【技术实现步骤摘要】
制造具有可追溯信息的太阳能电池的方法及太阳能电池
[0001]本申请涉及太阳能电池
，尤其涉及一种制造具有可追溯信息的太阳能电池的方法及太阳能电池。
技术介绍
[0002]随着科学技术的发展，太阳能电池的应用范围越来越广泛，在现有的太阳能电池中，通常利用高能量密度的激光使基底表面形成凹坑，从而构成标记，这种标记方法会对基底造成损伤，并且对太阳能电池整体的电学性能和力学性能造成不良影响。
技术实现思路
[0003]本申请提供了制造具有可追溯信息的太阳能电池的方法及太阳能电池，用于解决加工太阳能电池的标记导致基底损伤的问题。
[0004]本申请实施例提供了一种制造具有可追溯信息的太阳能电池的方法，包括：
[0005]在太阳能电池的基底的表面设置掩膜版，所述掩膜版的非掩膜区域用于在所述基底表面形成标记区域；
[0006]在设置所述掩膜版的所述基底的表面沉积含硅材料；
[0007]去除所述掩膜版以形成位于所述标记区域的标记图案，所述标记图案由至少一个标记点组成，其中所述标记点相对...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造具有可追溯信息的太阳能电池的方法，其特征在于，包括：在太阳能电池的基底的表面设置掩膜版，所述掩膜版的非掩膜区域用于在所述基底表面形成标记区域；在设置所述掩膜版的所述基底的表面沉积含硅材料；去除所述掩膜版以形成位于所述标记区域的标记图案，所述标记图案由至少一个标记点组成，其中所述标记点相对于所述基底的表面凸出，所述标记点的材料包括非晶硅、多晶硅和微晶硅中的至少一种；在具有标记图案的所述基底的表面形成钝化层以及电极，其中，所述钝化层覆盖所述标记图案。2.根据权利要求1所述的制造具有可追溯信息的太阳能电池的方法，其特征在于，在设置所述掩膜版的所述基底的表面沉积含硅材料的步骤包括：在设置所述掩膜版的所述基底的表面沉积非晶硅。3.根据权利要求2所述的制造具有可追溯信息的太阳能电池的方法，其特征在于，还包括：对所述非晶硅进行高温处理，所述非晶硅转变为多晶硅或者微晶硅，高温处理的范围在850℃到950℃间。4.根据权利要求3所述的制造具有可追溯信息的太阳能电池的方法，其特征在于，所述标记图案包括二维码、条...
【专利技术属性】
技术研发人员：张昕宇，金井升，吴君立，黄纪德，李宗芳，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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