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本发明公开一种沟槽式MOS器件及其制备方法，涉及晶体管加工技术领域。本发明用于解决衬底多次减薄的操作以及抛光打磨过程中缺少固定键合，增加了衬底翘曲的概率，正面成型结构缺少保护容易受到玷污，耐压性能和抑制尖峰电压、尖峰电流的性能有待提升的技术...
该专利属于青岛澳芯瑞能半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛澳芯瑞能半导体科技有限公司授权不得商用。

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