一种硼掺杂选择性发射极TOPcon电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种硼掺杂选择性发射极TOPcon电池及其制备方法，属于TOPcon电池领域。所述制备方法包括以下步骤：(1)对硅片进行双面制绒；(2)在正面沉积至少两层硼硅玻璃层，外层的所述硼硅玻璃层中的硼原子浓度大于内层的所述硼硅玻璃层中的硼原子浓度；(3)进行第一次退火处理，形成轻掺杂发射极；(4)采用激光对正面进行重掺杂，形成选择性发射极；(5)去除所述硼硅玻璃层，然后刻蚀边缘PN结；(6)在正面沉积钝化层和第一减反射层；(7)在背面沉积隧穿氧化层、磷掺杂的非晶硅层、第二减反射层；(8)进行第二次退火处理；(9)在正面、背面分别丝网印刷金属栅线，然后烧结。所述制备方法工艺流程简单，可用于大规模工业化生产。可用于大规模工业化生产。可用于大规模工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种硼掺杂选择性发射极TOPcon电池及其制备方法


[0001]本专利技术属于TOPcon电池
，具体涉及一种硼掺杂选择性发射极TOPcon电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着BSF
→
PERC
→
PERC+等几代太阳能硅电池的迭代升级，对太阳能硅电池的效率要求已经越来越高，而目前的PERC+量产效率23.45％已接近理论的极限效率24.5％，后续效率提升空间不大。同时上述几代电池均为P型硅电池，P型硅片因其少子寿命低、存在衰减、转换效率低等问题制约了后续的提效工作。而N型硅片具有转换效率高、抗衰减、高双面率、少子寿命高、功率温度系数低等特点，有利于提高光伏发电量、降低发电成本，因此N型硅片相比于P型硅片更具发展前景。
[0003]TOPcon电池的全称是隧穿氧化层钝化接触电池，是2013年提出的一种基于N型硅片制造的新型电池技术，通过解决电池载流子选择钝化接触问题来提高太阳能电池效率。目前量产的TOPcon电池效率已超过25％。若再叠加选择性发射极技术(SE)、同时优化PN结，能够在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硼掺杂选择性发射极TOPcon电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对硅片进行双面制绒；(2)在所述硅片正面沉积至少两层硼硅玻璃层，外层的所述硼硅玻璃层中的硼原子浓度大于内层的所述硼硅玻璃层中的硼原子浓度；(3)进行第一次退火处理，形成轻掺杂发射极；(4)采用激光对所述硅片正面进行重掺杂，形成选择性发射极；(5)去除所述硼硅玻璃层，然后刻蚀边缘PN结；(6)在所述硅片正面沉积钝化层和第一减反射层；(7)在所述硅片背面沉积隧穿氧化层、磷掺杂的非晶硅层、第二减反射层；(8)进行第二次退火处理；(9)在所述硅片正面、背面分别丝网印刷金属栅线，然后烧结，制得所述TOPcon电池。2.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极TOPcon电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，最外层的所述硼硅玻璃层中的硼原子浓度大于等于1
×
10
20
atoms/cm3，最内层的所述硼硅玻璃层中的硼原子浓度大于等于5
×
10
19
atoms/cm3。3.根据权利要求1或2所述的硼掺杂选择性发射极TOPcon电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述硼硅玻璃层的总厚度为4.根据权利要求1或2所述的硼掺杂选择性发射极TOPcon电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，在正面依次沉积第一硼硅玻璃...

【专利技术属性】
技术研发人员：王树林，李鹏飞，王英杰，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：