高压元件与低压元件整合制造方法技术

一种高压元件与低压元件整合制造方法，包含：提供基板；形成半导体层于基板上；形成多个绝缘区于半导体层上，以定义高压元件区与低压元件区；形成第一高压阱区于半导体层中的高压元件区中；形成第二高压阱区于半导体层中，其中第一高压阱区与第二高压阱区于通道方向上连接；于第一高压阱区与第二高压阱区形成之后，形成氧化层于半导体层上，氧化层覆盖高压元件区与低压元件区；于氧化层形成之后，形成第一低压阱区于半导体层中的低压元件区中；将杂质以加速离子的形式，穿透氧化层，注入第一低压阱区的定义区中，以形成第一低压阱区。以形成第一低压阱区。以形成第一低压阱区。

【技术实现步骤摘要】
高压元件与低压元件整合制造方法


[0001]本专利技术涉及一种高压元件与低压元件整合制造方法，特别涉及一种利用形成高压元件的降低表面电场氧化区的氧化层作为形成低压元件的低压阱区的牺牲氧化层的高压元件与低压元件整合制造方法。

技术介绍

[0002]典型的低压元件制造方法中，在形成低压阱区之前，形成牺牲氧化层用以作为形成低压阱区的离子注入工艺步骤中，离子注入的阻挡层，以避免半导体层本身直接遭受离子轰击而产生缺陷。
[0003]而牺牲氧化层是以热氧化(thermal oxide)工艺步骤所形成。而热氧化工艺步骤必然伴随着热预算(thermal budget)。热预算的控制对半导体元件的整合工艺来说相当重要。因此，随着半导体元件的尺寸逐渐缩小，热预算的控制就越加重要。
[0004]有鉴于此，本专利技术提出一种能够减少热预算的高压元件与低压元件整合制造方法，以更佳地控制半导体元件中，所掺杂的杂质的轮廓。

技术实现思路

[0005]就其中一观点言，本专利技术提供了一种高压元件与低压元件整合制造方法，包含：提供一基板；形成一半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压元件与低压元件整合制造方法，其特征在于，包含：提供一基板；形成一半导体层于该基板上；形成多个绝缘区于该半导体层上，以定义一高压元件区与一低压元件区；形成一第一高压阱区于该半导体层中的该高压元件区中，该第一高压阱区具有一第一导电型，其中，部分该第一高压阱区定义一漂移区，用以作为该高压元件在一导通操作中的一漂移电流通道；形成一第二高压阱区于该半导体层中，该第二高压阱区具有一第二导电型，其中该第一高压阱区与该第二高压阱区于一通道方向上连接；其中，该第二高压阱区具有一第一部分与一第二部分，其中该第一部分位于该高压元件区中，该第二部分介于该高压元件区与该低压元件区之间；于该第一高压阱区与该第二高压阱区形成之后，形成一氧化层于该半导体层上，该氧化层覆盖该高压元件区与该低压元件区；于该氧化层形成之后，形成一第一低压阱区于该半导体层中的该低压元件区中；其中，将杂质以加速离子的形式，穿透该氧化层，注入该第一低压阱区的一定义区中，以形成该第一低压阱区。2.如权利要求1所述的高压元件与低压元件整合制造方法，其中，还包含：形成一埋层于该基板上的一高压元件区中，其中该埋层具有一第一导电型；以及形成一深阱区于该半导体层中，该深阱区具有该第一导电型，且于一垂直方向上，该深阱区连接定义该高压元件区的该绝缘区与该埋层；其中，该第二部分、该埋层与该深阱区形成一隔绝区，以于该半导体层中，电性隔绝该高压元件区与该低压元件区。3.如权利要求2所述的高压元件与低压元件整合制造方法，其中，还包含：于该第一低压阱区形成后，以微影与蚀刻工艺步骤，蚀刻该氧化层，以形成一降低表面电场氧化区于该高压元件区中；于该降低表面电场氧化区形成后，形成一栅极氧化层于该半导体层上并连接该半导体层，该栅极氧化层覆盖该高压元件区与该低压元件区；形成一多晶硅层于该栅极氧化层上并连接该栅极氧化层；以及形成一本体区于该半导体层中的该高压元件区中，其中该本体区与该第一高压阱区于该通道方向上连接。4.如权利要求3所述的高压元件与低压元件整合制造方法，其中，还包含：以微影工艺步骤与蚀刻工艺步骤，蚀刻该多晶硅层，以分别形成一高压栅极于该高压元件区中与一第一低压栅极于该低压元件区中。5.如权利要求4所述的高压元件与低压元件整合制造方法，其中，还包含：形成一高压源极与一高压漏极于...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊志文，翁武得，杨大勇，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：