温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种硼掺杂选择性发射极TOPcon电池及其制备方法，属于TOPcon电池领域。所述制备方法包括以下步骤：(1)对硅片进行双面制绒；(2)在正面沉积至少两层硼硅玻璃层，外层的所述硼硅玻璃层中的硼原子浓度大于内层的所述硼硅玻璃层中的...
该专利属于浙江求是半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江求是半导体设备有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。