【技术实现步骤摘要】
一种沟槽式MOS器件及其制备方法
[0001]本专利技术属于晶体管加工
，具体涉及一种沟槽式MOS器件及其制备方法。
技术介绍
[0002] MOS管全称是金属
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氧化物
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半导体场效应晶体管或称金属
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绝缘体
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半导体场效应晶体管，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。MOS管的栅极和源极之间是绝缘的，电压产生电场从而导致源极
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漏极电流的产生。此时的栅极电压决定了漏极电流的大小，控制栅极电压的大小就可以控制漏极电流的大小。因此，MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件， MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。
[0003]目前关于沟槽型MOS器件及其制造方法的报道较多，授权公告号CN109004030B的专利从下到上依次包括多晶硅层、氮化硅层、第一外延层和第二外延层的衬底结构、栅介质层、第一介质层、金属电极引出端；解决了现有沟槽型MOS器件因在栅氧生长工艺中晶圆背...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种沟槽式MOS器件，其特征在于，包括从下到上依次设置的减薄衬底层（10）、氮化硅层（20）、中间衬底层（30）、第一外延层（40）和第二外延层（50），第二外延层（50）内向下延伸设有多个栅极沟槽（110），栅极沟槽（110）的内表面下部从外向内依次形成有栅氧化层（51）和多晶硅氧化层（52），栅极沟槽（110）的内表面上部从外向内依次形成有栅介质层（53）和多晶硅层（54），栅极沟槽（110）的内部设有贯穿出第二外延层（50）的金属电极体（55），金属电极体（55）与栅极沟槽（110）的底部之间依次设有增强电极层（56）和钛粘结层（57），栅氧化层（51）与栅介质层（53）的外部位于第二外延层（50）的上方设有N+源极区层（60），N+源极区层（60）的上方设有绝缘介质层（70），多个填充有金属的接触孔（80）穿过绝缘介质层（70）并延伸至第二外延层（50），绝缘介质层（70）的上方设有金属区层（90）。2.根据权利要求1所述的一种沟槽式MOS器件，其特征在于，所述减薄衬底层（10）由裸片晶圆衬底减薄得到，厚度为10~20μm。3.一种沟槽式MOS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，选取具有第一导电类型的裸片晶圆衬底（100），通过外延生长工艺在裸片晶圆衬底（100）的上表面依次形成氮化硅层（20）以及具有第一导电类型的中间衬底层（30）、第一外延层（40）、第二外延层（50）；步骤二，对第二外延层（50）的表面进行光刻和刻蚀，形成多个相互平行的栅极沟槽（110）；步骤三，在栅极沟槽（110）和第二外延层（50）的表面沉积一层二氧化硅形成第一介质层（120）；步骤四，在第一介质层（120）上沉积N型或P型掺杂的导电多晶硅，通过干法刻蚀在栅极沟槽（110）的内表面下部形成栅氧化层（51）和多晶硅氧化层（52），在栅极沟槽（110）的内表面上部形成栅介质层（53）和多晶硅层（54）；步骤五，将P型杂质离子注入到栅介质层（53）之外的第一介质层（120）内，快速退火处理形成N+源极区层（60）；步骤六，在栅极沟槽（110）的内部区域沉积金属钛粘结剂得到钛粘结层（57），在钛粘结层（57）的表面沉积氮化钛得到增强电极层（56），在增强电极层（56）的表面沉积金属钨形成金属电极体（55）；步骤七，如在N+源极区层（60）的上方沉积一层二氧化硅形成第二介质层（130），通过干法刻蚀形成多个接触孔（80）的凹槽，将金属钨或铜沉积至接触孔（80）的凹槽内；步骤八，在接触孔（80）上方沉积一层与第二介质层（130）齐平的二氧化硅，与剩余的第二介质层（130）形成绝缘介质层（70）；步骤九，在绝缘介质层（70）的上方沉积铜合金得到金属区层（90）；步骤十，粘贴耐污保护膜（140）后在裸片晶圆衬底（100）背面旋涂键合胶（150）与厚载体粘合，真空吸附后通过晶圆减薄抛光机打磨去除裸片晶圆衬底（100）背面需...
【专利技术属性】
技术研发人员：田宝，刘入源，潘欣宇，任春晖，
申请(专利权)人：青岛澳芯瑞能半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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