多个器件12。热压接片2形成为与晶片10大致相同的尺寸，是通过加热而发挥粘接力的片，例如选自聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片。
[0024]在由聚烯烃系片构成热压接片2的情况下，例如选自聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意片。另外，在由聚酯系片构成热压接片2的情况下，例如选自聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片中的任意片。在本实施方式中，对选择聚乙烯片作为热压接片2的情况进行说明。
[0025]在实施本实施方式的晶片的处理方法时，首先实施在晶片10的正面10a上配设上述热压接片2的热压接片配设工序本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的处理方法，对由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片进行处理，其中，该晶片的处理方法包含如下的工序：热压接片配设工序，在晶片的正面上配设热压接片；热压接工序，对热压接片进行加热并进行按压而将热压接片热压接于晶片的正面；阶梯差形成工序，沿着晶片的外周对热压接片进行切削，在热压接片的外周形成阶梯差部；以及平坦化工序，利用刀具对热压接片的上表面进行切削而使上表面平坦化，在该平坦化工序中，将该刀具的刃尖定位于不低于在该阶梯差形成工序中形成的阶梯差部的位置。2.根据权利要求1所述的晶片的处理方法，其中，该热压接片是聚烯烃系片，选自聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意片。3.根据权利要求2所述的晶片的处理方法，其中，关于在该热压接工序中对热压接片进行加热时的加热温度，在该热压接片是聚乙烯片的情况下为120℃～140℃，在该热压接片是聚丙烯片的情况下为160℃～180℃，在该热压接片是聚苯乙烯片的情况下为22...

【专利技术属性】
技术研发人员：大前卷子，小池和裕，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：